，優(yōu)選以收容于發(fā)光單元5的上面的內(nèi)側(cè)進行圖案形成。
[0076]其次，在中間電極8之上形成發(fā)光單元6。在之后的工序中，以從層疊方向看時使中間電極8的一部分露出的方式將發(fā)光單元6進行圖案形成，以使得中間電極8可以在發(fā)光單元5之上與第一取出配線11連接。
[0077]其次，在發(fā)光單元6之上形成第二電極3。具體而言，以第二電極3不與第一電極2、中間電極7、8電連接的方式將第二電極3進行圖案形成。另外，在從第一電極2側(cè)取出發(fā)光光的情況下，由于第二電極3也可以不具有透光性，所以可以確保充分的膜厚。因此，不需要考慮臺階高差引起的斷線、高電阻化，可以以第二電極3的端部與第二取出配線15直接連接的方式進行圖案形成。予以說明，與中間電極7、8相同，也可以另外形成第一取出配線、經(jīng)由該第一取出配線而將第二電極3和第二取出配線15連接。
[0078]其次，以與第一電極2和第二取出配線12接觸的方式將輔助配線9進行圖案形成。由此，將第一電極2和第二取出配線12電連接。此時，為防止電短路，需要以不與第二電極3、中間電極7、8或第二取出配線13?15電連接的方式將輔助配線9進行圖案形成。
[0079]其次，以與中間電極7的露出部71和第二取出配線13接觸的方式將第一取出配線10進行圖案形成。由此，將中間電極7和第二取出配線13電連接。此時，為防止電短路，需要以不與第一電極2、第二電極3、中間電極8、輔助配線9或第二取出配線12、14、15電連接的方式將第一取出配線10進行圖案形成。
[0080]其次，以與中間電極8的露出部81和第二取出配線14接觸的方式將第一取出配線11進行圖案形成。由此，將中間電極8和第二取出配線14電連接。此時，為防止電短路，需要以不與第一電極2、第二電極3、中間電極7、輔助配線9、第一取出配線10、第二取出配線12、13、15電連接的方式將第一取出配線11進行圖案形成。
[0081]在此，也可以分別形成輔助配線9及第一取出配線10、11，但例如也可以通過掩模構(gòu)圖等同時進行圖案形成，進而還可以將第二電極3同時進行圖案形成。通過這樣，可以減少成膜次數(shù)、可以進行成膜室的削減及蒸鍍掩模的削減等。
[0082]另外，在第二電極3和輔助配線9及第一取出配線10、11通過真空蒸鍍法同時進行圖案形成的情況下，可以使用現(xiàn)有的制造裝置來制造有機EL元件100。
[0083]予以說明，就有機EL元件100的各構(gòu)成層而言，可以通過后述的方法分別形成，但在通過真空蒸鍍法形成各構(gòu)成層的情況下，使用現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置生產(chǎn)線可容易地進行有機EL元件100的制造。另外，即使在通過涂布法形成各構(gòu)成層中的一部分的情況下，如果進行該構(gòu)成層的成膜壓力的調(diào)整，可同樣地制造有機EL元件100。
[0084]這樣，可以制造具有以下的中間電極的層疊型的有機EL元件100:該中間電極具有為了將來自各發(fā)光層的光高效地取出到外部的充分的透射性、且不伴隨電阻上升、斷線而與外部電源良好地連接。
[0085]以下說明用于構(gòu)成上述的有機EL元件100的主要各層的詳細情況和其制造方法。
[0086]《基板》
[0087]作為可以在本發(fā)明的有機EL元件100中使用的基板I，有玻璃、塑料等，沒有特別限定，另外，可以透明也可以不透明。在圖示例中，為從基板I側(cè)取出光，基板I為透明。作為優(yōu)選使用的透明的基板1，可以舉出玻璃、石英、透明樹脂膜等。特別優(yōu)選的是，為可以賦予有機EL元件100撓性的樹脂膜。
[0088]作為基板I的厚度，沒有特別限制，可以是任意的厚度。
[0089]作為樹脂膜，例如可舉出:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯、聚乙烯、聚丙烯、玻璃紙、纖維素二醋酸酯、三乙?；w維素(TAC)、乙酸丁酸纖維素、醋酸丙酸纖維素(CAP)、苯二甲酸醋酸纖維素、硝酸纖維素等纖維素酯類或它們的衍生物、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇、間規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯、聚碳酸酯、降冰片烯樹月旨、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚酰亞胺、聚醚砜(PES)、聚苯硫醚、聚砜類、聚醚酰亞胺、聚醚酮酰亞胺、聚酰胺、氟樹脂、尼龍、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸類或聚芳酯類、7 —卜 > (商品名JSR社制)或7<少(商品名三井化學社制)這樣的環(huán)烯烴系樹脂等。
