1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一硅通孔和所述第二硅通孔在所述堆疊方向上錯開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連接結(jié)構(gòu)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重布線包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；所述第一方向與所述第二方向相交；所述第二重布線包括沿所述第一方向延伸的第三部分和沿所述第二方向延伸的第四部分；其中，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分在所述堆疊方向上均錯開。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片包括相鄰的第一第一硅通孔和第二第一硅通孔，所述第一第一硅通孔和所述第二第一硅通孔之間具有第一間距；所述第二半導(dǎo)體芯片包括相鄰的第一第二硅通孔和第二第二硅通孔，所述第一第二硅通孔和所述第二第二硅通孔之間具有第二間距；所述鍵合層包括相鄰的第一第一導(dǎo)電通道和第二第一導(dǎo)電通道，所述第一第一導(dǎo)電通道和所述第二第一導(dǎo)電通道之間具有第三間距；所述第一布線層包括相鄰的第一第一重布線和第二第一重布線，所述第一第一重布線和所述第二第一重布線之間具有第四間距；所述第二布線層包括相鄰的第一第二重布線和第二第二重布線，所述第一第二重布線和所述第二第二重布線之間具有第五間距；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一第一重布線和所述第二第一重布線均包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；所述第一第二重布線和所述第二第二重布線均包括沿第一方向延伸的第三部分和沿第二方向延伸的第四部分；
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合層還包括鍵合焊盤/虛設(shè)鍵合焊盤；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片包括邏輯芯片；所述第二半導(dǎo)體芯片包括存儲器芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一硅通孔延伸至所述第一半導(dǎo)體芯片中；所述第二硅通孔貫穿所述第二半導(dǎo)體芯片。
10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的兩個所述第二半導(dǎo)體芯片對應(yīng)的所述第二硅通孔在所述堆疊方向上錯開。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重布線包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；所述第一方向與所述第二方向相交；所述第二重布線包括沿所述第一方向延伸的第三部分和沿所述第二方向延伸的第四部分；其中，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分在所述堆疊方向上均錯開；
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片包括相鄰的第一第一硅通孔和第二第一硅通孔，所述第一第一硅通孔和所述第二第一硅通孔之間具有第一間距；每一所述第二半導(dǎo)體芯片包括相鄰的第一第二硅通孔和第二第二硅通孔，所述第一第二硅通孔和所述第二第二硅通孔之間具有第二間距；所述第二鍵合層包括相鄰的第一導(dǎo)電通道和第二導(dǎo)電通道，所述第一導(dǎo)電通道和所述第二導(dǎo)電通道之間具有第三間距；所述第三布線層包括相鄰的第一第三重布線和第二第三重布線，所述第一第三重布線和所述第二第三重布線之間具有第四間距；所述第四布線層包括相鄰的第一第四重布線和第二第四重布線，所述第一第四重布線和所述第二第四重布線之間具有第五間距；
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一第三重布線和所述第二第三重布線均包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；所述第一第四重布線和所述第二第四重布線均包括沿第一方向延伸的第三部分和沿第二方向延伸的第四部分；
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鍵合層還包括鍵合焊盤/虛設(shè)鍵合焊盤；
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括高帶寬存儲器器件；所述第一半導(dǎo)體芯片包括邏輯芯片；所述第二半導(dǎo)體芯片包括存儲器芯片。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一硅通孔延伸至所述第一半導(dǎo)體芯片中；所述第二硅通孔貫穿所述第二半導(dǎo)體芯片。
19.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
20.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：