于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，其中此切換單元用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過PMOSFET PPU,且此切換單元和PMOSFET PPU電串聯(lián)連接。在另一示例中，這些實施例的另一個的裝置100可包括切換單元(未示出于圖1)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，其中此切換單元用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過NMOSFET NPU，且此切換單元和NMOSFET NPU串聯(lián)電連接。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0032]根據(jù)一些本發(fā)明的實施例，裝置100還可包含至少一個電阻器(例如，一個或多個電阻器)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tra)之間，其中前述至少一個電阻器可用于選擇性地調整驅動路徑上的電流以及可用于在端子(例如，端子Tra)選擇性地調整電壓電平，其中驅動路徑通過PMOSFET PPU和NMOSFET NPU中的M0SFET，例如，以上實施例中的PMOSFET PPU和NMOSFET NPU中的前述M0SFET。例如，這些實施例中的一個的裝置100可包括電阻器(未示出于圖1)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，其中此電阻器用于選擇性地調整驅動路徑上的電流以及可用于在端子(例如，端子Tra)選擇性地調整電壓電平，其中驅動路徑通過PMOSFET PPU，且此電阻器和PMOSFET PPU串聯(lián)電連接。在另一示例中，這些實施例中的另一個的裝置100可包括電阻器(未示出于圖1)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，其中此電阻器用于選擇性地調整驅動路徑上的電流以及可用于在端子(例如，端子Tra)選擇性地調整電壓電平，其中驅動路徑通過NMOSFET NPU，且此電阻器和NMOSFET NPU串聯(lián)電連接。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0033]根據(jù)一些本發(fā)明的實施例，裝置100還可包含至少一個阻抗部件(例如，一個或多個阻抗部件)，耦合于預定電壓電平A和另一預定電壓電平B之間，其中前述至少一個阻抗部件可用于調整在端子(例如，端子Tra)看到的頻率響應，且更特別地可用于調整在端子(例如，端子Tm)看到的阻抗。在實踐中，前述至少一個阻抗部件可包括電容器。例如，在這些實施例中的一個或多個實施例的裝置100中，前述至少一個阻抗部件還可包含電阻器，其中此電阻器和電容器串聯(lián)電連接，且此電阻器可用于執(zhí)行諧振抑制。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，這些實施例中的一個或多個其它實施例的裝置100還可包含切換單元(未示出于圖1)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tra)之間，其中此切換單元可用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過PMOSFET和NMOSFET中的M0SFET，例如，以上實施例中的PMOSFET PPU和NMOSFET NPU中的M0SFET。典型地，此切換單元和前述MOSFET串聯(lián)電連接，且此切換單元和電容器串聯(lián)電連接。更特別地，此切換單元可以是M0SFET，且可用于作為電阻器，例如，前述至少一個阻抗部件中的電阻器，且可用于執(zhí)行諧振抑制，其中此MOSFET可具有阻抗特性，例如，前述至少一個阻抗部件中的前述電阻器的阻抗特性。
[0034]根據(jù)一些本發(fā)明的實施例，裝置100還可包含預驅動器(未示出于圖1)，耦合到PMOSFET PPU,NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NPD。此外，預驅動器可用于根據(jù)預驅動器的多個輸入信號，生成多個控制信號。例如，多個控制信號可包括PMOSFET PI3U的柵極控制信號IN_PPU、NMOSFET NPU的柵極控制信號IN_NPU以及另一 NMOSFET NPD的柵極控制信號IN_NPD，其中PMOSFET PPU,NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NI3D的柵極控制信號(即，柵極控制信號IN_PPU、IN_NPU以及IN_NPD)不同時導通PMOSFET PPU、NMOSFET NPU以及另一NMOSFET NPD0此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，裝置100可包括集成電路(IC)(未示出于圖1)，且IC可包括兩個導線，用于分別導通預定電壓電平A和另一預定電壓電平B，其中前述至少一個阻抗部件耦合于兩個導線之間。此外，在這些實施例中的裝置100中，IC還可包含1/0模塊(未示出于圖1)，耦合于兩個導線之間，其中1/0模塊可包括顯示于圖1中的PMOSFET PPU、NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NPD，且更特別地，可包括顯示于圖1中的架構。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0036]根據(jù)一些本發(fā)明的實施例，以上提及的IC的架構可以修改。更特別地，這些實施例中的IC可包括兩個導線，例如，以上提及的那兩個導線，且還可包含功能模塊和至少一個阻抗部件(例如，以上提及的那個阻抗部件)，其中功能模塊耦合于兩個導線之間，且前述至少一個阻抗部件耦合于兩個導線之間。例如，兩個導線可用于分別導通預定電壓電平A(例如，以上提及的預定電壓電平VDD)和另一預定電壓電平B(例如，以上提及的接地電壓電平GND)。此外，功能模塊可用于執(zhí)行這些實施例中的IC的多個功能，其中兩個導線中的至少一個導線為功能模塊提供電力。此外，這些實施例的架構中的前述至少一個阻抗的至少一個部分(例如，部分或所有)可用于為這些實施例的IC執(zhí)行諧振抑制。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0037]圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅動的裝置200的示意圖。例如，端子Tm可以是一組存儲器1/0端(例如，以上提及的那些)中的一個，其中裝置200可位于具有此組存儲器1/0端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，端子Tra可以是另一類型的1/0端中的一個，其中裝置200可位于另一類型電路中。
