本發(fā)明涉及醫(yī)療影像診斷領(lǐng)域，特別是涉及一種像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法。

背景技術(shù)：

平板圖像傳感器，通常應(yīng)用于醫(yī)療輻射成像、工業(yè)探傷、安檢等領(lǐng)域。平板圖像傳感器，特別是大尺寸圖像傳感器，面積通常數(shù)十厘米，數(shù)百萬至千萬像素，在X射線圖像探測(cè)器的應(yīng)用中，一般要求面積達(dá)到43cm*43cm，所以目前都是采用非晶硅技術(shù)。

如圖1所示，平板圖像傳感器一般包括：基板，其材質(zhì)可以是玻璃或塑料等材料，所有的傳感器都放置于基板上；像素，以二維陣列排布在基板上，每個(gè)像素一般包括1個(gè)光電二極管(photodiode)及一個(gè)開頭元件(TFT)，光電二極管與開關(guān)的連接點(diǎn)為像素電極；用于控制各像素的掃描線及數(shù)據(jù)線；用于提供光電二極管電壓的公共電極。其基本原理如下：公共電極施加一負(fù)電壓(比如-8V)將光電二極管置于反偏狀態(tài)，數(shù)據(jù)線接0V或其他電位，掃描線接低電壓或高電壓以便將TFT開關(guān)關(guān)閉或打開。為了形成大面積的二維的圖像傳器，通常TFT開關(guān)及光電二極管的有源半導(dǎo)體層都采用非晶硅材料。這是由于非晶硅材料可以大面積成膜，可以達(dá)到數(shù)十厘米或更大，這是目前古惑仔材料所不具備的。非晶硅材料對(duì)可見光非常靈感，所以光電二極管也用非晶硅材料。

如圖1及圖2所示，在工作時(shí)：

第一步：復(fù)位，掃描線施加正向脈沖(通常15V左右)將TFT開關(guān)打開，使像素電極與數(shù)據(jù)線電位相等，然后TFT開關(guān)恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。

第二步：曝光，當(dāng)光照后，光電二極管將入射光轉(zhuǎn)換為光電荷，在光電二極管兩端電壓的電場(chǎng)作用下，電荷向像素電極移動(dòng)，并存儲(chǔ)到自身的電容當(dāng)中，像素電極由于負(fù)電荷的累積而降低，直到降至與公共電位同等電位。

第三步：讀出，掃描線施加正向脈沖(通常15V左右)將TFT開關(guān)打開，光電二極管產(chǎn)生的光電荷通過數(shù)據(jù)線流到外部電路，完成一行數(shù)據(jù)讀取，TFT開關(guān)關(guān)閉。

注意，這里采用的是逐行計(jì)出。即處于同一行的所有像素的TFT開關(guān)的柵極全部電性相連，處于同一列的所有像素的TFT開關(guān)的漏極電性相連，讀出時(shí)采用逐行讀出。即同一行的所有像素同時(shí)打開，經(jīng)各自的數(shù)據(jù)線讀出，關(guān)閉本行，再進(jìn)行下一行的讀出。

但是，當(dāng)前技術(shù)存在以下問題：

首先，在曝光時(shí)，隨著曝光劑量的增加像素電極的電壓降低，直到與公共電極同等的電位。這里光電二極管兩端的電壓為0，這時(shí)如果曝光劑量再繼續(xù)增加，光電二極管產(chǎn)生的光電荷由于沒有電場(chǎng)將其移動(dòng)到像素電極而被光電二極管非晶硅本身的缺陷及懸掛鍵捕獲，這里被捕獲的電荷處于非穩(wěn)定狀態(tài)，會(huì)在曝光結(jié)束后緩慢釋放，如果在進(jìn)行下一次曝光時(shí)，前一次曝光當(dāng)中這些被非晶硅捕獲的電荷的釋放將被讀出，形成殘影。

為了解決殘影問題，可以將光電二極管兩端的電壓加大，使得光電二極管可以接受更大的曝光劑量。但這更大的電壓同時(shí)增加了光電二極管和TFT開關(guān)的漏電流，對(duì)圖像造成不良影響。在讀取某一行n時(shí)，其他行的TFT開關(guān)由于公共電壓的增加而引起TFT開關(guān)漏電流增加，這部分漏電流將與第n行一起被讀出，從而形成串?dāng)_?？梢越档蚑FT開關(guān)關(guān)閉時(shí)的Vg以降低漏電流，但這將引起低劑量曝光時(shí)的漏電流增加。

