置于該陶瓷底座2的上表面且由含鉛的熔點為約320°C的低熔點玻璃的填角f進行氣密性密封的陶瓷基板，且外形尺寸小于陶瓷底座2的外形尺寸，在形成于底座2的空腔(空間部)7的內(nèi)底面上，利用導(dǎo)電性粘著劑9接合且保持著晶體振動片8。這里，本發(fā)明中的容器(封裝體)是指陶瓷底座2與蓋體3合并而成的部件。
[0061]這里，因蓋體3的外形尺寸形成為小于底座2的外形尺寸，因此，當(dāng)跨及蓋體3的側(cè)面部及底座2的上表面部而使低熔點玻璃硬化時形成填角f，因此，能充分維持蓋體3的密封部分的強度。
[0062]而且，在陶瓷底座2的外底面的四角部，形成有端面電極(安裝端子)4。此處，雖然將安裝端子4的數(shù)量設(shè)為4個端子，但本發(fā)明也適用于具有2個端子、6個端子的壓電元件、例如是晶體振動器及晶體振蕩器。
[0063]另外，在陶瓷底座2的四角部分別形成有俯視時呈四等分圓形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5，且配置有連接端面電極4與內(nèi)部電極的配線。
[0064]另外，這里，本實施例中，雖然在陶瓷底座2形成I處空間部7，僅搭載晶體片，但也可構(gòu)成為如下的晶體振蕩器:使用H型截面的陶瓷底座，而將晶體片載置于一個空間部，將集成電路(Integrated Circuit, IC)芯片(chip)等載置于另一空間部。
[0065]而且，在本實施例中，雖然由陶瓷基板構(gòu)成蓋體3，但也可使用在鐵中調(diào)配鎳、鈷而成的可伐合金(Kovar)來代替陶瓷基板，使用焊銀(Ag+Cu)、金錫(Au+Sn)等進行密封。
[0066]本發(fā)明的實施例中，如圖2的俯視圖所示，在外形尺寸小于底座2的外形尺寸的蓋體3的四角部形成缺口部6a，該缺口部6a的半徑R為對形成在底座2的四角部的城堡型結(jié)構(gòu)5進行俯視時所呈的四等分圓的半徑r的相同尺寸以上。由此，即使當(dāng)密封時蓋體3的位置相對于底座2在俯視時向上下、左右或斜方向偏移，也會因為缺口部6a的半徑R形成為大于城堡型結(jié)構(gòu)5的半徑尺寸，而不會出現(xiàn)形成在蓋體3的四角部的R部(圓弧部)露出而覆蓋城堡型結(jié)構(gòu)5的情況。
[0067]另外，本發(fā)明的另一實施例中，如圖3所示，在蓋體3的四角部形成C面(倒角，chamfer) 6b，該C面6b是以距離該四角部的頂點的尺寸大于城堡型結(jié)構(gòu)5的半徑r的尺寸且以45°的角度切割而成。由此，例如，當(dāng)密封時，以俯視來看，即使蓋體3的位置相對于底座2向上下、左右或斜方向偏移，蓋體3也不會覆蓋于城堡型結(jié)構(gòu)5。
[0068]此處，在上文所述的任一個實施例中，都如圖4所示，在內(nèi)部具有空間部7的底座2的上表面，利用低熔點玻璃1d及填角f而牢固地保持且固定著具有缺口部6的蓋體3，在底座2的陶瓷基板2b的下表面與陶瓷基板2a的上表面之間，經(jīng)由城堡型結(jié)構(gòu)5而形成有對端面電極4與內(nèi)部電極進行電性連接的配線4a。
[0069]另外，作為本發(fā)明的另一實施例，如圖5所示，即使是在底座2的長邊或短邊的側(cè)面、而非在底座2的四角部形成有城堡型結(jié)構(gòu)5的晶體振動器，也能與半徑r同心或如鏈線所示使半徑中心移位而形成具有大于城堡型結(jié)構(gòu)5的半徑r的半徑R的缺口部6c，從而達到與上文相同的目的。尤其是，若如鏈線所示使半徑中心移位而形成缺口部6c的半徑，則極容易辨認出焊接部。
[0070]而且，也可如現(xiàn)有的那樣構(gòu)成為:在蓋體3的四角部形成R部，使蓋體3的外形尺寸形成為大于形成在底座2的空腔7的內(nèi)側(cè)尺寸，且當(dāng)密封時蓋體3的R部不會遮蓋城堡型結(jié)構(gòu)5。
[0071]另外,作為本發(fā)明的又一實施例,如圖6 (a)?圖6 (e)所不,可列舉形成在底座2的城堡型結(jié)構(gòu)5的變形例。
[0072]也就是說，也可形成為如下所述:如圖6(a)中放大所示在底座2的四角部形成呈矩形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5a，如圖6 (b)所示在底座2的四角部形成呈將八邊形四等分而成的形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5b，如圖6 (c)所示在底座2的短邊或長邊形成呈將六邊形二等分而成的形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5c，如圖6 (d)所示在底座2的短邊或長邊形成呈將橢圓二等分而成的形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5d，而且如圖6 (e)所示在底座2的短邊或長邊形成呈將長的八邊形二等分而成的形狀的城堡型結(jié)構(gòu)5e。
[0073]這里，在適用這些俯視形狀不同的城堡型結(jié)構(gòu)5a?城堡型結(jié)構(gòu)5e的蓋體3上形成的缺口部6的外形尺寸及形狀需要配合各個城堡型結(jié)構(gòu)5的外形尺寸及形狀，而成為大于與各個城堡型結(jié)構(gòu)5相同的尺寸、形狀。
