)寬度：10皿，蝕刻時間：48秒左右
[0264] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本 垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的 電路中的傾斜角的最小值）。
[0265] 另外，考查蝕刻因子及儀-鋼-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼）。W上的結(jié)果如表1所 /J、- O
[0266] 如表1所示，左右的傾斜角的平均值為63度，形成大致矩形的銅錐電路。蝕刻因子 對于30]im間距而言為2.0。
[0267] 結(jié)果，得到可W使用的蝕刻電路。另外，儀-鋼-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼)完全 沒有觀察到。運被認(rèn)為是，通過銅錐上的儀-鋼-鋒合金鍛層，可W防止由與樹脂膠粘的工序 中的加熱引起的氧化變色。
[0268] 另外，由于該合金中鋒的存在，與實施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。另外，鋼的 添加量W儀換算如果為儀量(重量％)的10% W下，則可W得到同樣的效果。
[0269] (實施例6)
[0270] 在本實施例6中，使用9WI1的壓延銅錐。在上述鍛儀-鶴-鋒合金條件下，在該壓延銅 錐的面上形成儀-鶴-鋒合金鍛層。
[0271] 如表1所示，該儀-鶴-鋒合金鍛層中的儀含量為92化g/血2，鋒含量為55化g/血2。
[0272] 此時，鶴代替量W儀換算為儀量(重量％)的6%。儀比率為63重量％。另外，該儀比 率為鶴與儀的合計量的儀換算量。
[0273] 將設(shè)置有該儀-鶴-鋒合金鍛層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板 上。
[0274] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0275] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0276] (30皿間距電路形成）
[0277] 抗蝕劑L/S = 25皿/5皿，成品電路頂部(上部)寬度：10皿，蝕刻時間：76秒左右
[0278] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本 垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的 電路中的傾斜角的最小值）。
[0279] 另外，考查蝕刻因子及儀-鶴-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼）。W上的結(jié)果如表1所 /J、- O
[0280] 如表1所示，左右的傾斜角的平均值為72度，形成大致矩形的銅錐電路。蝕刻因子 對于30]im間距而言為3.0。
[0281] 結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，儀-鶴-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼)完全沒有 觀察到。運被認(rèn)為是，通過銅錐上的儀-鶴-鋒合金鍛層，可W防止由與樹脂膠粘的工序中的 加熱引起的氧化變色。
[0282] 另外，由于該合金中鋒的存在，與實施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。
[0283] 另外，上述實施例中，實施軟蝕刻，并觀察鍛敷殘渣，但是，由于Ni的合計量在適當(dāng) 的范圍內(nèi)，因此均未發(fā)現(xiàn)殘渣，得到良好的結(jié)果。另外，鶴的添加量W儀換算如果為儀量(重 量％)的10% W下，則可W得到同樣的效果。
[0284] (實施例7)
[0285] 在本實施例7中，使用1祉m的壓延銅錐。在上述鍛儀-棚-鋒合金條件下，在該壓延 銅錐的面上形成儀-棚-鋒合金鍛層。
[0286] 如表1所示，該儀-棚-鋒合金鍛層中的儀含量為80化g/dm2,鋒含量為20化g/血2。此 時，棚代替量W儀換算為儀量(重量％)的4%。儀比率為80重量％。另外，該儀比率為棚與儀 的合計量的儀換算量。將設(shè)置有該儀-棚-鋒合金鍛層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅錐膠 粘在樹脂基板上。
[0287] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0288] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0289] (50皿間距電路形成）
[0巧0] 抗蝕劑L/S = 33皿/17皿，成品電路頂部(上部)寬度：15皿，蝕刻時間：105秒左右
[0291] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本 垂直地進(jìn)行蝕刻，形成矩形的銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的 電路中的傾斜角的最小值）。
[0292] 另外，考查蝕刻因子及儀-棚-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼）。W上的結(jié)果如表1所 /J、- O
[0293] 如表1所示，左右的傾斜角的平均值為72度，形成大致矩形的銅錐電路。蝕刻因子 對于50皿間距而言為3.1。
[0294] 結(jié)果，得到良好的蝕刻電路。另外，儀-棚-鋒合金鍛面的氧化變色(燒灼)完全沒有 觀察到。運被認(rèn)為是，通過銅錐上的儀-棚-鋒合金鍛層，可W防止由與樹脂膠粘的工序中的 加熱引起的氧化變色。
[02%]另外，由于該合金中鋒的存在，與實施例1同樣地，蝕刻因子沒有變差。
[0296]另外，上述實施例中，實施軟蝕刻，并觀察鍛敷殘渣，但是，由于Ni的合計量在適當(dāng) 的范圍內(nèi)，因此均未發(fā)現(xiàn)殘渣，得到良好的結(jié)果。另外，棚的添加量W儀換算如果為儀量(重 量％)的5% W下，則可W得到同樣的效果。
[0巧7](比較例I)
[0298] 使用9mi的壓延銅錐。在上述的條件下實施鍛儀。該壓延銅錐的表面粗糖度Rz為 0.5皿。在該壓延銅錐上，如表1所示，不實施鍛鋒，而在上述鍛儀條件下形成55化g/dm 2的儀 鍛層。另外，將設(shè)置有該儀鍛層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板上。