如圖3所示，為了解決殘影問題，專利US 8624196B2提出，除了正常開關(guān)用的TFT開關(guān)T1，在像素中增加一個(gè)TFT開關(guān)T2，當(dāng)曝光劑量增加到一定量后，該TFT將多余的光電荷釋放掉，使光電二極管兩端始終保持有一個(gè)壓差，即兩端始終有電場(chǎng)存在，這個(gè)電場(chǎng)將光電荷迅速拉到像素電極，而不被非晶硅的缺陷捕獲，從而達(dá)到降低或消除殘影的目的。但US8624196B2專利的問題是，增加一個(gè)TFT開關(guān)，是將多余的信號(hào)泄露掉，雖然能夠降低殘影，但泄露掉的電荷沒有被有效收集利用，一定程度上降低了像素的滿井電荷。

因此，如何有效解決平板圖像傳感器的殘影和串?dāng)_問題，同時(shí)增加像素的滿井電荷，提高圖像的質(zhì)量已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中殘影、串?dāng)_對(duì)圖像質(zhì)量產(chǎn)生影響，同時(shí)像素滿井電荷降低等問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種像素陣列，所述像素陣列至少包括：

以二維陣列排列的多個(gè)像素單元，同一行像素單元連接同一掃描線，同一列像素單元連接同一數(shù)據(jù)線；

各像素單元包括：第一開關(guān)、光電二極管、第二開關(guān)及儲(chǔ)能電容，所述第一開關(guān)的第一電極連接數(shù)據(jù)線、第二電極連接第一掃描線、第三電極連接所述光電二極管的陰極，所述光電二極管的陽極連接公共電位；所述第二開關(guān)的第一電極連接所述第一開關(guān)的第三電極、第二電極連接第二掃描線、第三電極連接所述儲(chǔ)能電容的一端，所述儲(chǔ)能電容的另一端連接所述公共電位。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)的閾值電壓大于所述第二開關(guān)的閾值電壓。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)為薄膜晶體管。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)為NMOS器件。

優(yōu)選地，上一行像素單元的第二掃描線與下一行像素單元的第一掃描線連接同一信號(hào)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明還提供一種降低圖像串?dāng)_的讀出方法，所述降低圖像串?dāng)_的讀出方法基于上述像素陣列，至少包括：

復(fù)位：同時(shí)開啟第一開關(guān)及第二開關(guān)，將儲(chǔ)能電容復(fù)位至第一電位；開啟所述第一開關(guān)，關(guān)閉所述第二開關(guān)，將光電二極管的電容復(fù)位至第二電位；所述第一電位小于所述第二電位；

曝光：關(guān)閉所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)，開始曝光，隨著曝光劑量的增加，所述光電二極管的電容的電位降低，當(dāng)所述光電二極管的電容的電位低于所述第二開關(guān)的柵端電壓時(shí)，所述第二開關(guān)開始開啟，所述光電二極管的電容中多余的電荷全部轉(zhuǎn)移到所述儲(chǔ)能電容中；

讀出：曝光結(jié)束后，首先，逐行開啟所述第一開關(guān)，依次讀出所述光電二極管的電容中儲(chǔ)存的電荷；然后讀出或清空所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷。

優(yōu)選地，公共電位低于所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位。

優(yōu)選地，在讀出所述光電二極管的電容及所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷之前，分別將所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位降低至第三電位。

更優(yōu)選地，所述第三電位為實(shí)際薄膜晶體管的I-V曲線中最低漏電流所對(duì)應(yīng)的柵端電壓。

優(yōu)選地，讀出所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：

關(guān)閉所述第一開關(guān)，開啟所述第二開關(guān)，將所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷轉(zhuǎn)移至所述光電二極管的電容中；開啟所述第一開關(guān)，關(guān)閉所述第二開關(guān)，將所述光電二極管的電容中存儲(chǔ)的電荷讀出，以此實(shí)現(xiàn)所述儲(chǔ)能電容中電荷的讀出。

優(yōu)選地，清空所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：

同時(shí)開啟所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)，將所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷釋放。

