本發(fā)明涉及檢測(cè)元件、鎖定檢測(cè)裝置、基板及檢測(cè)元件的制造方法。

背景技術(shù)：

存在將光電二極管與鎖定放大器組合而成的固體攝像裝置(例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-040594號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

當(dāng)向每個(gè)像素附加的電路增加或擴(kuò)大時(shí)，開(kāi)口率下降而作為攝像裝置的性能受到限制。

用于解決課題的手段

在本發(fā)明的第一形態(tài)中，提供一種檢測(cè)元件，具備：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)；及多個(gè)濾波電路，與多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置，或者與分別包含多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中的規(guī)定個(gè)數(shù)的光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)元件組分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置，從由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)中，使具有規(guī)定頻率的信號(hào)衰減。

在本發(fā)明的第二形態(tài)中，提供一種檢測(cè)元件，具備：光電轉(zhuǎn)換元件，輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)；降低部，從由光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)中，使與入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的背景光成分降低；及乘法部，將由降低部降低了背景光成分的電信號(hào)與進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的參考信號(hào)相乘。

在本發(fā)明的第三形態(tài)中，提供一種檢測(cè)元件，具備：第一基板，具有輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換元件；及第二基板，具有從由光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)中使與入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的成分降低的降低部，且層疊于第一基板。

在本發(fā)明的第四形態(tài)中，提供一種鎖定檢測(cè)裝置，具備上述的檢測(cè)元件。

在本發(fā)明的第五形態(tài)中，提供一種檢測(cè)元件的制造方法，包括：第一步驟，形成輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件；及第二步驟，與多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別對(duì)應(yīng)地、或者與分別包含多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中的規(guī)定個(gè)數(shù)的光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)元件組分別對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)濾波電路，所述多個(gè)濾波電路從由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)中使具有規(guī)定頻率的信號(hào)衰減。

在本發(fā)明的第六形態(tài)中，提供一種第三十技術(shù)方案記載的檢測(cè)元件的制造方法，其中，第一步驟包括將多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件形成于第一基板的步驟，第二步驟包括將多個(gè)濾波電路形成于第二基板的步驟，所述檢測(cè)元件的制造方法包括將第一基板與第二基板相互層疊的第三步驟。

在本發(fā)明的第七形態(tài)中，提供一種檢測(cè)元件的制造方法，包括如下步驟：將輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換元件形成于第一基板；將降低部形成于第二基板，所述降低部從由光電轉(zhuǎn)換元件輸出的電信號(hào)中使與入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的成分降低；及將第一基板與第二基板相互層疊。

上述發(fā)明內(nèi)容并未列舉本發(fā)明的全部特征。這些特征組的子組合也可以作為本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

圖1是說(shuō)明檢測(cè)裝置100的動(dòng)作的示意圖。

圖2是檢測(cè)裝置100的框圖。

圖3是表示直流成分除去部140的基本結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是表示直流成分除去部140的特性的坐標(biāo)圖。

圖5是表示直流成分除去部140的構(gòu)造的示意性的剖視圖。

圖6是直流成分除去部140的詳細(xì)的電路圖。

圖7是表示電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。

圖8是表示電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。

圖9是表示電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。

圖10是表示電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。

圖11是表示電容元件144的構(gòu)造的示意圖。

圖12是表示電容過(guò)孔250的構(gòu)造的示意圖。

圖13是第一基板210的示意性的剖視圖。

圖14是第三基板230的示意性的剖視圖。

圖15是表示第二基板220的制造過(guò)程的圖。

圖16是表示第二基板220的制造過(guò)程的圖。

圖17是表示第二基板220的制造過(guò)程的圖。

圖18是表示第二基板220的制造過(guò)程的圖。

圖19是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖20是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖21是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖22是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖23是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖24是說(shuō)明受光部213的布局的俯視圖。

圖25是直流成分除去部340的電路圖。

圖26是第一基板310的示意性的剖視圖。

圖27是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖28是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖29是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖30是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖31是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖32是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖33是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖34是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。

圖35是直流成分除去部350的電路圖。

圖36是表示晶體管部243的特性的坐標(biāo)圖。

圖37是表示第二基板240的制造過(guò)程的圖。

圖38是表示第二基板240的制造過(guò)程的圖。

圖39是表示第二基板240的制造過(guò)程的圖。

圖40是第二基板240的示意性的剖視圖。

圖41是直流成分除去部350的示意性的剖視圖。

圖42是直流成分除去部351的電路圖。

圖43是表示直流成分除去部351的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖44是直流成分除去部352的電路圖。

具體實(shí)施方式

以下，通過(guò)發(fā)明的實(shí)施方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但是下述的實(shí)施方式?jīng)]有限定權(quán)利要求書涉及的發(fā)明。而且，實(shí)施方式中說(shuō)明的特征的全部組合在發(fā)明的解決方案中不一定是必需的。

圖1是說(shuō)明檢測(cè)裝置100的動(dòng)作的示意圖。檢測(cè)裝置100對(duì)被照明光源113所產(chǎn)生的調(diào)制照明光114照明的檢測(cè)對(duì)象物110的反射光120進(jìn)行受光，并由與調(diào)制照明光114同步的鎖定放大器進(jìn)行放大。由此，檢測(cè)由照明光源113所產(chǎn)生的調(diào)制照明光114得來(lái)的反射光，檢測(cè)反映了反射光120的相位及振幅的信號(hào)，算出到檢測(cè)對(duì)象物110為止的距離信息等。照明光源113例如為L(zhǎng)ED或激光，調(diào)制照明光114的頻率為例如10KHz～1MHz左右。

