欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

借助于mosfet執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置和集成電路的制作方法_4

文檔序號:8924919閱讀:來源:國知局
為“C”),耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間。請注意,電阻器1010和電容器1020可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述至少一個阻抗部件的示例。在實(shí)踐中,裝置1000可使用電阻器1010以增強(qiáng)顯示于圖10中的架構(gòu)中的R-L-C特性。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0055]圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置1100的示意圖。例如,端子Tm可以是一組存儲器I/O端(例如,以上提及的那些)中的一個,其中裝置1100可位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,端子Tm可以是另一類型的I/O端中的一個,其中裝置1100可位于另一類型電路中。
[0056]如圖11所示,裝置1100可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含前述NMOSFET NPD,耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tra)之間,且還可包含在圖3中示出的實(shí)施例中提及的多個切換單元,例如,由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩,圖3的右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET (即,圖3的左上角所示的M0SFET)。與顯示于圖3中的架構(gòu)相比,裝置1100還可包含電阻器1110(為了簡潔,在圖11中標(biāo)示為“R”)和電容器1120(為了簡潔,在圖11中標(biāo)示為“C”),耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間。請注意,電阻器1110和電容器1120可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述至少一個阻抗部件的示例。在實(shí)踐中,裝置1100可使用電阻器1110以增強(qiáng)顯示于圖11中的架構(gòu)中的R-L-C特性。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0057]圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置1200的示意圖。例如,端子Tm可以是一組存儲器I/O端(例如,以上提及的那些)中的一個,其中裝置1200可位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,端子Tm可以是另一類型的I/O端中的一個,其中裝置1200可位于另一類型電路中。
[0058]如圖12所示,裝置1200可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含前述NMOSFET NPD,耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含以上提及的多個電阻器RPU_P*RPU_N,以及還包含在圖4中示出的實(shí)施例中提及的多個切換單元,例如,由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩,圖4的右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET (即,圖4左上角所示的M0SFET)。與顯示于圖4中的架構(gòu)相比,裝置1200還可包含電阻器1210(為了簡潔,在圖12中標(biāo)示為“R”)和電容器1220(為了簡潔,在圖12中標(biāo)示為“C”),耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tra)之間。請注意,電阻器1210和電容器1220可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述至少一個阻抗部件的示例。在實(shí)踐中,裝置1200可使用電阻器1210以增強(qiáng)顯示于圖12中的架構(gòu)的R-L-C特性。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0059]圖13是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置1300的示意圖。例如,端子Tm可以是一組存儲器I/O端(例如,以上提及的那些)中的一個,其中裝置1300可位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,端子Tm可以是另一類型的I/O端中的一個,其中裝置1300可位于另一類型電路中。
[0060]如圖13所示,裝置1300可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含前述NMOSFET NPD,耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tra)之間,且還可包含在圖3示出的實(shí)施例中提及的多個切換單元,例如,由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩,圖3的右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET (即,圖3的左上角所示的M0SFET)。與顯示于圖3中的架構(gòu)相比,裝置1300還可包含多個電容器1310和1320(為了簡潔,在圖13中分別標(biāo)示為“C”),耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tm)之間。請注意,多個電容器1310和1320可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述至少一個阻抗部件的示例。此外,本實(shí)施例的多個切換單元中的任何切換單元可作為用于作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的電阻器的切換單元的示例。在實(shí)踐中,裝置1300可使用本實(shí)施例的多個切換單元以增強(qiáng)顯示于圖13中的架構(gòu)的R-L-C特性。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0061]圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置1400的示意圖。例如,端子Tm可以是一組存儲器I/O端(例如,以上提及的那些)中的一個,其中裝置1400可位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,端子Tm可以是另一類型的I/O端中的一個,其中裝置1400可位于另一類型電路中。
