屏蔽設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開總體涉及包括導(dǎo)電泡沫的電磁干擾屏蔽設(shè)備或組件。
【背景技術(shù)】
[0002] 本節(jié)提供涉及不一定是現(xiàn)有技術(shù)的本公開的背景資料。
[0003] 操作電子裝置的常見問題是在器材的電子電路內(nèi)產(chǎn)生電磁輻射。這樣的輻射可導(dǎo) 致電磁干擾（EMI)或射頻干擾（RFI)，這可能干擾一定的接近程度內(nèi)的其它電子裝置的操 作。如果沒有足夠的屏蔽，則EMI/RFI干擾可造成重要信號的劣化或完全損失，從而致使電 子器材效率低下或不能工作。
[0004] 改善EMI/RFI的影響的常見解決方案是使用能夠吸收和/或反射和/或重新定向 EMI能量的屏蔽。通常采用這些屏蔽將EMI/RFI定位在它的源內(nèi)，并且隔離鄰近EMI/RFI源 的其它裝置。
[0005] 本文中使用的術(shù)語"EMI"應(yīng)該被普遍認為包括并指代EMI發(fā)射和RFI發(fā)射，而術(shù) 語"電磁"應(yīng)該被普遍認為包括并指代來自外源和內(nèi)源的電磁和射頻。因此，（如本文中使 用的）術(shù)語屏蔽廣義上包括并指代比如通過吸收、反射、阻隔和/或重新定向能量或它們的 一些組合來緩解（或限制）EMI和/或RFI，使之不再干擾例如政府的合規(guī)性和/或電子部 件系統(tǒng)的內(nèi)部功能性。 【實用新型內(nèi)容】
[0006] 本節(jié)提供本公開的總體【實用新型內(nèi)容】，但并未全面公開它的全部范圍或它的所有 特征。
[0007] 根據(jù)各種方面，示例性實施方式公開了屏蔽設(shè)備或組件，其包括導(dǎo)電泡沫框架以 及能附接至所述框架的蓋或罩。另外公開了用于屏蔽設(shè)備或組件的導(dǎo)電泡沫框架的示例性 實施方式。
[0008] 根據(jù)第一方面，屏蔽設(shè)備包括：框架，所述框架包括導(dǎo)電泡沫；以及蓋，所述蓋能 附接至所述框架；其中，在基板上的一個或多個部件位于由所述框架和附接至所述框架的 所述蓋共同限定的內(nèi)部內(nèi)時，所述屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個或多個部件。
[0009] 根據(jù)第二方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括由所述導(dǎo)電泡 沫限定的一個或多個側(cè)壁，使得所述框架具有敞開頂部；并且所述蓋被聯(lián)接至所述框架，使 得所述框架的所述敞開頂部由所述蓋覆蓋。
[0010] 根據(jù)第三方面，在根據(jù)第二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述側(cè)壁由單件的所述導(dǎo)電 泡沫一體地限定。
[0011] 根據(jù)第四方面，在根據(jù)第三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述側(cè)壁具有單件式或整體 式結(jié)構(gòu)，使得所述框架不包括位于相鄰的一對所述側(cè)壁之間的任何間隙和/或?qū)⒏鱾€側(cè)壁 彼此連接的接頭。
[0012] 根據(jù)第五方面，在根據(jù)第三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述單件的所述導(dǎo)電泡沫由 導(dǎo)電泡沫片材模切為所述框架的形狀。
[0013] 根據(jù)第六方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括彎曲為所述框 架的形狀的導(dǎo)電泡沫條。
[0014] 根據(jù)第七方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括由所述導(dǎo)電泡 沫限定的一個或多個內(nèi)壁以及一個或多個外側(cè)壁，使得所述蓋以及所述框架的外側(cè)壁和內(nèi) 壁共同限定多個獨立的電磁干擾屏蔽隔室，其中當(dāng)所述框架被裝設(shè)至基板時，所述基板的 部件能被定位在不同的隔室中，并且所述基板的所述部件因為所述電磁干擾屏蔽隔室而被 提供電磁干擾屏蔽，從而抑制電磁干擾進出每個電磁干擾屏蔽隔室。
[0015] 根據(jù)第八方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述蓋被附接至所述框架的 第一面；并且所述屏蔽設(shè)備進一步包括導(dǎo)電壓敏粘合劑，所述導(dǎo)電壓敏粘合劑被聯(lián)接至所 述框架的第二面，該第二面與供附接所述蓋的所述第一面對置。
[0016] 根據(jù)第九方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述導(dǎo)電泡沫包括聚氨酯泡 沫，所述聚氨酯泡沫的主體上覆有金屬；和/或所述導(dǎo)電泡沫包括這樣的泡沫：該泡沫包括 具有內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所述內(nèi)部表面由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個導(dǎo)電的金 屬或非金屬層而是導(dǎo)電的。