但是，在向檢測(cè)對(duì)象物110照射太陽(yáng)等自然光源111所產(chǎn)生的自然光112的情況下，反射光120中包含背景光，該背景光包含從由自然光112得來(lái)的常態(tài)性的光至具有幾KHz左右的頻率的光。因此，為了使檢測(cè)裝置100的檢測(cè)精度提高，優(yōu)選為，從檢測(cè)對(duì)象物110的反射光120中去除這樣的背景光成分。

圖2是檢測(cè)裝置100的框圖。檢測(cè)裝置100具備光電轉(zhuǎn)換元件130、直流成分除去部140、乘法器150及低通濾波器160。

光電轉(zhuǎn)換元件130對(duì)來(lái)自檢測(cè)對(duì)象物110的反射光120進(jìn)行受光，并轉(zhuǎn)換成與光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。直流成分除去部140從光電轉(zhuǎn)換元件130所輸出的電信號(hào)中除去由背景光得來(lái)的包含直流成分在內(nèi)的背景光成分。乘法器150將與照明光源113同步的參考信號(hào)122與去除了背景光成分的電信號(hào)相乘之后，通過(guò)低通濾波器160進(jìn)行積分處理，由此輸出反映了調(diào)制照明光114被檢測(cè)對(duì)象物110反射而產(chǎn)生的反射光的相位及振幅的信號(hào)124。

此外，光電轉(zhuǎn)換元件130包含多個(gè)受光部作為像素，并對(duì)每個(gè)像素執(zhí)行將反射光120轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的處理。因此，檢測(cè)裝置100能夠用作對(duì)應(yīng)每個(gè)像素得到距離信息的圖像傳感器，而且也能夠用作監(jiān)控相機(jī)、自動(dòng)操縱裝置的傳感器等。因此，優(yōu)選為，直流成分除去部140、乘法器150及低通濾波器160等也對(duì)應(yīng)每個(gè)像素或者對(duì)應(yīng)包含至少一定數(shù)量的像素的每個(gè)組，作為檢測(cè)裝置100整體而設(shè)置多個(gè)。

圖3是表示接收光電轉(zhuǎn)換元件130的輸出的直流成分除去部140的基本結(jié)構(gòu)的圖。直流成分除去部140具備作為濾波電路的濾波部141及輸出部143。

濾波部141包含由電阻元件142及電容元件144形成的高通濾波器。由此，從光電轉(zhuǎn)換元件130的輸出信號(hào)中切斷比截止頻率低的頻帶。由此，背景光成分從光電轉(zhuǎn)換元件130的輸出信號(hào)中被衰減。

輸出部具備經(jīng)由電阻元件148而使輸出與反相輸入耦合的運(yùn)算放大器146。運(yùn)算放大器146的非反相輸入與基準(zhǔn)電壓耦合。由此，能夠使直流成分除去部140的輸出阻抗實(shí)質(zhì)上為零。

圖4是表示直流成分除去部140的特性的坐標(biāo)圖。在直流成分除去部140中，若不向運(yùn)算放大器146輸入比頻帶的上限低的頻帶的信號(hào)，則得不到有意義的輸出信號(hào)。截止頻率優(yōu)選為能夠從輸出信號(hào)中使背景光成分衰減且能夠得到對(duì)于距離信息等的檢測(cè)而言充分的光量的頻率，優(yōu)選為100Hz以上且100MHz以下。由此，形成濾波部141的電阻元件142的電阻值及電容元件144的電容選擇能得到與運(yùn)算放大器146的頻率特性相應(yīng)的截止頻率的值。

但是，隨著電阻元件142的電阻值及電容元件144的電容變大，這些元件的尺寸也變大。因此，當(dāng)對(duì)光電轉(zhuǎn)換元件130的每個(gè)像素安裝直流成分除去部140時(shí)，各個(gè)像素尺寸變大，檢測(cè)裝置100的有效的開(kāi)口率降低。

圖5是表示作為集成電路而形成的、檢測(cè)裝置100中的直流成分除去部140的構(gòu)造的示意性的剖視圖。在本實(shí)施例中，將第一基板210、第二基板及第三基板230層疊而形成直流成分除去部140。

第一基板210具有基板211及層疊電路部212。基板211由單晶硅等的半導(dǎo)體基板形成，包含通過(guò)光刻技術(shù)形成的受光部213及配線部218。

受光部213具有例如向N阱注入P型雜質(zhì)而形成的光電二極管。受光部213根據(jù)從圖中上方透過(guò)基板211入射的入射光的光強(qiáng)度而輸出電信號(hào)。如此，第一基板210形成背面照射型的受光基板。

層疊電路部212包含通過(guò)光刻技術(shù)形成的配線部218及連接部219。配線部218與在基板211的其他區(qū)域形成的電路及元件耦合，并且也與電壓源等耦合。連接部219在第一基板210的表面暴露，與層疊于第一基板210的第二基板220的連接部229電耦合。

第二基板220具有基板221及作為配線層的層疊電路部222。基板221由單晶硅等的半導(dǎo)體基板形成，具有通過(guò)光刻技術(shù)形成的導(dǎo)通過(guò)孔224、電阻過(guò)孔225及晶體管部223。

導(dǎo)通過(guò)孔224具有向沿著厚度方向貫通基板221而形成的貫通孔內(nèi)填充的金屬等電阻較低的導(dǎo)電材料。由此，例如，在使用銅作為導(dǎo)電材料的情況下，具有1.5×10^-8(Ω·m)左右的電阻率ρ的導(dǎo)通過(guò)孔224將基板221的表面和背面進(jìn)行電耦合。

電阻過(guò)孔225具有向沿著厚度方向貫通基板221而形成的貫通孔內(nèi)填充的具有0.1(Ω·m)左右的電阻率ρ的多晶硅那樣電阻較高的材料。由此，電阻過(guò)孔225能夠在基板221的表面和背面之間作為電阻元件142、148而使用。晶體管部223形成例如向N型阱注入P型雜質(zhì)而形成的P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