[0062]如圖14所示,裝置1400可包括前述PMOSFET PPU和前述NMOSFET NPU,耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含前述NMOSFET NPD,耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tiq)之間,且還可包含多個以上提及的電阻器RPU_P*RPU_N,以及還包含在圖4中示出的實(shí)施例中提及的多個切換單元,例如,由柵極控制信號ENB_PPU控制的MOSFET ( S卩,圖4的右上角所示的M0SFET)以及由柵極控制信號ENB_NPU控制的MOSFET (即,圖4左上角所示的M0SFET)。與顯示于圖4中的架構(gòu)相比,裝置1400還可包含多個電容器1410和1420(為了簡潔,在圖14中分別標(biāo)示為“C”),耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如,端子Tiq)之間。請注意,多個電容器1410和1420可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述至少一個阻抗部件的示例。此外,本實(shí)施例的多個切換單元中的任何切換單元可作為用于作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的電阻器的切換單元的示例。在實(shí)踐中,裝置1400可使用本實(shí)施例的多個切換單元以增強(qiáng)顯示于圖14中的架構(gòu)的R-L-C特性。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0063]圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動的裝置1500的示意圖,其中此裝置1500可包括IC 1510。根據(jù)本實(shí)施例,IC 1510可包括I/O模塊1512 (為了簡潔,在圖15中標(biāo)示為“10”,可作為顯示于圖1中的實(shí)施例和顯示于圖2中的實(shí)施例描述的一些實(shí)施例的前述I/O模塊的示例,且還可包含電阻器1514(為了簡潔,在圖15中標(biāo)示為“R”)和電容器1516(為了簡潔,在圖15中標(biāo)示為“C”),其可作為那些實(shí)施例中前述至少一個阻抗部件的示例。例如,I/O模塊1512可包括顯示于圖1中的M0SFET(例如,PMOSFET PPU, NMOSFET NPU 和另一 NMOSFET NPD)的多個副本(copy)以及對應(yīng)端{(lán)TIQ},且更特別地,可包括分別顯示于圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7和圖8中的任何架構(gòu)的至少一個副本(例如,一個或多個副本)。例如,對應(yīng)端{(lán)Τια}中的端子可以是一組存儲器I/O端中的一個,例如,以上提及的1/0端中的一個,其中1/0模塊1512可包括具有此組存儲器1/0端的存儲器控制電路。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,對應(yīng)端IT1J中的端子可以是另一類型的1/0端的一個,其中1/0模塊1512可包括另一類型的電路。
[0064]例如,IC 1510可以是芯片上系統(tǒng)(S0C或SoC)架構(gòu)中的的半導(dǎo)體芯片,且因此,為了更好地理解,IC 1510可以標(biāo)示為“S0C”,且IC 1510的內(nèi)部電連接(例如,在本實(shí)施例中用于分別導(dǎo)通預(yù)定電壓電平A和另一預(yù)定電壓電平B的前述兩個導(dǎo)線,以及一些1/0模塊1512、電阻器1514、電容器1516和兩個導(dǎo)線之間的電連接)可以用SOC金屬圖示。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,IC 1510可以是一個另一類型架構(gòu)中的芯片。如圖15所示,裝置1500可包括封裝件1500P,用于封裝IC 1510,其中封裝件1500P可包括耦合到IC 1510的多個端1520A、1520B和1530。更特別地,端1530可以耦合到IC 1510的對應(yīng)端{(lán)TIQ}。為了更好地理解,以球狀矩形陣列(Ball Grid Array,BGA)技術(shù)實(shí)施的封裝件可作為封裝件1500P的示例,且因此,例如,端1520A、1520B和1530可用IC 1510之間的球和電連接來圖示,且端1520A、1520B和1530可以用封裝件跡線來圖示。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中,封裝件1500P可以用另一類型的技術(shù)來實(shí)施,例如,四方扁平封裝件(Quad Flat Package, QFP)技術(shù)、雙列直插封裝件(Dual In-line Package,DIP)技術(shù)、引腳網(wǎng)格陣列(Pin Grid Array,PGA)技術(shù)等。
[0065]在實(shí)踐中,封裝件1500P可以安裝于以上提及的電子裝置的印刷電路板(PCB)上。例如,PCB可包括多個PCB跡線(trace),其中多個PCB跡線中的PCB跡線可用于傳導(dǎo)預(yù)定電壓電平VDD(例如,以上提及的預(yù)定電壓電平VDD)到封裝件1500P的端1520A,以及多個PCB跡線中的另一 PCB跡線可用于導(dǎo)通接地電壓電平GND(例如,以上提及的接地電壓電平GND)到封裝件1500P的端1520B。其結(jié)果是,本實(shí)施例的預(yù)定電壓電平A可等效于預(yù)定電壓電平VDD,以及本實(shí)施例的另一預(yù)定電壓電平B可等效于接地電壓電平GND。此外,PCB還可包含電容器1540(為了簡潔,在圖15中標(biāo)示為“C”),耦合于本實(shí)施例的預(yù)定電壓電平VDD和接地電壓電平GND之間。此僅僅是用于說明性的目的,且并非作為本發(fā)明的限制。根據(jù)一些本發(fā)明的實(shí)施例,不必要實(shí)施電容器1540。為了簡潔,本實(shí)施例的類似描述此處不詳細(xì)重復(fù)。
[0066]圖16是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的能夠執(zhí)行諧振抑制的裝置1600的示意圖,其中此裝置16
當(dāng)前第4頁1 2 3 4 5 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
枣强县| 绥德县| 沙河市| 沁阳市| 郓城县| 怀远县| 方城县| 澄迈县| 嘉荫县| 鄂州市| 郴州市| 嘉义县| 荔浦县| 凉城县| 淳安县| 乌恰县| 京山县| 祁门县| 清河县| 慈利县| 宁津县| 苏州市| 沾化县| 伊春市| 凤台县| 久治县| 兴国县| 台南县| 内江市| 光泽县| 宜州市| 城口县| 新津县| 卢龙县| 镇康县| 鲁甸县| 澄城县| 长白| 临西县| 东莞市| 莎车县|