如上所述，本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法，具有以下有益效果：

1、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可自動(dòng)調(diào)節(jié)動(dòng)態(tài)范圍，圖像不會(huì)受到影響。

2、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可讀出過曝光的信號(hào)，豐富圖像信息。

3、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法增加了儲(chǔ)能電容，改變滿井，降低了殘影，提高了圖像質(zhì)量。

4、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可泄露掉多余的電荷，降低殘影。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的平板圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的平板圖像傳感器的工作時(shí)序示意圖。

圖3顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的解決殘影問題的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明的像素陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明的降低圖像串?dāng)_的讀出方法的各點(diǎn)波形示意圖。

圖6顯示為薄膜晶體管的I-V曲線示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說明

T1～T2 開關(guān)

PD 光電二極管

C1～C2 電容

Data1～Data2 數(shù)據(jù)線

Gate1～Gate2 掃描線

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖4～圖6。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖4所示，本發(fā)明提供一種像素陣列，所述像素陣列至少包括：

以二維陣列排列的多個(gè)像素單元，在本實(shí)施例中，所述像素陣列為2*2的陣列。同一行像素單元連接同一掃描線Gate，同一列像素單元連接同一數(shù)據(jù)線Data。

如圖4所示，各像素單元包括：第一開關(guān)T1、光電二極管PD、第二開關(guān)T2及儲(chǔ)能電容C2。

具體地，如圖4所示，所述第一開關(guān)T1的第一電極連接數(shù)據(jù)線、第二電極連接第一掃描線Gate1、第三電極連接光電二極管PD的陰極。在本實(shí)施例中，所述第一開關(guān)T1為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，其類型為NMOS，所述第一開關(guān)T1的第一電極為漏端、第二電極為柵端、第三電極為源端。在實(shí)際應(yīng)用中，源端和漏端可互換，再此不一一贅述。

具體地，如圖4所示，所述光電二極管PD的陰極連接所述第一開關(guān)T1的第三電極、陽極連接公共電位Vcom。所述光電二極管PD作為光電轉(zhuǎn)換元件，可將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，其電容為C1。

具體地，如圖4所示，所述第二開關(guān)T2的第一電極連接所述第一開關(guān)T1的第三電極、第二電極連接第二掃描線Gate2、第三電極連接所述儲(chǔ)能電容C2的一端。在本實(shí)施例中，所述第二開關(guān)T2為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，其類型為NMOS，所述第二開關(guān)T2的第一電極為漏端、第二電極為柵端、第三電極為源端。在實(shí)際應(yīng)用中，源端和漏端可互換，再此不一一贅述。在本實(shí)施例中，所述第一開關(guān)T1的閾值電壓大于所述第二開關(guān)T2的閾值電壓，以確保過曝光后多余的電荷轉(zhuǎn)移至所述儲(chǔ)能電容C2。

具體地，如圖4所示，所述儲(chǔ)能電容C2的一端連接所述第二開關(guān)T2的第三電極、另一端連接所述公共電位Vcom。在本實(shí)施例中，所述儲(chǔ)能電容C2的容量大于所述光電二極管PD的電容的容量。

作為本發(fā)明的一具體實(shí)施方式，上一行像素單元的第二掃描線與下一行像素單元的第一掃描線連接同一信號(hào)。如圖4所示，第二掃描線Gate2同時(shí)連接第一行像素單元中的第二開關(guān)T2的柵極和第二行像素單元中的第一開關(guān)T1的柵極。

作為本發(fā)明的另一具體實(shí)施方式，所述第二掃描線可為獨(dú)立的控制線，與其他行掃描線不公用。

如圖4～圖6所示，本發(fā)明還提供一種降低圖像串?dāng)_的讀出方法，所述降低圖像串?dāng)_的讀出方法基于所述像素陣列，其工作原理如下：

復(fù)位：同時(shí)開啟第一開關(guān)T1及第二開關(guān)T2，將儲(chǔ)能電容C2復(fù)位至第一電位；開啟所述第一開關(guān)T1，關(guān)閉所述第二開關(guān)T2，將光電二極管PD的電容復(fù)位至第二電位；所述第一電位小于所述第二電位。