第二基板220的層疊電路部222包含通過(guò)光刻技術(shù)形成的配線部238及連接部229。配線部228在層疊電路部222的厚度方向上隔開(kāi)間隔而形成為兩層。連接部229以貫通層疊電路部222的方式設(shè)置，與在第二基板220的圖中上側(cè)層疊的第一基板的連接部219耦合。由此，第二基板的電阻過(guò)孔225與第一基板210電耦合。電阻元件142、148具有比從光電轉(zhuǎn)換元件130接收電信號(hào)的配線即連接部229高的電阻值。而且，電阻元件142、148從光電轉(zhuǎn)換元件130具有比連接部229的直徑大的直徑。

第三基板230具有基板231及層疊電路部232?；?31由單晶硅等的半導(dǎo)體基板形成，具有通過(guò)光刻技術(shù)形成的多個(gè)晶體管部233等。在第三基板230中，晶體管部233形成例如向P型阱注入N型雜質(zhì)而形成的N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

層疊電路部232包含通過(guò)光刻技術(shù)形成的配線部238及連接部239。配線部238與在基板231的其他區(qū)域形成的電路及元件耦合，并且也與外部的基準(zhǔn)電壓等耦合。連接部239在第三基板230的表面暴露，與第二基板220的導(dǎo)通過(guò)孔224、電阻過(guò)孔225等電耦合。換言之，第三基板230通過(guò)作為基板的第二基板220而與第一基板210電耦合。

在上述那樣的直流成分除去部140中，能夠?qū)⒂傻诙宓呐渚€部228形成的電容元件144與形成于第二基板220的電阻過(guò)孔225組合，而形成濾波部141。而且，能夠?qū)⑿纬捎诘诙宓木w管部223與形成于第三基板230的晶體管部233組合，而形成輸出部143的運(yùn)算放大器146。

圖6是直流成分除去部140的詳細(xì)的電路圖。在該圖中，除了示出形成濾波部141的電阻元件142及電容元件144之外，還示出形成輸出部143的運(yùn)算放大器146的晶體管部223及電阻元件148。

在直流成分除去部140中，第一基板210的光電轉(zhuǎn)換元件130所產(chǎn)生的電信號(hào)在第二基板220中通過(guò)由電阻元件142及電容元件144形成的濾波部141而向輸出部143傳遞。在第二基板220的層疊電路部222中，配線部228占據(jù)較多的部分。換言之，在層疊電路部222中其他要素少，因此配線部228能夠使用大面積來(lái)形成電容較大的電容元件144。

在上述那樣的直流成分除去部140中，將由第二基板的配線部228形成的電容元件144與形成于第二基板220的電阻過(guò)孔225組合，而形成濾波部141。電容元件144及電阻過(guò)孔225能夠不受配置于第一基板210的受光部213及形成于第一基板的電路的存在的限制而形成，因此能夠設(shè)定根據(jù)運(yùn)算放大器146的頻率特性而確定的截止頻率。

另外，在直流成分除去部140中，能夠?qū)⑿纬捎诘诙?20的P型的晶體管部223與形成于第三基板230的N型的晶體管部233組合，而形成輸出部143的運(yùn)算放大器146。如此，通過(guò)使用極性不同的半導(dǎo)體基板作為第二基板220及第三基板230，與在一個(gè)基板上設(shè)置P型晶體管和N型晶體管的情況相比，能夠提高安裝密度。

圖7是表示第二基板220中的電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。該圖示出與第二基板220的面方向平行的截面處的第二基板220的形狀。

在圖示的截面中，電阻過(guò)孔225具有環(huán)狀的形狀。在電阻過(guò)孔225的中央配置貫通電阻過(guò)孔225的柱226。柱226例如由與基板221的材料相同的電介質(zhì)材料形成。由此，減小由多晶硅等形成的電阻過(guò)孔225的有效的截面面積，使電阻過(guò)孔225有效地變細(xì)，從而能夠進(jìn)一步提高電阻值。因此，能夠擴(kuò)大直流成分除去部140的截止頻率的設(shè)定范圍。而且，從抑制電阻過(guò)孔225的寄生電容這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，也優(yōu)選為減小電阻過(guò)孔225的直徑。

圖8是表示第二基板220中的電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。該圖示出與第二基板220的面方向平行的截面處的第二基板220的形狀。

在圖示的截面中，電阻過(guò)孔225具有貫通基板221的多個(gè)柱226。柱226例如由與基板221的材料相同的電介質(zhì)材料形成。由此，由多晶硅等形成的電阻過(guò)孔225的截面面積進(jìn)一步減小，使電阻過(guò)孔225有效地變細(xì)，因此電阻值進(jìn)一步提高。因此，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大直流成分除去部140的濾波部141的截止頻率的設(shè)定范圍。

圖9是表示第二基板220中的電阻過(guò)孔225的構(gòu)造的示意圖。該圖示出與第二基板220的面方向平行的截面處的第二基板220的形狀。

圖示的電阻過(guò)孔225由向氧化膜227的更內(nèi)側(cè)填充的多晶硅等高電阻材料形成，該氧化膜227形成于在基板221形成的貫通孔的內(nèi)表面。由此，能夠使由多晶硅等形成的電阻過(guò)孔225的有效的截面面積減小而進(jìn)一步提高電阻值，并進(jìn)一步擴(kuò)大直流成分除去部140的濾波部141的截止頻率的設(shè)定范圍。

圖10是表示作為集成電路而形成的、檢測(cè)裝置100中的直流成分除去部140的構(gòu)造的示意性的剖視圖。該圖所示的直流成分除去部140除了如下說(shuō)明的電阻過(guò)孔225的構(gòu)造之外，具有與圖5所示的直流成分除去部140相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

