與發(fā)光的發(fā)光層外，例如還具備載流子(空穴及電子)的注入層、阻擋層及傳輸層等的各種有機(jī)層。另外，就各發(fā)光單元4?6的厚度而言，從光取出性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選對(duì)于一個(gè)發(fā)光單元在80?200nm的范圍內(nèi)形成。通過(guò)將各發(fā)光單元4?6的厚度設(shè)為SOnm以上，能夠更可靠地抑制泄漏，同時(shí)能夠使耐久性提尚，通過(guò)設(shè)為200nm以下，可以抑制驅(qū)動(dòng)電壓的提尚。
[0106]在以下示出發(fā)光單元4?6的優(yōu)選的層疊例，但只要含有發(fā)光層，就不特別限定于以下的例子。例如，發(fā)光單元4?6也可以為僅發(fā)光層的單層構(gòu)造。予以說(shuō)明的是，在以下的(I)?(7)中，通常將之前所記載了的層設(shè)于第一電極2側(cè)，以下，按記載的順序?qū)盈B于第二電極3側(cè)。另外，各發(fā)光單元4?6也可以具有相互不同的層構(gòu)成。
[0107](I)發(fā)光層/電子傳輸層
[0108](2)空穴傳輸層/發(fā)光層
[0109](3)空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層
[0110](4)空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層
[0111](5)空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層(陰極緩沖層)
[0112](6)空穴注入層(陽(yáng)極緩沖層)/空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層
[0113](7)空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層
[0114]作為這些各有機(jī)層的形成方法，可使用真空下的利用電阻加熱的蒸鍍法、旋涂法、噴墨的涂布法等公知的方法。
[0115]在以下對(duì)于這些各有機(jī)層進(jìn)行說(shuō)明，但各種有機(jī)層的具體的材料等可以應(yīng)用公知的材料等，所以省略其說(shuō)明。
[0116](I)發(fā)光層
[0117]發(fā)光層是通過(guò)從第一電極2直接或經(jīng)由空穴傳輸層等而注入的空穴、和從第二電極3直接或經(jīng)由電子傳輸層等而注入的電子復(fù)合而進(jìn)行發(fā)光的層。予以說(shuō)明，進(jìn)行發(fā)光的部分可以是發(fā)光層的內(nèi)部，也可以是發(fā)光層和與其相鄰的層之間的界面。另外，就發(fā)光層而言，也可以相對(duì)于一個(gè)發(fā)光單元設(shè)置多層。
[0118]發(fā)光層也可以由含有主體化合物(主體材料)、和發(fā)光材料(發(fā)光摻雜劑)的有機(jī)發(fā)光性材料形成。通過(guò)這樣構(gòu)成發(fā)光層，通過(guò)適宜調(diào)整發(fā)光材料的發(fā)光波長(zhǎng)、所含有的發(fā)光材料的種類(lèi)等，可以得到任意的發(fā)光色。本發(fā)明中，優(yōu)選發(fā)光單元4?6的各發(fā)光層中的至少一個(gè)為不同的發(fā)光色。
[0119]發(fā)光層的層厚的總和例如可根據(jù)所期望的發(fā)光特性等適宜設(shè)定。例如，從發(fā)光層的均質(zhì)性、防止發(fā)光時(shí)的不必要高電壓的施加、及發(fā)光色相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電流的穩(wěn)定性提高等的觀點(diǎn)出發(fā)，發(fā)光層的層厚的總和優(yōu)選設(shè)為I?200nm。特別是從低驅(qū)動(dòng)電壓的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選發(fā)光層的層厚的總和設(shè)為30nm以下。
[0120]作為發(fā)光層中所含的主體化合物，優(yōu)選作為室溫(25°C )下的磷光發(fā)光的磷光量子收率為0.1以下的化合物，更優(yōu)選0.01以下的化合物。另外，就發(fā)光層中的主體化合物的體積比而言，優(yōu)選設(shè)為發(fā)光層中所含的各種化合物中的50 %以上。
[0121]作為發(fā)光層中所含的發(fā)光材料，例如可使用磷光發(fā)光材料(磷光性化合物、磷光發(fā)光性化合物)、熒光發(fā)光材料等。予以說(shuō)明，在一個(gè)發(fā)光層中可以含有一種發(fā)光材料，也可以含有發(fā)光極大波長(zhǎng)相互不同的多種發(fā)光材料。通過(guò)使用多種發(fā)光材料，可以使發(fā)光波長(zhǎng)不同的多種光混合而發(fā)光，由此可以得到任意發(fā)光色的光。例如，通過(guò)使發(fā)光層含有藍(lán)色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料及紅色發(fā)光材料(三種發(fā)光材料)，可以得到白色光。
[0122](2)注入層(空穴注入層、電子注入層)