具體地，將所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2的柵端電壓均設(shè)定為高電壓，以開啟所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2，在本實(shí)施例中，所述第一開關(guān)T1的柵端電壓G_T1及所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2設(shè)定為15V。此時(shí)，數(shù)據(jù)線(Data1、Data2)被設(shè)定為第一電位，所述儲(chǔ)能電容C2復(fù)位至第一電位，在本實(shí)施例中，所述第一電位設(shè)定為-2V。將所述第一開關(guān)T1的柵端電壓G_T1維持在高電壓，以開啟所述第一開關(guān)T1；將所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2設(shè)定在低電壓，以關(guān)閉所述第二開關(guān)T2。在本實(shí)施例中，所述第一開關(guān)T1的柵端電壓G_T1設(shè)定為15V，所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2設(shè)定為-6V。此時(shí)，數(shù)據(jù)線(Data1、Data2)被設(shè)定為第二電位，所述光電二極管PD的電容C1復(fù)位至第二電位，在本實(shí)施例中，所述第二電位設(shè)定為1.68V。所述第一電位小于所述第二電位，所述第一電位及所述第二電位大于所述公共電位Vcom，在本實(shí)施例中，所述公共電位Vcom設(shè)定為-7v，所述第一電位設(shè)定為-2V，所述第二電位設(shè)定為1.68V。在實(shí)際使用，所述公共電位、所述第一電位及所述第二電位的具體值可根據(jù)實(shí)際需要做設(shè)定，不以本實(shí)施例為限。

曝光：關(guān)閉所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2，開始曝光，隨著曝光劑量的增加，所述光電二極管PD的電容C1的電位降低，當(dāng)所述光電二極管PD的電容C1的電位低于所述第二開關(guān)T2的柵端電壓時(shí)，所述第二開關(guān)T2開啟，所述光電二極管PD的電容C1中多余的電荷全部轉(zhuǎn)移到所述儲(chǔ)能電容C2中。

具體地，將所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2的柵端電壓降低至-6V，以關(guān)斷所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2。開始曝光，隨著曝光劑量的增加，所述光電二極管PD的電容C1的電位逐漸降低，當(dāng)所述光電二極管PD的電容C1的電位低于所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2(此時(shí)，所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2為-6V)時(shí)，由于，所述第一開關(guān)T1的閾值電壓大于所述第二開關(guān)T2的閾值電壓，所述第一開關(guān)T1處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二開關(guān)T2處于開啟狀態(tài)，所述光電二極管PD的電容C1中多余的電荷全部轉(zhuǎn)移到所述儲(chǔ)能電容C2中。在本實(shí)施例中，所述公共電位Vcom低于所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位(即，所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2的柵端電壓)，以保證過曝光時(shí)，多余的電荷可以泄露掉。

進(jìn)一步，在讀出所述光電二極管PD的電容C1中儲(chǔ)存的電荷之前，將所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位降低至第三電位，以保證讀出時(shí)漏電流最低而降低串?dāng)_。如圖6所示，所述第三電位為實(shí)際薄膜晶體管的I-V曲線中最低漏電流所對(duì)應(yīng)的柵端電壓。在本實(shí)施例中，所述第三電位設(shè)定為-10V。

讀出：曝光結(jié)束后，首先，逐行開啟所述第一開關(guān)T1，依次讀出所述光電二極管PD的電容C1中儲(chǔ)存的電荷。

具體地，逐行將各掃描線設(shè)置為高電壓，以逐行開啟所述第一開關(guān)T1，所述光電二極管PD的電容C1中儲(chǔ)存的電荷逐行被讀出，以此得到第一圖像，所述第一圖像用于常規(guī)應(yīng)用。

進(jìn)一步，在讀出所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷之前，將所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位降低至第三電位，以保證讀出時(shí)漏電流最低而降低串?dāng)_。如圖6所示，所述第三電位為實(shí)際薄膜晶體管的I-V曲線中最低漏電流所對(duì)應(yīng)的柵端電壓。在本實(shí)施例中，所述第三電位設(shè)定為-10V。

然后，根據(jù)需要開啟所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2，依次讀出或清空所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷。