圖示的直流成分除去部140具有分別貫通基板221的3個(gè)電阻過(guò)孔225。3個(gè)電阻過(guò)孔通過(guò)在層疊電路部222的下表面形成的配線部228和在第三基板230的層疊電路部232形成的配線部238而相互串聯(lián)連接。

由此，將第二基板220的連接部229與第三基板230的連接部239耦合的電阻過(guò)孔225的長(zhǎng)度成為3倍，作為電阻元件142的電阻值也成為3倍。由此，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大直流成分除去部140的濾波部141的截止頻率的設(shè)定范圍。

需要說(shuō)明的是，所耦合的電阻過(guò)孔225的個(gè)數(shù)當(dāng)然并不局限于3個(gè)?？梢择詈细嗟碾娮柽^(guò)孔225，也可以使所耦合的電阻過(guò)孔225的粗細(xì)變化而能夠細(xì)微地變更設(shè)定值。

圖11是表示作為集成電路而形成的、檢測(cè)裝置100中的直流成分除去部140的構(gòu)造的示意性的剖視圖。該圖所示的直流成分除去部140除了如下說(shuō)明的電容元件144的構(gòu)造之外，具有與圖5所示的直流成分除去部140相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

在圖示的直流成分除去部140中，電容元件144由從第二基板220的連接部229向圖中左方延伸的配線部228和在圖中上下夾著該配線部228的一對(duì)配線部218、228形成。一對(duì)配線部218、228中的圖中下側(cè)的配線部228與其他直流成分除去部140中的配線部228同樣地形成于第二基板220的層疊電路部222。

位于圖中上側(cè)的另一方的配線部218形成于第一基板210的層疊電路部212的圖中下表面。這一對(duì)配線部218、228通過(guò)第二基板的連接部229而相互耦合。通過(guò)這樣的構(gòu)造，能夠使電容元件144的電容增加，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大直流成分除去部140的濾波部141的截止頻率的設(shè)定范圍。

需要說(shuō)明的是，形成電容元件144的配線部218的個(gè)數(shù)當(dāng)然并不局限于上述。而且，出于避免與其他元件的干涉的目的，也可以使一部分配線部218、228的尺寸與其他配線部218、228不同。

圖12是表示作為集成電路而形成的、檢測(cè)裝置100中的直流成分除去部140的構(gòu)造的示意性的剖視圖。該圖所示的直流成分除去部140除了如下說(shuō)明的電容過(guò)孔250的構(gòu)造之外，具有與圖5等所示的其他直流成分除去部140相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

在圖示的直流成分除去部140中，電容元件144由電容過(guò)孔250形成。電容過(guò)孔250配置在貫通基板211而形成的貫通孔內(nèi)，具有以繞著基板211的厚度方向的中心軸呈同軸狀的方式形成的導(dǎo)通過(guò)孔252、電介質(zhì)膜254及擴(kuò)散層256。

位于電容過(guò)孔250的中心的導(dǎo)通過(guò)孔252與其他直流成分除去部140中的導(dǎo)通過(guò)孔224同樣地，由金屬等電阻較低的導(dǎo)電材料形成。電介質(zhì)膜254由覆蓋導(dǎo)通過(guò)孔224的周面的氧化膜等形成。擴(kuò)散層256以在基板221形成有N型阱的情況下使P型的雜質(zhì)擴(kuò)散而獲得導(dǎo)通的方式形成。

另外，電容過(guò)孔250的導(dǎo)通過(guò)孔252通過(guò)在第二基板220的層疊電路部222形成的配線部228而從連接部229與第一基板210耦合。另一方面，電容過(guò)孔250的擴(kuò)散層256與第三基板230的連接部239耦合。由此，電容過(guò)孔250將第一基板210及第三基板230進(jìn)行交流耦合。

電容過(guò)孔250設(shè)于第二基板220。因此，能夠不考慮與形成于第一基板210的受光部213的干涉而設(shè)定能夠得到對(duì)于濾波部141確定的截止頻率的電容。

需要說(shuō)明的是，在上述的實(shí)施方式中，列舉電阻過(guò)孔及電容過(guò)孔為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是功能過(guò)孔的功能并不局限于電阻及電容。通過(guò)選擇功能過(guò)孔的材料、形狀等，能夠作為例如作為電感器、振子、天線、延遲線、諧振器、終端器等進(jìn)行動(dòng)作的無(wú)源元件而形成功能過(guò)孔。

圖13是單獨(dú)表示在制造包含圖5所示的直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100時(shí)準(zhǔn)備的第一基板210的示意性的剖視圖。對(duì)與圖5共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。需要說(shuō)明的是，圖示的第一基板210與圖5的標(biāo)記相反地將基板211示于圖中下側(cè)，將層疊電路部212示于圖中上側(cè)。

在第一基板210中，在基板211形成有受光部213。而且，在層疊電路部212形成有配線部218和連接部219。第一基板210最初未薄化。因此，基板211比圖5所示的第一基板210厚。

圖14是單獨(dú)表示在制造包含圖5所示的直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100時(shí)準(zhǔn)備的第三基板230的示意性的剖視圖。對(duì)與圖5共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。

在第三基板230中，在基板231形成有多個(gè)晶體管部233。而且，在層疊電路部232形成有配線部238和連接部239。

圖15是表示在制造包含圖5所示的直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100時(shí)準(zhǔn)備的第二基板220的制造過(guò)程的圖。對(duì)與圖5共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。

如圖所示，首先，對(duì)由單晶硅等形成的基板211進(jìn)行蝕刻而形成通孔251。在該階段，基板221還未薄化，因此通孔251未貫通基板221。

圖16是表示第二基板220的接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。向形成于基板221的通孔251填充多晶硅等電阻較高的材料。由此，形成電阻過(guò)孔225。