[0123]注入層為用于實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低、發(fā)光亮度的提高的層。注入層通常設(shè)于電極及發(fā)光層之間。注入層大體分為注入空穴(載流子)的空穴注入層(陽(yáng)極緩沖層)、和注入電子(載流子)的電子注入層(陰極緩沖層)?？昭ㄗ⑷雽颖辉O(shè)于第一電極2和發(fā)光層或空穴傳輸層之間。另外，電子注入層設(shè)于第二電極3和發(fā)光層或電子傳輸層之間。
[0124](3)阻擋層(空穴阻擋層、電子阻擋層)
[0125]阻擋層是用于阻擋載流子(空穴、電子)的傳輸?shù)膶印Ｗ钃鯇哟篌w分為阻擋空穴(載流子)的傳輸?shù)目昭ㄗ钃鯇?、和阻擋電?載流子)的傳輸?shù)碾娮幼钃鯇印?br>[0126]空穴阻擋層廣義上為具有后述的電子傳輸層的功能(電子傳輸功能)的層?？昭ㄗ钃鯇佑删哂须娮觽鬏敼δ?、且空穴的傳輸能力小的材料形成。通過(guò)設(shè)置這樣的空穴阻擋層，可以使空穴及電子間對(duì)于發(fā)光層的注入平衡適合。另外，由此，可以使電子和空穴的復(fù)合概率提尚。
[0127]予以說(shuō)明，作為空穴阻擋層，可以根據(jù)需要同樣應(yīng)用后述的電子傳輸層的構(gòu)成。進(jìn)而，在設(shè)置空穴阻擋層的情況下，優(yōu)選空穴阻擋層與發(fā)光層鄰接而設(shè)置。
[0128]另一方面，電子阻擋層廣義上為具有后述的空穴傳輸層的功能(空穴傳輸功能)的層。電子阻擋層由具有空穴傳輸功能、且電子的傳輸能力小的材料形成。通過(guò)設(shè)置這樣的電子阻擋層，可以使空穴及電子間相對(duì)于發(fā)光層的注入平衡適合。另外，由此可以使電子和空穴的復(fù)合概率提尚。
[0129]予以說(shuō)明，作為電子阻擋層，可以根據(jù)需要同樣應(yīng)用后述的空穴傳輸層的構(gòu)成。
[0130]阻擋層的層厚沒(méi)有特別限制，但優(yōu)選為3nm以上，更優(yōu)選為5nm以上，另外，優(yōu)選為10nm以下，更優(yōu)選為30nm以下。
[0131](4)傳輸層(空穴傳輸層、電子傳輸層)
[0132]傳輸層是傳輸載流子(空穴及電子)的層。傳輸層大體分為傳輸空穴(載流子)的空穴傳輸層、和傳輸電子(載流子)的電子傳輸層。
[0133]空穴傳輸層是向發(fā)光層傳輸(注入)從第一電極2供給了的空穴的層?？昭▊鬏攲颖辉O(shè)于第一電極2或空穴注入層和發(fā)光層之間。另外，空穴傳輸層也可以作為阻擋電子從第二電極3側(cè)的流入的障礙而發(fā)揮功能。因此，空穴傳輸層這樣的用語(yǔ)在廣義上也有時(shí)以含有空穴注入層及/或電子阻擋層的意思來(lái)使用。予以說(shuō)明，空穴傳輸層可以?xún)H設(shè)置I層，也可以設(shè)置多層。
[0134]電子傳輸層是向發(fā)光層傳輸(注入)從第二電極3供給了的電子的層。電子傳輸層被設(shè)于第二電極3或電子注入層和發(fā)光層之間。另外，電子傳輸層也作為阻擋空穴從第一電極2流入的障礙而發(fā)揮功能。因此，電子傳輸層這樣的用語(yǔ)在廣義上也有時(shí)以包含電子注入層及/或空穴阻擋層的意思來(lái)使用。予以說(shuō)明，電子傳輸層可以?xún)H設(shè)置I層，也可以設(shè)置多層。
[0135]在單層構(gòu)造或?qū)盈B構(gòu)造的電子傳輸層中，作為構(gòu)成設(shè)于發(fā)光層側(cè)的電子傳輸層的電子傳輸材料(兼做空穴阻擋材料)，只要具有向發(fā)光層傳遞(傳輸)從第一電極2注入了的電子的功能即可，沒(méi)有特別限制。
[0136]《中間電極》
[0137]就中間電極7、8而言，從尋求導(dǎo)電性和透光性出發(fā)，期望優(yōu)選使用含有鋁、銀、鎂、鋰或鈣等的金屬薄膜、具體而言20nm以下的薄膜，但也可以使用含有氟化鋰、氟化銫等的金屬化合物的薄膜。
[0138]作為中間電極7、8的形成方法，可使用真空下的利用電阻加熱的蒸鍍法、濺射法、EB蒸鍍法等的公知的方法。特別是，就中間電極7、8而言，由于形成于發(fā)光單元4、5之上，因此為了可靠地降低形成中間電極7、8時(shí)的對(duì)該發(fā)光單元4、5的損傷，優(yōu)選利用電阻加熱的蒸鍍法。
[0139]另外，中間電極7、8的膜厚也取決于材料，在I?30nm的范圍選擇。本發(fā)明中，在中間電極7、8形成露出部71、81，該露出部71、81經(jīng)由第一取出配線10、11而連接于外部電源，因此不需要考慮斷線、高電阻化而厚地形成中間電極7、8。因此，本發(fā)明中，可以不伴隨中間電極7、8的斷線、高電阻化而將其膜厚設(shè)定為20nm以下的厚度，由此，可以得到良好的透光性。
[0140]《第一取出配線及輔助配線》
[0141]作為第一取出配線10、11，為了使電連接良好而需要使用低電阻的材料，例如可以使用Α1、Μο/Α1/Μο的層疊構(gòu)造的材料，但不特別限定于此。另外，作為第一取出配線10、11的材料，可以使用與上述的第二電極3相同的材料。
[0142]作為第一取出配線10、11的形成方法，可以使用真空下的利用電阻加熱的蒸鍍法、濺射法、EB蒸鍍法等的公知的方法。
[0143]另外，第一取出配線10、11的膜厚沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選在50?300nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在100?300nm的范圍內(nèi)。在此，第一取出配線10、11的膜厚是指元件的層疊方向上的膜厚，優(yōu)選將第一取出配線10、11的最薄的部分的厚度及最厚的部分的厚度分別設(shè)定在