具體地，讀出所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：所述第一開關(guān)T1的柵端電壓G_T1設(shè)定為-6V，以關(guān)閉所述第一開關(guān)T1；所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2逐行設(shè)定為15V，以逐行開啟所述第二開關(guān)T2，將各行所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷轉(zhuǎn)移至所述光電二極管PD的電容C1中。然后將所述第一開關(guān)T1的柵端電壓G_T1設(shè)定為15V，將所述第二開關(guān)T2的柵端電壓G_T2設(shè)定為-6V，逐行開啟所述第一開關(guān)T1，此時(shí)所述第二開關(guān)T2處于關(guān)閉狀態(tài)，所述光電二極管PD的電容C1中存儲(chǔ)的電荷被逐行讀出，以此實(shí)現(xiàn)所述儲(chǔ)能電容C2中電荷的讀出，以得到第二圖像，所述第二圖像用于查看高劑量輪廓。

具體地，清空所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：同時(shí)將所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2的柵端電壓設(shè)定為15V，開啟所述第一開關(guān)T1及所述第二開關(guān)T2，將所述儲(chǔ)能電容C2中儲(chǔ)存的電荷釋放清空。

本發(fā)明增加了所述儲(chǔ)能電容C2，曝光后所述光電二極管PD將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)后將電荷儲(chǔ)存于電容C1中，多余的電荷存儲(chǔ)在所述儲(chǔ)能電容C2中，能存儲(chǔ)的最大電荷量被增大(即滿井)；動(dòng)態(tài)范圍為最大信號(hào)量(滿井)與背景噪聲的比值，在最大信號(hào)量增大的情況下，動(dòng)態(tài)范圍得到擴(kuò)大，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)范圍的自動(dòng)調(diào)節(jié)。

本發(fā)明通過兩次讀出，可以得到兩幅圖像，可根據(jù)實(shí)際需求，選擇第一圖像，或第一圖像與第二圖像的疊加，也可以只看第二圖像，圖像評(píng)估者可以根據(jù)實(shí)際需要在幾幅圖像間隨意切換，豐富圖像信息。

如上所述，本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法，具有以下有益效果：

1、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可自動(dòng)調(diào)節(jié)動(dòng)態(tài)范圍，圖像不會(huì)受到影響。

2、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可讀出過曝光的信號(hào)，豐富圖像信息。

3、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法增加了儲(chǔ)能電容，改變滿井，降低了殘影，提高了圖像質(zhì)量。

4、本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法可泄露掉多余的電荷，降低殘影。

綜上所述，本發(fā)明提供一種像素陣列，包括：以二維陣列排列的多個(gè)像素單元，同一行像素單元連接同一掃描線，同一列像素單元連接同一數(shù)據(jù)線；各像素單元包括：第一開關(guān)、光電二極管、第二開關(guān)及儲(chǔ)能電容，所述第一開關(guān)的第一電極連接數(shù)據(jù)線、第二電極連接第一掃描線、第三電極連接所述光電二極管的陰極，所述光電二極管的陽極連接公共電位；所述第二開關(guān)的第一電極連接所述第一開關(guān)的第三電極、第二電極連接第二掃描線、第三電極連接所述儲(chǔ)能電容的一端，所述儲(chǔ)能電容的另一端連接所述公共電位。還提供一種降低圖像串?dāng)_的讀出方法，包括：復(fù)位：同時(shí)開啟第一開關(guān)及第二開關(guān)，將儲(chǔ)能電容復(fù)位至第一電位；開啟所述第一開關(guān)，關(guān)閉所述第二開關(guān)，將光電二極管的電容復(fù)位至第二電位；所述第一電位小于所述第二電位；曝光：關(guān)閉所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)，開始曝光，隨著曝光劑量的增加，所述光電二極管的電容的電位降低，當(dāng)所述光電二極管的電容的電位低于所述第二開關(guān)的柵端電壓時(shí)，所述第二開關(guān)開啟，所述光電二極管的電容中多余的電荷全部轉(zhuǎn)移到所述儲(chǔ)能電容中；讀出：曝光結(jié)束后，首先，逐行開啟所述第一開關(guān)，依次讀出所述光電二極管的電容中儲(chǔ)存的電荷；然后讀出或清空所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷。本發(fā)明的像素陣列及降低圖像串?dāng)_的讀出方法解決殘影和串?dāng)_問題，同時(shí)增加像素的滿井電荷，并且可動(dòng)態(tài)調(diào)整滿井電荷，有效提高圖像質(zhì)量。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。