圖17是表示第二基板220的接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。接下來(lái)，向具有N型阱的基板221擴(kuò)散P型雜質(zhì)，由此形成作為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的多個(gè)晶體管部223。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，在第二基板220未形成極性不同的N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由此，能夠削減第二基板220的制造工時(shí)，并且能夠使第二基板220的利用效率提高。

圖18是表示第二基板220的接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。接下來(lái)，制作布線圖案的導(dǎo)體材料和絕緣材料交替地層疊于基板221的表面，由此形成層疊電路部222。由此，在層疊電路部222形成電容元件144。通過(guò)使用這樣準(zhǔn)備的第二基板220作為基板，能夠?qū)D13所示的第一基板210及圖14所示的第三基板230層疊而制造包含直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，在層疊之前的第二基板220上未形成導(dǎo)通過(guò)孔224。由此，能夠利用容易污染基板的銅等來(lái)形成導(dǎo)通過(guò)孔224。而且，通過(guò)使用金屬作為形成電容元件144的導(dǎo)體材料，能夠形成MIM(metal-insulator-metal：金屬-絕緣層-金屬)構(gòu)造的電容元件144。由此，能夠降低電容元件的電阻而使層疊電路部222的電容密度提高。

圖19是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。對(duì)與圖5、圖13、圖14及圖18共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。

首先，使第一基板210的層疊電路部212與第二基板220的層疊電路部222相對(duì)，將第一基板210及第二基板220層疊并接合。由此，連接部219、229電耦合，第一基板210的受光部213、由電阻過(guò)孔225形成的電阻元件142和由第二基板220的配線部228形成的電容元件144耦合。

接下來(lái)，如圖20所示，在所接合的第一基板210及第二基板220中，通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨而使第二基板220的基板221薄化。由此，第二基板220中的電阻過(guò)孔225的一端在基板211的表面暴露。

接下來(lái)，如圖21所示，在形成貫通第二基板220的基板221的通孔之后填充導(dǎo)體材料，而在第二基板220形成導(dǎo)通過(guò)孔224。這樣一來(lái)，在第二基板220，導(dǎo)通過(guò)孔224及電阻過(guò)孔225準(zhǔn)備完畢。

接下來(lái)，如圖22所示，將第一基板210及第二基板220的層疊體層疊于第三基板230并接合。在此，使在第二基板220的基板221的表面暴露的導(dǎo)通過(guò)孔224及電阻過(guò)孔225與第三基板230的連接部239相對(duì)。由此，第三基板經(jīng)由第二基板220而與第一基板210耦合。需要說(shuō)明的是，在圖22中，第一基板210及第二基板220的層疊體從圖21所示的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。

接下來(lái)，如圖23所示，通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨而使第一基板的基板211薄化。由此，受光部213接近基板211的表面。如此，作為受光基板的第一基板210成為光從基板211側(cè)入射的背面照射型。這樣一來(lái)，圖5所示的直流成分除去部140完成。需要說(shuō)明的是，圖示的受光部213相當(dāng)于1像素量，在檢測(cè)裝置100中，多個(gè)圖示的構(gòu)造呈矩陣狀反復(fù)形成。

需要說(shuō)明的是，在上述的例子中，在將第二基板220接合于第一基板210之后形成導(dǎo)通過(guò)孔224。然而，在使用鎢、Sn-Bi系材料等那樣耐熱性高且難以污染基板的材料作為導(dǎo)通過(guò)孔224的材料的情況下，也可以設(shè)為將導(dǎo)通過(guò)孔224與電阻過(guò)孔225一同在接合前先形成的次序。

另外，第一基板210、第二基板220及第三基板230也可以通過(guò)在將形成有多個(gè)裸片的晶圓一并層疊及接合之后進(jìn)行切割的晶圓到晶圓(wafer to wafer)而進(jìn)行層疊及接合。而且，也可以通過(guò)對(duì)于晶圓上的多個(gè)裸片分別層疊并接合另行準(zhǔn)備的裸片的芯片到晶圓(chip to wafer)而將第一基板210、第二基板220及第三基板230進(jìn)行層疊及接合。而且，也可以通過(guò)將一對(duì)裸片層疊的芯片到芯片(chip to chip)而將第一基板210、第二基板220及第三基板230接合。

圖24是說(shuō)明與第一基板210的受光部213相關(guān)的布局的俯視圖。在圖23之前所示的例子中，配線部218耦合于受光部213的緣部附近。然而，也可以如圖24所示，將配線部218、連接部219等在受光部213的面方向上的中央進(jìn)行連接。由此，將光電轉(zhuǎn)換元件130產(chǎn)生的電荷各向同性且平衡地傳遞，所輸出的信號(hào)強(qiáng)度穩(wěn)定。

圖25是其他直流成分除去部340的電路圖。需要說(shuō)明的是，直流成分除去部340除了如下說(shuō)明的部分之外，濾波部141及輸出部143的各自的構(gòu)造與直流成分除去部140相比沒(méi)有變化。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

直流成分除去部340在對(duì)形成于第一基板210的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件130耦合有單一的直流成分除去部340這方面具有與直流成分除去部140不同的構(gòu)造。光電轉(zhuǎn)換元件130分別經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件342而與電阻元件142及電容元件144耦合。

開(kāi)關(guān)元件342互斥地導(dǎo)通，并將多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件130中的任一光電轉(zhuǎn)換元件與直流成分除去部140耦合。由此，能夠?qū)﹄娐芬?guī)模大的直流成分除去部140、乘法器150及低通濾波器160配置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件130，因此能夠使檢測(cè)裝置100的開(kāi)口率提高。

圖26是單獨(dú)表示能形成包含直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100的其他第一基板310的示意性的剖視圖。第一基板310具有基板211及層疊電路部212。