[0299] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0300] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0301] (30皿間距電路形成）
[0302] 抗蝕劑L/S = 25皿/5皿，成品電路頂部(上部)寬度：10皿，蝕刻時間：76秒左右
[0303] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)，基本 垂直地進(jìn)行蝕刻，但是稍微末端變寬地形成銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度 (為長IOOMi的電路中的傾斜角的最小值）。
[0304] 另外，考查蝕刻因子及儀鍛面的氧化變色(燒灼）。W上的結(jié)果如表1所示。
[0305] 如表1所示，左右的傾斜角的平均值為68度，形成大致矩形的銅錐電路。蝕刻因子 對于30]11]1間距而言為2.5。
[0306] 結(jié)果，得到稍微良好的蝕刻電路。但是明顯觀察到儀鍛面的氧化變色(燒灼）。其可 能成為作為后續(xù)的處理的、圖案蝕刻中的蝕刻性不良、短路或電路寬度不良產(chǎn)生的原因。
[0307] (比較例2)
[0308] 使用18WI1的壓延銅錐。該壓延銅錐的表面粗糖度Rz為0.7WI1。在該壓延銅錐上，如 表1所示，形成27化g/dm 2的鋒鍛層。不形成儀鍛層，將形成有該鋒鍛層的面的相反側(cè)作為膠 粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板上。
[0309] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0310] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0311] (50皿間距電路形成）
[0312] 抗蝕劑L/S = 33皿/17皿，成品電路頂部(上部)寬度：15皿，蝕刻時間：105秒左右
[0313] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行 蝕刻，但是末端變寬地形成銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的電 路中的傾斜角的最小值）。
[0314] 另外，考查蝕刻因子及銅錐的氧化變色（燒灼KW上的結(jié)果如表1所示。如表1所 示，左右的傾斜角的平均值為48度，形成蝕刻性差的梯形的銅錐電路。蝕刻因子對于50皿間 距而言為1.1，不良。但是，無銅錐面的氧化變色(燒灼）。
[0315] (比較例3)
[0316] 使用扣m的電解銅錐。該電解銅錐的表面粗糖度Rz為3WI1。在該電解銅錐的光澤(S) 面上，如表1所示，形成24化g/dm 2的鋒鍛層。在其上不形成儀鍛層，將形成有該鋒鍛層的面 的相反側(cè)作為膠粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板上。
[0317] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0318] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0319] (30皿間距電路形成）
[0320] 抗蝕劑L/S = 25皿/5皿，成品電路頂部(上部)寬度：15皿，蝕刻時間：48秒左右
[0321] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行 蝕刻，但是末端變寬地形成銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的電 路中的傾斜角的最小值）。
[0322] 另外，考查蝕刻因子及銅錐的氧化變色（燒灼KW上的結(jié)果如表1所示。如表1所 示，左右的傾斜角的平均值為54度，形成蝕刻性差的梯形的銅錐電路。蝕刻因子對于30皿間 距而言為1.4,不良。但是，無銅錐面的氧化變色(燒灼）。
[0323] (比較例4)
[0324] 使用9WI1的壓延銅錐。該壓延銅錐的表面粗糖度Rz為化m。在該壓延銅錐上，如表1 所示，形成27化g/dm2的鋒鍛層。在其上不形成儀鍛層，將形成有該鋒鍛層的面的相反側(cè)作 為膠粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板上。
[0325] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0326] 除電路形成條件，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣地實 施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0327] (30皿間距電路形成）
[032引抗蝕劑L/S = 25皿/5皿，成品電路頂部(上部)寬度：10皿，蝕刻時間：76秒左右
[0329] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向樹脂基板側(cè)進(jìn)行 蝕刻，但是末端變寬地形成銅錐電路。然后，測定蝕刻后的銅錐的傾斜角度(為長100皿的電 路中的傾斜角的最小值）。
[0330] 另外，考查蝕刻因子及銅錐的氧化變色（燒灼KW上的結(jié)果如表1所示。如表1所 示，左右的傾斜角的平均值為52度，形成蝕刻性差的梯形的銅錐電路。蝕刻因子對于30皿間 距而言為1.2,不良。但是，無銅錐面的氧化變色(燒灼）。
[0331] (比較例5)
[0332] 使用1祉m的壓延銅錐。該壓延銅錐的表面粗糖度Rz為0.7WI1。在該壓延銅錐上，如 表1所示，開^成1500蛇/血2的儀-鋒合金(但是，儀量為lOOOjig/dm 2，鋒量為500]ig/dm2)的層， 并且在其上形成1250iig/dm2的鋒鍛層。儀比為36重量％。將形成有該儀-鋒合金鍛層和鋒鍛 層的面的相反側(cè)作為膠粘面，將銅錐膠粘在樹脂基板上。
[0333] 然后，與實施例1同樣地通過抗蝕劑涂布及曝光工序，印刷10個電路，并且實施用 于除去銅錐的不需要部分的蝕刻處理。
[0334] 除電路形成條件W外，蝕刻條件、蝕刻因子的測定條件和燒灼試驗與實施例1同樣 地實施。關(guān)于與實施例1同樣的條件，省略記載。
[0335] (50皿間距電路形成）
[0336] 抗蝕劑L/S = 33皿/17皿，成品電路頂部(上部)寬度：15皿，蝕刻時間：105秒左右
[0337] 在上述條件下進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，從銅電路的側(cè)面的抗蝕劑側(cè)朝向