1.一種檢測(cè)元件，具備：
多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)；及
多個(gè)濾波電路，與所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置，或者與分別包含所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中的規(guī)定個(gè)數(shù)的所述光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)元件組分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置，從由所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件輸出的所述電信號(hào)中，使具有規(guī)定頻率的信號(hào)衰減。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)元件，其中，
所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件設(shè)于第一基板，
所述多個(gè)濾波電路設(shè)于層疊于所述第一基板的第二基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)元件，其中，
所述濾波電路使與所述入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的頻率成分從所述電信號(hào)中衰減。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)元件，其中，
所述濾波電路具有電阻元件，所述電阻元件設(shè)于在所述第二基板形成的凹部或貫通孔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)元件，其中，
所述第二基板具有基板和設(shè)在所述基板上的配線層，
所述凹部或所述貫通孔形成于所述基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻元件具有比從所述光電轉(zhuǎn)換元件接收所述電信號(hào)的配線高的電阻值。
7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻元件具有比從所述光電轉(zhuǎn)換元件接收所述電信號(hào)的配線的直徑大的直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻元件的至少一部分由多晶硅形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求4～8中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述第二基板具有沿厚度方向貫通所述第二基板而進(jìn)行電連接的導(dǎo)通過(guò)孔，所述電阻元件具有比所述導(dǎo)通過(guò)孔高的電阻值。
10.根據(jù)權(quán)利要求4～9中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻元件在所述第一基板的面方向上配置于所述光電轉(zhuǎn)換元件的中心。
11.根據(jù)權(quán)利要求2、4～10中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述濾波電路具有電容元件，所述電容元件設(shè)于在所述第二基板形成的凹部或貫通孔內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測(cè)元件，其中，
所述第二基板具有沿厚度方向貫通所述第二基板而進(jìn)行電連接的導(dǎo)通過(guò)孔，
所述電容元件具有比所述導(dǎo)通過(guò)孔大的電容量。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電容元件包括相對(duì)于貫通所述第二基板的中心軸呈同軸狀地形成的一對(duì)電極和被所述一對(duì)電極夾著的環(huán)狀的電介質(zhì)，并沿所述第二基板的厚度方向延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電容元件包括形成于所述第一基板的電極和形成于所述第二基板的電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求2、4～14中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述第二基板具有電阻電路，所述電阻電路包含在飽和區(qū)域進(jìn)行動(dòng)作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻電路包含控制電路，在所述光電轉(zhuǎn)換元件未受光的情況下，所述控制電路將所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間的電流切斷。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻電路具有電容元件，所述電容元件保持向所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制端子施加的控制電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求15～17中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述電阻電路包含單獨(dú)導(dǎo)通的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測(cè)元件，其中，
在所述電阻電路中變化的電特性包括gm值、電阻值及電容值中的至少一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的檢測(cè)元件，其中，
所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有彼此相同的特性。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的檢測(cè)元件，其中，
所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有彼此不同的特性。
22.根據(jù)權(quán)利要求1～21中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述濾波電路的截止頻率為100Hz以上且100KHz以下。
23.根據(jù)權(quán)利要求2、4～21中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件，其中，
所述檢測(cè)元件具備多個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件，所述第二基板具有與所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)所述濾波電路。
24.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)元件，其中，
所述第二基板具有多個(gè)基板，所述濾波電路具有電阻元件和電容元件，所述電阻元件和所述電容元件分別設(shè)于彼此不同的所述基板。
25.一種檢測(cè)元件，具備：
光電轉(zhuǎn)換元件，輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)；
降低部，從由所述光電轉(zhuǎn)換元件輸出的所述電信號(hào)中，使與所述入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的背景光成分降低；及
乘法部，將由所述降低部降低了所述背景光成分的所述電信號(hào)與進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的參考信號(hào)相乘。
26.一種檢測(cè)元件，具備：
第一基板，具有輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換元件；及
第二基板，具有降低部，所述降低部從由所述光電轉(zhuǎn)換元件輸出的所述電信號(hào)中使與所述入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的成分降低，所述第二基板層疊于所述第一基板。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的檢測(cè)元件，其中，
所述降低部具有濾波電路。
28.一種鎖定檢測(cè)裝置，具備權(quán)利要求1～27中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)元件。
29.一種基板，具有基板和配置于在所述基板形成的凹部或貫通孔內(nèi)的電容元件。
30.一種檢測(cè)元件的制造方法，包括：
第一步驟，形成輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件；及
第二步驟，與所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件分別對(duì)應(yīng)地、或者與分別包含所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中的規(guī)定個(gè)數(shù)的所述光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)元件組分別對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)濾波電路，所述多個(gè)濾波電路從由所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件輸出的所述電信號(hào)中使具有規(guī)定頻率的信號(hào)衰減。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的檢測(cè)元件的制造方法，其中，
所述第一步驟包括將所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件形成于第一基板的步驟，
所述第二步驟包括將所述多個(gè)濾波電路形成于第二基板的步驟，
所述檢測(cè)元件的制造方法包括將所述第一基板與所述第二基板相互層疊的第三步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的檢測(cè)元件的制造方法，其中，
包括如下步驟：
在所述第二基板形成凹部或貫通孔；及
在所述凹部或所述貫通孔內(nèi)形成作為所述濾波電路的電阻元件發(fā)揮功能的電阻過(guò)孔。
33.根據(jù)權(quán)利要求31或32所述的檢測(cè)元件的制造方法，其中，
包括在將所述第一基板和所述第二基板層疊之后在所述第二基板形成導(dǎo)通用的導(dǎo)通過(guò)孔的步驟。
34.一種檢測(cè)元件的制造方法，包括如下步驟：
在第一基板形成輸出與入射光相應(yīng)的電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換元件；
在第二基板形成降低部，所述降低部從由所述光電轉(zhuǎn)換元件輸出的所述電信號(hào)中使與所述入射光中包含的背景光對(duì)應(yīng)的成分降低；及
將所述第一基板與所述第二基板相互層疊。