在第一基板310中，基板211具有使雜質(zhì)擴(kuò)散而形成的受光部213。而且，層疊電路部212具有配線部218。受光部213形成在配線部218之間通過(guò)層疊電路部212對(duì)入射光進(jìn)行受光的表面照射型的光電轉(zhuǎn)換元件130。需要說(shuō)明的是，在圖示的階段，第一基板310不具有連接部219。

圖27是表示直流成分除去部140的制造過(guò)程的圖。在使用第一基板310制造包含直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100的情況下，首先，在第一基板310的層疊電路部212側(cè)，即在圖26的圖中上側(cè)、圖27的圖中下側(cè)，粘貼晶圓支撐件214。

接下來(lái)，如圖28所示，在將晶圓支撐件214側(cè)固定的狀態(tài)下對(duì)第一基板310的基板211進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨而使第一基板310薄化。第一基板310由晶圓支撐件214支承，因此即使進(jìn)行薄化也能夠安全地處理。

接下來(lái)，如圖29所示，從第一基板310的基板211側(cè)穿設(shè)通孔而填充導(dǎo)電材料，形成連接部219。直至該階段，第一基板310中，使連接部219準(zhǔn)備完畢。

接下來(lái)，如圖30所示，對(duì)第一基板310層疊并接合第二基板220。在此所層疊的第二基板220在圖18中單獨(dú)示出，具有與在圖19所示的階段層疊于第一基板210的結(jié)構(gòu)相同的構(gòu)造。

在將第二基板220層疊于第一基板310的情況下，第一基板310的連接部219與第二基板的連接部229以相對(duì)的朝向?qū)盈B。由此，第一基板210的配線部218通過(guò)連接部219、229而與第二基板的電阻過(guò)孔225電耦合。

接下來(lái)，如圖31所示，將粘貼于第一基板310的晶圓支撐件214固定，通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨使第二基板220的基板221薄化。由此，第二基板220中的電阻過(guò)孔225的一端在基板211的表面暴露。

接下來(lái)，如圖32所示，穿設(shè)將第二基板220的基板221貫通的通孔并利用導(dǎo)體材料填充。由此，在第二基板220形成導(dǎo)通過(guò)孔224。這樣一來(lái)，在第二基板220，導(dǎo)通過(guò)孔224及電阻過(guò)孔225準(zhǔn)備完畢。

接下來(lái)，如圖33所示，將第一基板310及第二基板220的層疊體層疊于第三基板230并接合。在此所層疊的第三基板230在圖14中單獨(dú)示出，具有與在圖22所示的階段層疊于第二基板220的結(jié)構(gòu)相同的構(gòu)造。

在層疊第三基板230的情況下，使在第二基板220的基板221的表面暴露的導(dǎo)通過(guò)孔224及電阻過(guò)孔225與第三基板230的連接部239相對(duì)。由此，第三基板經(jīng)由第二基板220而與第一基板310耦合。需要說(shuō)明的是，在圖33中，第一基板310及第二基板220的層疊體從圖32所示的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。

接下來(lái)，如圖34所示，從第一基板310剝離晶圓支撐件214。這樣一來(lái)，第一基板310的層疊電路部212朝向外部暴露，具有表面照射型的受光部213的檢測(cè)裝置100完成。需要說(shuō)明的是，圖示的受光部213相當(dāng)于1像素量，在檢測(cè)裝置100中，多個(gè)圖示的構(gòu)造呈矩陣狀反復(fù)形成。

在上述的實(shí)施方式中，列舉使用功能過(guò)孔來(lái)形成鎖定檢測(cè)裝置的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明。然而，使用具有功能過(guò)孔的基板的構(gòu)造可以在所有層疊半導(dǎo)體裝置中使用。而且，具備功能過(guò)孔的基板也可以出于層疊于其他半導(dǎo)體裝置的目的而例如作為插件而以單體供給。

圖35是其他直流成分除去部350的電路圖。直流成分除去部350形成于在具有光電轉(zhuǎn)換元件130的第一基板210上層疊的第二基板240。在第二基板240具有濾波部141及輸出部143。在此，輸出部143的構(gòu)造具有與圖3所示的直流成分除去部140的輸出部143相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略重復(fù)的說(shuō)明。

在直流成分除去部350，濾波部141具有晶體管部243及電容元件244。換言之，直流成分除去部350具有在圖3的直流成分除去部140將電阻元件142替換為晶體管部243后的構(gòu)造。

圖36是表示由MOS-FET等場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成的晶體管部243的特性的坐標(biāo)圖。在晶體管部243中，在柵極及源極之間的電壓V_gs低的情況下，漏極電流I_ds依賴于柵極源極電壓V_gs而增加。

另一方面，在晶體管部243中，在源極及漏極之間的電壓V_ds大于柵極及源極之間的電壓V_gs與閾值電壓V_T之差(V_gs-V_T)的區(qū)域中，成為漏極電流I_ds飽和的飽和區(qū)域。在飽和區(qū)域中，源極及漏極之間猶如恒流元件那樣進(jìn)行動(dòng)作。再次參見(jiàn)圖35，在直流成分除去部350中，通過(guò)使晶體管部243在飽和區(qū)域動(dòng)作，能夠與電容元件244協(xié)作而形成高通濾波器。

直流成分除去部350通過(guò)使用晶體管部243，能夠不依賴于元件的尺寸而形成具有低截止頻率的濾波部141。由此，能夠從光電轉(zhuǎn)換元件130的輸出信號(hào)中切斷比截止頻率低的頻帶，使背景光成分衰減，并且使輸出部143的運(yùn)算放大器146在具有有效的增益的頻帶動(dòng)作。

