如，20°C至25°C的室溫，等等） 下調(diào)整偏轉(zhuǎn)的公差或間隙。熱界面材料可具有顯著低于銅或鋁的楊氏模量和肖氏硬度值。 熱界面材料還可具有比銅或鋁更大的偏轉(zhuǎn)對壓力的百分比。
[0123] 在一些示例性實施方式中，熱界面材料包括T-flex?300填充陶瓷的硅彈性體間 隙填充物或T-flex?600填充氮化硼的硅彈性體間隙填充物，兩者均具有約0. 000689吉帕 斯卡的楊氏模量。因此，示例性實施方式可包括具有比1吉帕斯卡小得多的楊氏模量的熱 界面材料。
[0124]T-fleX?300填充陶瓷的硅彈性體間隙填充物和T-fleX?600填充氮化硼的硅彈性 體間隙填充物具有分別約為27和25的肖氏00硬度值（經(jīng)ASTMD2240測試方法）。在一 些其它示例性實施方式中，熱界面材料可包括肖氏〇〇硬度約為70或75的T-pli?200填充 氮化硼的硅彈性體、玻璃纖維增強的間隙填充物。因此，示例性實施方式可包括肖氏00硬 度小于100的熱界面材料。
[0125] 另外，一些示例性實施方式包括將被潤濕并附著至配合表面的共形的熱界面?？?用在示例性實施方式中的順應(yīng)性或共形的熱界面材料的示例馬上在下面闡述，連同其楊氏 模量、熱導(dǎo)率和硬度值。
[0126]
[0127]T-flex? 300系列熱間隙填充物材料大致包括例如：在50鎊每平方英寸的壓力和 下面示出的其它屬性下將偏轉(zhuǎn)50%以上的填充陶瓷的硅彈性體。T-flex? 600系列熱間隙 填充物材料大致包括：填充氮化硼的硅彈性體，其在低壓（例如，10至1〇〇鎊每平方英寸， 等等）、每ASTMD2240的硬度為25肖氏00或40肖氏00及本文表中示出的其它屬性下壓 縮之后恢復(fù)到其原始厚度90%以上。T-pli? 200系列間隙填充物大致包括：增強的填充氮 化硼的硅彈性體，每ASTMD2240的硬度為75肖氏00或70肖氏00,以及本文表中示出的其 它屬性。T-pcm? 580系列相變材料大致為非增強膜，相變軟化溫度約為122華氏度（50攝 氏度）。T-grease? 880系列熱潤滑脂大致為硅基熱潤滑脂，粘度小于1500000厘泊。其它 示例性實施方式可包括硬度小于25肖氏00、大于75肖氏00、介于25和75肖氏00之間等 等的TIM。
[0128] 本公開的一些示例性實施方式可提供以下優(yōu)點中的一個或多個（但不一定是任 何或所有的）。例如，示例性實施方式可具有小于約1毫米（例如，約〇. 7_、約〇. 75_，等 等）的總體厚度。示例性實施方式可被安裝、施加或裝設(shè)至非平面的表面和/或可被設(shè)計 或設(shè)置在三維表面或圖案中。示例性實施方式可允許相對容易的操作、制造和返修和/或 成本相對較低。利用示例性實施方式，BLS的總體厚度可減少（例如，減少0. 07mm、0. 25mm， 等等），這又將允許使用BLS裝置的厚度減少。
[0129] 提供的示例性實施方式使得該公開將是徹底的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá) 范圍。許多具體細(xì)節(jié)被闡述作為具體部件、裝置和方法的示例，以徹底理解本公開的實施方 式。對本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是：不需要采用具體細(xì)節(jié)，示例實施方式可體現(xiàn)為許多不同 的形式，并且也不應(yīng)該被解釋為限制本公開的范圍。在一些示例實施方式中，并未詳細(xì)描述 熟知的工藝、熟知的裝置結(jié)構(gòu)和熟知技術(shù)。另外，可用本公開的一個或多個示例性實施方式 實現(xiàn)的優(yōu)點和改進(jìn)僅出于例示的目的提供，并不限制本公開的范圍，本文中公開的示例性 實施方式可提供所有上述優(yōu)點和改進(jìn)或無，并且仍落入本公開的范圍內(nèi)。
[0130] 本文中公開的具體尺寸、具體材料和/或具體形狀本質(zhì)上是示例，并不限制本公 開的范圍。本文中公開的給定參數(shù)的特定值和值的特定范圍不排除本文中公開的一個或多 個示例中可能有用的其它值及值的范圍。而且，可以想象到的是，本文中聲明的具體參數(shù)的 任何兩個特定值可限定可能適合給定參數(shù)（例如，公開的給定參數(shù)的第一值和第二值可以 解讀為公開了：給定參數(shù)還可以采用第一值和第二值之間的任何值）的值的范圍的端點。 例如，如果參數(shù)X在本文中舉例說明具有值A(chǔ)，還舉例說明具有值Z，可以想象到的是，參數(shù) X可具有從約A到約Z的值的范圍。同樣，可以想象到的是，公開的參數(shù)的兩個或更多范 圍的值（不論這樣的范圍是否嵌套、重疊或不同）歸入可能使用公開范圍的端點所要求保 護(hù)的值的所有可能的范圍組合。例如，如果參數(shù)X在本文中舉例說明具有1 - 10、或2 - 9、 或3-8的范圍內(nèi)的值，還應(yīng)設(shè)想：參數(shù)父可具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、 2 - 3、3 - 10和3 - 9的值的其它范圍。