[0090]在樹脂膜的表面，也可以形成無機物或有機物或由兩者構(gòu)成的氣體阻隔膜。作為這樣的氣體阻隔膜，例如優(yōu)選為通過以JIS K 7129-1992為基準的方法測定了的、水蒸氣透過度(25 + 0.5°C、相對濕度(90 + 2) % RH)為0.0lg/(m2.24h)以下的氣體阻隔性膜，更優(yōu)選為通過以JIS K 7126-1987為基準的方法測定了的氧透過度為I X 10 3ml/(m2 *24h Mtm)以下、水蒸氣透過度為1X10 5g/(m2.24h)以下的高氣體阻隔性膜。
[0091]作為形成氣體阻隔膜的材料，只要是具有抑制水分、氧等的導致元件的劣化的物質(zhì)的浸入的功能的材料即可，例如可以使用氧化硅、二氧化硅、氮化硅等。另外，為改良該膜的脆弱性，更優(yōu)選具有這些無機層和由有機材料構(gòu)成層的層疊構(gòu)造。對無機層和有機層的層疊順序沒有特別限制，但優(yōu)選將兩者交互層疊多次。
[0092]對于氣體阻隔膜的形成方法沒有特別限定，例如可以使用真空蒸鍍法、濺射法、反應性濺射法、分子線外延法、團簇離子束法、離子鍍法、等離子聚合法、大氣壓等離子聚合法、等離子CVD法、激光CVD法、熱CVD法、涂覆法等，特別優(yōu)選特開2004-68143號公報所記載的大氣壓等離子聚合法。
[0093]作為不透明的支承基板，例如可舉出鋁、不銹鋼等的金屬板、不透明樹脂基板、陶瓷制基板等。
[0094]《第一電極》
[0095]第一電極2可以使用通?？稍谟袡CEL元件中使用的所有的電極。具體而言，可以舉出招、銀、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、銦、鋰/鋁混合物、稀土金屬、ITO, ZnO, SnO2、摻雜了鋁的1102等的氧化物半導體等。
[0096]本發(fā)明中，第一電極2優(yōu)選為透明電極，更優(yōu)選為透明金屬電極。予以說明，第一電極2的透明是指波長550nm下的光透射率為50%以上。
[0097]作為第一電極2的形成方法，例如可適宜使用公知的旋涂法、蒸鍍法、濺射法等，作為其構(gòu)圖方法，例如可以根據(jù)情況使用公知的利用光刻法的構(gòu)圖、利用圖案掩模的構(gòu)圖等。在從第一電極2取出發(fā)光光的情況下，優(yōu)選使透射率大于10%，另外作為第一電極2的薄層電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω / □以下。
[0098]進而，第一電極2的膜厚也取決于材料，但通常在10?lOOOnm、優(yōu)選為10?200nm
的范圍選擇。
[0099]第一電極2也可以形成為由形成于基板I上的基底層、和形成于其上的電極層構(gòu)成的2層構(gòu)造。其中，電極層例如可以使用用銀或以銀為主成分的合金構(gòu)成了的層，基底層例如可以使用用含有氮原子的化合物構(gòu)成了的層。予以說明，在電極層中主成分是指電極層中的含量為98質(zhì)量％以上。
[0100]《第二電極》
[0101]第二電極3是作為對發(fā)光單元4?6供給電子的陰極而發(fā)揮功能的電極膜，使用金屬、合金、有機或無機的導電性化合物、及它們的混合物。具體而言，可舉出鋁、銀、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、銦、鋰/鋁混合物、稀土類金屬、ΙΤ0, ZnO, T12, 31102等的氧化物半導體等。作為第二電極3的材料，從處理性等的觀點出發(fā)，優(yōu)選鋁或銀。
[0102]作為第二電極3的形成方法，可以使用真空下的利用電阻加熱的蒸鍍法、濺射法、EB (Electron Beam)蒸鍍法等的公知的方法，但在大量生產(chǎn)有機EL元件100的情況下，從連續(xù)生產(chǎn)率的觀點出發(fā)，優(yōu)選濺射法或EB蒸鍍法。另外，作為第二電極3的薄層電阻，優(yōu)選數(shù)百Ω/□以下。另外，第二電極3的膜厚也取決于材料，但優(yōu)選在100?300nm的范圍內(nèi)選擇。如果膜厚為300nm以下，則第二電極3的形成時間可以縮短，同時能夠抑制膜應力的產(chǎn)生、更可靠地防止剝離。
[0103]予以說明，如果有機EL元件100為也從第二電極3側(cè)取出發(fā)光光的構(gòu)成的情況下，可選擇上述的導電性材料中的光透射性良好的導電性材料來構(gòu)成第二電極3。
[0104]《發(fā)光單元》
[0105]就發(fā)光單元4?6而言，除了至少具備直接參