圖37是表示在制造包含圖35所示的直流成分除去部350的檢測(cè)裝置100時(shí)準(zhǔn)備的第二基板240的制造過(guò)程的示意性的剖視圖。

首先，在由單晶硅形成的基底基板241中的P型阱區(qū)域247，通過(guò)蝕刻形成作為凹部的溝道245。溝道245在基底基板241的厚度方向上具有在P型阱區(qū)域247內(nèi)封閉的底面。因此，溝道245未貫通基底基板241。

圖38是表示第二基板240的接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。接下來(lái)，在基底基板241的P型阱區(qū)域247形成凹部，使N型雜質(zhì)向該凹部?jī)?nèi)擴(kuò)散而形成多個(gè)擴(kuò)散層246。在此，在基底基板241的圖中上側(cè)的表面形成的擴(kuò)散層246形成晶體管部243等的漏極或源極。而且，在溝道245的內(nèi)表面形成的擴(kuò)散層形成電容元件144的一端。

圖39是表示第二基板240的再接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。接下來(lái)，使氧化膜等電介質(zhì)膜254堆積于基底基板241的溝道245的內(nèi)表面。而且，在擴(kuò)散層246的表面由電介質(zhì)膜254覆蓋的狀態(tài)下，利用由導(dǎo)體形成的導(dǎo)通過(guò)孔252填充溝道245的內(nèi)部。這樣一來(lái)，在第二基板240形成埋設(shè)于基底基板241的電容元件244。

圖40是表示第二基板240的再接下來(lái)的制造過(guò)程的圖。接下來(lái)，使導(dǎo)體層與絕緣體層交替地堆積于形成有電容元件244及擴(kuò)散層246的基底基板241的圖中上側(cè)的表面，而形成層疊電路部242。層疊電路部242還包含與一對(duì)擴(kuò)散層246一起形成晶體管部243的柵極電極248。而且，在層疊電路部242的最表面還包含在與第一基板210接合的情況下進(jìn)行電連接的連接部229。這樣一來(lái)，形成第二基板240。

圖41是使用上述的第二基板240和圖13所示的第一基板210形成的直流成分除去部350的示意性的截面。需要說(shuō)明的是，圖41中一并示出圖37至圖40中為了表示層構(gòu)造的要素而使用的附圖標(biāo)記和圖35中為了表示元件而使用的附圖標(biāo)記。

如圖所示，在層疊有第一基板210及第二基板240的情況下，光電轉(zhuǎn)換元件130的一端通過(guò)配線部218及連接部219而與第二基板220的連接部229連接。第二基板240的連接部229通過(guò)層疊電路部242的配線而與晶體管部243的一端、電容元件244的一端分別連接。由此，在第二基板240形成有濾波部141。

另外，在第二基板240中，通過(guò)層疊電路部242的其他區(qū)域的配線及元件而形成輸出部143等。這樣一來(lái)，能夠?qū)⒌谝换?10及第二基板240這兩張基板層疊，而形成檢測(cè)裝置100。在此，在第一基板210專門形成光電轉(zhuǎn)換元件130，因此在檢測(cè)裝置100中，形成高密度的受光部。而且，在第二基板240中，使用作為電阻元件在飽和區(qū)域進(jìn)行動(dòng)作的晶體管部243和埋設(shè)于基底基板241的電容元件244來(lái)形成濾波部141，因此濾波部141中的基底基板241的利用效率高。

需要說(shuō)明的是，利用溝道245形成的電容元件244也可以用于形成圖3所示的直流成分除去部140的情況。因此，具備直流成分除去部140的檢測(cè)裝置100也可以由形成有光電轉(zhuǎn)換元件130的第一基板210和由溝道形成且形成有電容元件244的第二基板240這兩張基板形成。

圖42是具有另一構(gòu)造的直流成分除去部351的電路圖。直流成分除去部351除了接下來(lái)說(shuō)明的部分之外，具有與圖35所示的直流成分除去部350相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

直流成分除去部351在具有配置于濾波部141的電容元件341及開(kāi)關(guān)元件344這方面，與直流成分除去部140不同。電容元件341與在飽和區(qū)域作為有源電阻元件進(jìn)行動(dòng)作的晶體管部243的控制端子連接。開(kāi)關(guān)元件344對(duì)電容元件341連接或切斷偏壓電源。

在開(kāi)關(guān)元件344將偏壓電源與電容元件341連接的情況下，電容元件341被充電，產(chǎn)生向晶體管部243的控制端子施加的電壓。即使在開(kāi)關(guān)元件344從電容元件341切斷了偏壓電源的情況下，電容元件341也維持向晶體管部243的控制端子施加的電壓。而且，偏壓電源不再對(duì)電容元件341充電，因此直流成分除去部351的消耗電力受到抑制。

圖43是表示直流成分除去部351的動(dòng)作的時(shí)序圖。包含直流成分除去部351的檢測(cè)裝置100開(kāi)始動(dòng)作的起初，與光電轉(zhuǎn)換元件130連接的開(kāi)關(guān)元件342打開(kāi)，與晶體管部243及電容元件341連接的開(kāi)關(guān)元件344關(guān)閉。由此，電容元件341通過(guò)從偏壓電源供給的電力而被充電。因此，在電容元件341的兩端之間產(chǎn)生電位差。

在圖示的時(shí)刻P，首先，打開(kāi)開(kāi)關(guān)元件344。由此，從偏壓電源向電容元件244的電流被切斷，但是電容元件341的兩端的電位差被維持。因此，由被充電的電容元件341產(chǎn)生的電壓向晶體管部243的控制端子施加。該狀態(tài)維持至由于不可避免的漏電流而電容元件341的充電量下降為止。如此，直流成分除去部351能夠不使偏壓電流流動(dòng)而維持晶體管部243在飽和區(qū)域的動(dòng)作。