[0131] 本文中使用的術(shù)語僅出于描述特定示例實施方式的目的，并非旨在限制。如本文 中使用的，單數(shù)形式"一"、"一個"以及"該/所述"旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文以其 它方式清楚地表明。術(shù)語"包括"和"具有"是包容性的，因此指定存在聲明特征、整體、步 驟、操作、要素和/或部件，但并不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、 要素、部件和/或它們的組。本文中描述的方法步驟、工藝和操作不應(yīng)解釋為必要地要求它 們表現(xiàn)為討論或例示的特定順序，除非特別指出為所表現(xiàn)的順序。還應(yīng)理解的是，可采用額 外或替代的步驟。
[0132] 當(dāng)一要素或?qū)颖恢复鸀?在…上"、"接合至"、"連接至"或"聯(lián)接至"另一要素或?qū)?時，它可直接在…上、接合、連接或聯(lián)接至另一個要素或?qū)踊蚩赡艽嬖诘闹虚g要素或?qū)印Ｏ?反，當(dāng)一要素被指代為"直接在…上"、"直接接合至"、"直接連接至"或"直接聯(lián)接至"另一 要素或?qū)訒r，可能不存在中間要素或?qū)?。?yīng)該以類似的方式解讀用于描述各要素之間關(guān)系 的其它措辭（例如，"之間"與"直接…之間"、"相鄰"與"直接相鄰"，等等）。如本文中使用 的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)聯(lián)列舉的項的任何和所有組合。
[0133] 雖然術(shù)語第一、第二，第三等等在本文中可用于描述各種要素、部件、區(qū)域、層和/ 或節(jié)段，這些要素、部件、區(qū)域、層和/或節(jié)段不應(yīng)該被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅可用于將 一個要素、部件、區(qū)域、層或節(jié)段與另一區(qū)域、層或節(jié)段區(qū)分。諸如"第一"、"第二"的術(shù)語及 本文中使用的其它數(shù)字術(shù)語并不暗示序列或順序，除非由上下文清楚地表明。由此，下面討 論的第一要素、部件、區(qū)域、層或節(jié)段可以被稱為第二要素、部件、區(qū)域、層或節(jié)段，而不脫離 示例實施方式的教導(dǎo)。
[0134] 已經(jīng)出于例示和描述的目的提供了前面描述的實施方式。并非旨在窮舉或限制本 公開。旨在或聲明特定實施方式的用途或特征的單獨的要素大致不限于此特定實施方式， 但在適用的情況下是可互換的，并且可以用在選定的實施方式中，即使沒有特別示出或描 述亦如此。同樣也可存在許多方式的變化。這樣的變化不應(yīng)被視為脫離本公開，并且所有 這樣的修改都旨在包括在本公開的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種屏蔽設(shè)備，該屏蔽設(shè)備包括： 框架，所述框架包括導(dǎo)電泡沫；以及 蓋，所述蓋能附接至所述框架； 其中，在基板上的一個或多個部件位于由所述框架和附接至所述框架的所述蓋共同限 定的內(nèi)部內(nèi)時，所述屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個或多個部件。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中： 所述框架包括由所述導(dǎo)電泡沫限定的一個或多個側(cè)壁，使得所述框架具有敞開頂部； 并且 所述蓋被聯(lián)接至所述框架，使得所述框架的所述敞開頂部由所述蓋覆蓋。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述側(cè)壁由單件的所述導(dǎo)電泡沫一體地限 定。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)，使得所 述框架不包括位于相鄰的一對所述側(cè)壁之間的任何間隙和/或?qū)⒏鱾€側(cè)壁彼此連接的接 頭。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述單件的所述導(dǎo)電泡沫由導(dǎo)電泡沫片材 模切為所述框架的形狀。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述框架包括彎曲為所述框架的形狀的導(dǎo) 電泡沫條。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述框架包括由所述導(dǎo)電泡沫限定的一個 或多個內(nèi)壁以及一個或多個外側(cè)壁，使得所述蓋以及所述框架的外側(cè)壁和內(nèi)壁共同限定多 個獨立的電磁干擾屏蔽隔室，其中當(dāng)所述框架被裝設(shè)至基板時，所述基板的部件能被定位 在不同的隔室中，并且所述基板的所述部件因為所述電磁干擾屏蔽隔室而被提供電磁干擾 屏蔽，從而抑制電磁干擾進(jìn)出每個電磁干擾屏蔽隔室。