[0038]如圖2所示，裝置200可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間，且還可包含前述匪OSFET NPD，耦合于另一預定電壓電平B和端子(例如，端子Tm)之間。與顯示于圖1中的架構相比，裝置200可包括多個電阻器RPU_P和RPU_N，其可作為前述至少一個電阻器的示例。例如，電阻器RPU_P耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tra)之間，且用于選擇性地調整驅動路徑上的電流，驅動路徑通過PMOSFET PI3U且用于在端子(例如，端子Tiq)選擇性地調整電壓電平，且電阻器RPU_P和PMOSFET PI3U串聯(lián)電連接。在另一示例中，電阻器RPU_N耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，且用于選擇性地調整驅動路徑上的電流，驅動路徑通過NMOSFET NPU且用于在端子(例如，端子Tiq)選擇性地調整電壓電平，且電阻器RPU_N*NMOSFET NPU串聯(lián)電連接。為了簡潔，本實施例的類似描述此處不詳細重復。
[0039]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅動的裝置300的示意圖。例如，端子Tm可以是一組存儲器1/0端(例如，以上提及的那些)中的一個，其中裝置300可位于具有此組存儲器1/0端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，端子Tra可以是另一類型的1/0端中的一個，其中裝置300可位于另一類型電路中。
[0040]如圖3所示，裝置300可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)，且還可包含前述NMOSFET NPD，耦合于另一預定電壓電平B和端子(例如，端子Tm)之間。與顯示于圖1中的架構相比，裝置300可包括多個切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩，圖3的右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET ( S卩，圖3的左上角所示的M0SFET)，其可為前述至少一個切換單元的示例。舉例而言，多個切換單元中的一個切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩，圖3的右上角所示的M0SFET)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間，且用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過PMOSFET PPU，且此切換單元和PMOSFET PI3U串聯(lián)電連接。在另一示例中，多個切換單元中的另一切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET ( S卩，圖3的左上角所示的M0SFET)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，且用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過NMOSFET NPU，且此切換單元和NMOSFET NPU串聯(lián)電連接。為了簡潔，本實施例的類似描述此處不詳細重復。
[0041]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅動的裝置400的示意圖。例如，端子Tm可以是一組存儲器I/O端(例如，以上提及的那些)中的一個，其中裝置400可位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，端子Tra可以是另一類型的I/O端中的一個，其中裝置400可位于另一類型電路中。
[0042]如圖4所示，裝置400可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間，且還可包含前述匪OSFET NPD，耦合于另一預定電壓電平B和端子(例如，端子Tm)之間。此外，裝置400還可包含以上提及的多個電阻器RPU_P* RPU_N。與顯示于圖2中的架構相比，裝置400可包括多個切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩，圖4中右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的M0SFET( g卩，圖4中左上角所示的M0SFET)，其可作為前述至少一個切換單元的示例。舉例而言，多個切換單元中的一個切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩，圖4中右上角所示的M0SFET)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間，且用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過PMOSFET PPU，且此切換單元和PMOSFET PI3U電連接的串聯(lián)。在另一示例中，多個切換單元中的另一切換單元，例如，由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET ( S卩，圖4中左上角所示的M0SFET)，耦合于預定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，且用于選擇性地使能驅動路徑，驅動路徑通過NMOSFETNPU，且此切換單元和NMOSFET NPU電連接的串聯(lián)。為了簡潔，本實施例的類似描述此處不詳細重復。
[0043]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅動的裝置500的示意圖。例如，端子Tm可以是一組存儲器1/0端(例如，以上提及的那些)中的一個，其中裝置500可位于具有此組存儲器1/0端的存儲器控制電路中。此僅僅是