接下來(lái)，在圖示的時(shí)刻Q，關(guān)閉開(kāi)關(guān)元件343，光電轉(zhuǎn)換元件130與晶體管部243連接。由此，由晶體管部243及電容元件244所形成的高通濾波器進(jìn)行濾波后的信號(hào)向輸出部143輸出。需要說(shuō)明的是，作為直流成分除去部351中的開(kāi)關(guān)元件343、344，可以使用能夠通過(guò)電控制而反復(fù)開(kāi)閉的晶體管等。

圖44是具有又一構(gòu)造的直流成分除去部352的電路圖。直流成分除去部352除了如下說(shuō)明的部分之外，具有與圖35所示的直流成分除去部350相同的構(gòu)造。因此，對(duì)共通的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

直流成分除去部352具有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件345及多個(gè)晶體管部243。多個(gè)晶體管部243的各自的一端經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件345而單獨(dú)地與電容元件144連接。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件345單獨(dú)地開(kāi)閉，在關(guān)閉的情況下，將所對(duì)應(yīng)的晶體管部243與電容元件144連接。

因此，直流成分除去部352通過(guò)選擇進(jìn)行連接的開(kāi)關(guān)元件345，能夠使濾波部141的特性變化。由此，通過(guò)開(kāi)關(guān)元件345的設(shè)定，能夠電氣性地調(diào)整由制造公差引起的濾波部141特性的偏差。而且，能夠根據(jù)檢測(cè)裝置100的用途，使在濾波部141中應(yīng)濾波的頻帶變化。

作為濾波部141中的開(kāi)關(guān)元件345，在從外部電氣性地控制開(kāi)閉的情況下，可以使用晶體管等控制元件。而且，在用于制造誤差的調(diào)整那樣僅1次的調(diào)整的情況下，可以使用熔斷保險(xiǎn)絲等一次性元件。

需要說(shuō)明的是，圖示的濾波部141具備4組開(kāi)關(guān)元件345及晶體管部243，但是能夠選擇的晶體管部243的個(gè)數(shù)當(dāng)然并不局限于4。而且，多個(gè)晶體管部243的特性可以彼此相同，也可以彼此不同。例如，晶體管部243的特性也可以以成為利用JIS的JISZ8601、C5063等確定的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)列的方式組合。由此，能夠使濾波部141的特性在大范圍內(nèi)變化。此外，也可以除了晶體管部243之外，還加上較小的固定電阻元件，來(lái)對(duì)濾波部141的特性進(jìn)行微調(diào)。

另外，在圖示的例子中，通過(guò)變更所連接的晶體管部243而使在濾波部141中確定截止頻率的電阻值變化，但也可以使其他特性、例如Gm值及電容值中的至少一方可變。此外，也可以調(diào)整對(duì)它們加入了電阻值的幾個(gè)特性值。

此外，在上述的例子中，分別說(shuō)明了形成貫通基板的無(wú)源元件的情況和未貫通基板而形成無(wú)源元件的情況。然而，當(dāng)然也可以使貫通的無(wú)源元件與未貫通的無(wú)源元件混合，此外，當(dāng)然也可以還混合有在基板的表面形成的無(wú)源元件。

另外，在上述的例子中，示出了光電轉(zhuǎn)換元件130和直流成分除去部140形成在彼此不同的基板上的例子，但也可以取代于此，將光電轉(zhuǎn)換元件130及直流成分除去部140形成于同一基板。在這種情況下，如上所述，對(duì)每個(gè)像素，或者對(duì)包含至少一定數(shù)量的像素在內(nèi)的每個(gè)組設(shè)置直流成分除去部140。

另外，示出了濾波部141的電阻元件142及電容元件144彼此形成于同一基板的例子，但也可以取代于此，將電阻元件142及電容元件144分別形成于互相層疊的不同的兩個(gè)基板。

以上，使用實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，但是本發(fā)明的技術(shù)范圍沒(méi)有限定于上述實(shí)施方式記載的范圍。能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式施加多種變更或改良，這對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是不言自明的。這樣的施加了變更或改良的方式也可以包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍，這根據(jù)權(quán)利要求書的記載可以明確得知。

權(quán)利要求書、說(shuō)明書及附圖中所示的裝置、系統(tǒng)、程序及方法中的動(dòng)作、次序、步驟及階段等的各處理的執(zhí)行順序未特別明示為“更靠前”、“之前”等，而且應(yīng)留意的是，只要不是在后續(xù)的處理中使用前續(xù)的處理的輸出，就能夠以任意的順序來(lái)實(shí)現(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求書、說(shuō)明書及附圖中的動(dòng)作流程，即便為了方便起見(jiàn)而使用“首先，”、“接下來(lái)，”等進(jìn)行了說(shuō)明，也并不是指必須按照該順序來(lái)實(shí)施。

符號(hào)說(shuō)明

100 檢測(cè)裝置，110 檢測(cè)對(duì)象物，111 自然光源，112 自然光，113 照明光源，114 調(diào)制照明光，120 反射光，122 參考信號(hào)，124 信號(hào)，130 光電轉(zhuǎn)換元件，140、340、350、351、352 直流成分除去部，141 濾波部，142 電阻元件，143 輸出部，144、244、341 電容元件，146 運(yùn)算放大器，148 電阻元件，150 乘法器，160 低通濾波器，210、310 第一基板，211、221、231 基板，212、222、232、242 層疊電路部，213 受光部，214 晶圓支撐件，218、228、238 配線部，219、229、239 連接部，220、240 第二基板，223、233、243 晶體管部，224、252 導(dǎo)通過(guò)孔，225 電阻過(guò)孔，226 柱，227 氧化膜，230 第三基板，241 基底基板，245 溝道，246、256 擴(kuò)散層，247 P型阱區(qū)域，248 柵極電極，250 電容過(guò)孔，254 電介質(zhì)膜，251 通孔，342、343、344、345 開(kāi)關(guān)元件。