[0017] 根據(jù)第十方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述蓋包括導(dǎo)電片材、導(dǎo)電織 物、金屬化膜、導(dǎo)電泡沫和/或金屬箱中的至少一者。
[0018] 根據(jù)第十一方面，在根據(jù)前述方面中的任一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架僅 由所述導(dǎo)電泡沫組成。
[0019] 根據(jù)第十二方面，屏蔽設(shè)備包括導(dǎo)電泡沫側(cè)壁，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁被構(gòu)造成大致 圍繞基板上的一個或多個部件裝設(shè)至所述基板，以為所述基板上的所述一個或多個部件提 供電磁干擾屏蔽。
[0020] 根據(jù)第十三方面，在根據(jù)第十二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁由單 件的導(dǎo)電泡沫一體地限定，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)。
[0021] 根據(jù)第十四方面，在根據(jù)第十三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述單件的導(dǎo)電泡沫由 導(dǎo)電泡沫片材模切為包括所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁的框架的形狀，或者彎曲為所述框架的形狀。
[0022] 根據(jù)第十五方面，在根據(jù)第十二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述屏蔽設(shè)備進一步包 括一個或多個導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁和所述一個或多個導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁共同 限定由一個或多個所述導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁彼此分隔的多個區(qū)域；和/或其中所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁 包括覆有金屬的聚氨酯泡沫，和/或所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁包括這樣的泡沫，該泡沫包括具有 內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所述內(nèi)部表面由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個導(dǎo)電的金屬或 非金屬層而是導(dǎo)電的。
[0023] 根據(jù)第十六方面，在根據(jù)第十二至十五方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述屏蔽設(shè)備是 組合式屏蔽設(shè)備，該組合式屏蔽設(shè)備包括：框架，該框架包括限定敞開頂部的所述導(dǎo)電泡沫 側(cè)壁；以及蓋，所述蓋在所述框架的所述敞開頂部上附接至所述框架，其中，在基板上的一 個或多個部件位于由所述框架和所述蓋共同限定的內(nèi)部內(nèi)時，所述組合式屏蔽設(shè)備操作地 屏蔽所述一個或多個部件。
[0024]其它應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒏鶕?jù)本文中提供的描述而變得明顯。本【實用新型內(nèi)容】的描述和具 體示例僅旨在例示的目的，并非旨在限制本公開的范圍。
【附圖說明】
[0025] 本文中描述的附圖僅出于選定實施方式而非所有可能的實施的例示性目的，并非 旨在限制本公開的范圍。
[0026]圖1是根據(jù)示例性實施方式包括蓋和導(dǎo)電泡沫框架的屏蔽設(shè)備的立體圖；
[0027] 圖2是圖1所示的屏蔽設(shè)備的立體圖，并且例示了蓋和導(dǎo)電泡沫框架的外部；
[0028] 圖3是圖1所示的屏蔽設(shè)備的平面圖；
[0029] 圖4A和圖4B是例示根據(jù)示例性實施方式的屏蔽設(shè)備或組件的各層的圖表；
[0030] 圖5示出了根據(jù)示例性實施方式通過模切導(dǎo)電泡沫片材來制造用于屏蔽設(shè)備或 組件的導(dǎo)電泡沫框架的示例方法；
[0031] 圖6A是根據(jù)示例性實施方式的用于屏蔽設(shè)備或組件的導(dǎo)電泡沫框架的立體圖；