[0074]也就是說，對應(yīng)于圖6(a)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5a，缺口部6在俯視時呈矩形而形成在蓋體3的四角部；對應(yīng)于圖6(b)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5b，缺口部6在俯視時呈將八邊形四等分而成的形狀而形成在蓋體3的四角部；對應(yīng)于圖6(c)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5c，缺口部6在俯視時呈將六邊形二等分而成的形狀而形成在蓋體3的長邊或短邊的側(cè)面；對應(yīng)于圖6(d)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5d，缺口部6在俯視時呈將橢圓二等分而成的形狀而形成在蓋體3的長邊或短邊的側(cè)面；而且，對應(yīng)于圖6(e)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5e，缺口部6在俯視時呈將長的八邊形二等分而成的形狀而形成在蓋體3的長邊或短邊的側(cè)面。
[0075]然而，當(dāng)密封時，只要蓋體3從其上表面觀察時不遮蔽城堡型結(jié)構(gòu)5，則可為任一種外形尺寸、形狀。
[0076]而且，如圖6(a)?圖6(e)的右方空白處所示，外形尺寸、形狀分別不同的城堡型結(jié)構(gòu)5a?城堡型結(jié)構(gòu)5e是以如下方式形成:將作為多個底座2的母材的陶瓷?生片(greensheet) S中成為底座的四角部的部分或成為底座的短邊或長邊的部分，分別沖壓成矩形、八邊、六邊、橢圓或長的八邊形狀之后，沿切割線(dicing line)d分割成各個單片。
[0077]另外，在圖1 (a)、圖1(b)所示的城堡型結(jié)構(gòu)5在俯視時呈四等分圓形狀的情況為，例如，在將圖6(a)所示的矩形改為圓形進行沖壓之后，分割成底座2的單片而形成。
【主權(quán)項】
1.一種電子零件用容器，是利用蓋體對側(cè)面形成有俯視時呈凹狀的城堡型結(jié)構(gòu)的底座的上表面進行氣密性密封；所述電子零件用容器的特征在于:將所述蓋體的外形尺寸構(gòu)成為小于所述底座的外形尺寸，在所述蓋體上形成半徑尺寸大于所述城堡型結(jié)構(gòu)的凹狀的半徑尺寸的缺口部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈四等分圓形狀，且形成在所述蓋體的四角部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈C面形狀，且形成在所述蓋體的四角部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈四等分圓形狀，且形成在所述蓋體的長邊或短邊的側(cè)面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈矩形，且形成在所述蓋體的四角部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈將八邊形四等分而成的形狀，且形成在所述蓋體的四角部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈將六邊形二等分而成的形狀，且形成在所述蓋體的長邊或短邊的側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈將橢圓二等分而成的形狀，且形成在所述蓋體的長邊或短邊的側(cè)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子零件用容器，其特征在于:所述缺口部在俯視時呈將長的八邊形二等分而成的形狀，且形成在所述蓋體的長邊或短邊的側(cè)面。
10.一種電子零件，其特征在于:具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求9任一所述的電子零件用容器。
【專利摘要】本發(fā)明使電子零件用容器所具備的蓋體的四角部不覆蓋底座的城堡型結(jié)構(gòu)，從而，能從蓋體的上方利用X射線圖像處理檢查裝置來更準確地對城堡型結(jié)構(gòu)的焊接部進行圖像檢查。本發(fā)明在利用蓋體對側(cè)面形成有俯視時呈凹狀的城堡型結(jié)構(gòu)的底座的上表面進行氣密性密封的電子零件用容器中，將所述蓋體的外形尺寸構(gòu)成為小于所述底座的外形尺寸，且在所述蓋體上形成半徑尺寸大于所述城堡型結(jié)構(gòu)的凹狀的半徑尺寸的缺口部。
【IPC分類】H03H9-02, H03H9-10
【公開號】CN104753488
【申請?zhí)枴緾N201310743762
【發(fā)明人】大竹浩実, 沙里曼·賓·阿巴杜·拉曼
【申請人】日本電波工業(yè)株式會社
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月30日