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中： 所述蓋被附接至所述框架的第一面；并且 所述屏蔽設(shè)備進(jìn)一步包括導(dǎo)電壓敏粘合劑，所述導(dǎo)電壓敏粘合劑被聯(lián)接至所述框架的 第二面，該第二面與供附接所述蓋的所述第一面對置。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中： 所述導(dǎo)電泡沫包括聚氨酯泡沫，所述聚氨酯泡沫的主體上覆有金屬；和/或 所述導(dǎo)電泡沫包括這樣的泡沫：該泡沫包括具有內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所述內(nèi)部表面 由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個導(dǎo)電的金屬或非金屬層而是導(dǎo)電的。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述蓋包括導(dǎo)電片材、導(dǎo)電織物、金屬化 膜、導(dǎo)電泡沫和/或金屬箱中的至少一者。11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述框架僅由所述導(dǎo)電泡沫 組成。12. -種屏蔽設(shè)備，該屏蔽設(shè)備包括導(dǎo)電泡沫側(cè)壁，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁被構(gòu)造成大致圍 繞基板上的一個或多個部件裝設(shè)至所述基板，以為所述基板上的所述一個或多個部件提供 電磁干擾屏蔽。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁由單件的導(dǎo)電泡沫一 體地限定，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述單件的導(dǎo)電泡沫由導(dǎo)電泡沫片材模 切為包括所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁的框架的形狀，或者彎曲為所述框架的形狀。15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的屏蔽設(shè)備，所述屏蔽設(shè)備進(jìn)一步包括一個或多個導(dǎo)電泡沫 內(nèi)壁，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁和所述一個或多個導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁共同限定由一個或多個所述 導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁彼此分隔的多個區(qū)域；和/或其中所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁包括覆有金屬的聚氨酯 泡沫，和/或所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁包括這樣的泡沫，該泡沫包括具有內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所 述內(nèi)部表面由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個導(dǎo)電的金屬或非金屬層而是導(dǎo)電的。16. 根據(jù)權(quán)利要求12至15中的任一項所述的屏蔽設(shè)備，其中，所述屏蔽設(shè)備是組合式 屏蔽設(shè)備，該組合式屏蔽設(shè)備包括： 框架，該框架包括限定敞開頂部的所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁；以及 蓋，所述蓋在所述框架的所述敞開頂部上附接至所述框架， 其中，在基板上的一個或多個部件位于由所述框架和所述蓋共同限定的內(nèi)部內(nèi)時，所 述組合式屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個或多個部件。
【專利摘要】本實用新型涉及屏蔽設(shè)備，該屏蔽設(shè)備包括導(dǎo)電泡沫框架以及能附接至所述框架的蓋或罩。另外公開了用于屏蔽設(shè)備或組件的導(dǎo)電泡沫框架的示例性實施方式。
【IPC分類】H05K9/00
【公開號】CN204968339
【申請?zhí)枴緾N201520746996
【發(fā)明人】劉明岳, 林藝申, 曹瑞龍, 徐斌峯
【申請人】萊爾德電子材料（上海）有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年9月24日