[0032] 圖6B是圖6A所示的導(dǎo)電泡沫框架的立體圖，并且例示了根據(jù)示例性實施方式沿 著框架的第一面或底面的材料層（例如，襯墊，等等）；
[0033] 圖6C是圖6B所示的導(dǎo)電泡沫框架和襯墊的立體圖，還例示了根據(jù)示例性實施方 式沿著框架的第二面或頂面的材料層（例如，透明膜，等等）；
[0034] 圖7至圖10示出了根據(jù)示例性實施方式將各材料層組裝到圖6A、圖6B和圖6C所 示的導(dǎo)電泡沫框架的示例方法；
[0035] 圖11A、圖11B、圖12和圖13示出了根據(jù)示例性實施方式制造用于屏蔽設(shè)備或組 件的導(dǎo)電泡沫框架的另一示例方法；
[0036]圖14是根據(jù)示例性實施方式包括導(dǎo)電泡沫框架、蓋以及沿著蓋的熱界面材料的 屏蔽設(shè)備的立體圖；以及
[0037] 圖15是圖14所示的屏蔽設(shè)備的橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0038] 現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述各示例實施方式。
[0039] 板級屏蔽（BLS)可用在諸如智能手機、平板電腦等等的電子裝置中。經(jīng)常使用常 規(guī)的金屬BLS組件，但它們需要或要求平面度。例如，因為缺乏彎曲并適應(yīng)不平坦表面的公 差的柔性，常規(guī)的基于金屬的BLS組件僅可安裝在平坦的表面上。常規(guī)的金屬BLS組件也 難以擁有1毫米或以下的高度。常規(guī)的金屬BLS組件也無法施加或用在柔性PCB或可穿戴 應(yīng)用中。
[0040] 另一途徑是用織物泡棉（fabricoverfoam，F(xiàn)0F)墊片替換金屬BLS。F0F墊片可 排列為BLS組件的壁，然后使用具有導(dǎo)電織物層的壓敏粘合劑（PSA)層壓為BLS組件的頂 部層。BLS組件的底部將經(jīng)由導(dǎo)電PSA接觸印刷電路板（PCB)。但其發(fā)明人已經(jīng)認識到，該 F0F墊片途徑僅可以應(yīng)用在矩形形狀中，這是因為它非常難以適應(yīng)非矩形形狀，并且可能在 角部接頭處產(chǎn)生電磁干擾（EMI)泄漏。
[0041] 在本文中公開的示例性實施方式中，存在包括導(dǎo)電泡沫框架的BLS組合式屏蔽設(shè) 備或組件，該導(dǎo)電泡沫框架可施加到不平的表面、非平面和/或各種形狀或圖案（例如，非 矩形形狀、彎曲形狀、圓形形狀、矩形形狀、復(fù)雜圖案，等等）中。本文中公開的示例性實施 方式可具有小于1毫米的高度尺寸，和/或可具有足夠的柔性以應(yīng)用在柔性PCB及可穿戴 應(yīng)用等等之中。另外，本文中公開的示例性實施方式可包括框架，沒有任何接頭或間隙，使 得EMI泄漏得以減少。
[0042] 在示例性實施方式中，組合式（例如，兩件式，等等）屏蔽設(shè)備或組件大致包括框 架以及能附接至框架的蓋或罩。框架包括導(dǎo)電泡沫。蓋或罩可包括EMI屏蔽材料、表面、片 材或?qū)樱ɡ纾瑢?dǎo)電織物、金屬化膜、金屬箱、其它屏蔽材料，等等）。蓋可具有這樣的周界或 軌跡：其大小和形狀匹配或?qū)?yīng)于框架的周界或軌跡的大小和形狀。蓋可沿著框架的上表 面附接或附接至框架的上表面，以覆蓋框架的敞開頂部。在基板上的一個或多個部件位于 由框架以及附接至框架的蓋共同限定的內(nèi)部內(nèi)時，組合式屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個或 多個部件。
[0043] 框架可包括一個或多個側(cè)壁，該側(cè)壁由導(dǎo)電泡沫限定，使得框架具有敞開頂部。蓋 可聯(lián)接至框架，使得框架的敞開頂部被蓋覆蓋。側(cè)壁可由單件的導(dǎo)電泡沫一體地限定，使得 側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)。在這種情況下，框架在相鄰的一對側(cè)壁之間不包括任何允 許EMI泄漏的間隙。因為框架的側(cè)壁將彼此一體連接，框架也將不包括將各個側(cè)壁彼此連 接的任何接頭。單件的導(dǎo)電泡沫可由導(dǎo)電泡沫片材模切為框架的形狀?；蛘撸蚣芸砂?彎曲為框架的形狀的導(dǎo)電泡沫條。
[0044] 在一些示例性實施方式中，框架可包括一個或多個外側(cè)壁以及一個或多個內(nèi)壁、 分隔器或隔開物。側(cè)壁和內(nèi)壁可都由導(dǎo)電泡沫限定。蓋和框架的側(cè)壁及內(nèi)壁可共同限定多 個獨立的EMI屏蔽隔室。當(dāng)將框架裝設(shè)（例如，粘附、焊接到焊墊，等等）到基板（例如，印 刷電路板，等等）時，基板上的部件可定位在不同的隔室中，使得這些部件因為EMI屏蔽隔 室而被提供EMI屏蔽，從而抑制EMI進出每個EMI屏蔽隔室。在其它示例性實施方式中，框 架可不包括或可沒有內(nèi)壁、分隔器或隔開物，使得框架的側(cè)壁大致限定單個內(nèi)部空間或隔 室。屏蔽設(shè)備可包括兩件式組件，該兩件式組件包括能附接至單件框架的單件蓋。