1.一種像素陣列，其特征在于，所述像素陣列至少包括：
以二維陣列排列的多個(gè)像素單元，同一行像素單元連接同一掃描線，同一列像素單元連接同一數(shù)據(jù)線；
各像素單元包括：第一開(kāi)關(guān)、光電二極管、第二開(kāi)關(guān)及儲(chǔ)能電容，所述第一開(kāi)關(guān)的第一電極連接數(shù)據(jù)線、第二電極連接第一掃描線、第三電極連接所述光電二極管的陰極，所述光電二極管的陽(yáng)極連接公共電位；所述第二開(kāi)關(guān)的第一電極連接所述第一開(kāi)關(guān)的第三電極、第二電極連接第二掃描線、第三電極連接所述儲(chǔ)能電容的一端，所述儲(chǔ)能電容的另一端連接所述公共電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)的閾值電壓大于所述第二開(kāi)關(guān)的閾值電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)及所述第二開(kāi)關(guān)為薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)及所述第二開(kāi)關(guān)為NMOS器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于：上一行像素單元的第二掃描線與下一行像素單元的第一掃描線連接同一信號(hào)。
6.一種降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于，所述降低圖像串?dāng)_的讀出方法基于如權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的像素陣列，至少包括：
復(fù)位：同時(shí)開(kāi)啟第一開(kāi)關(guān)及第二開(kāi)關(guān)，將儲(chǔ)能電容復(fù)位至第一電位；開(kāi)啟所述第一開(kāi)關(guān)，關(guān)閉所述第二開(kāi)關(guān)，將光電二極管的電容復(fù)位至第二電位；所述第一電位小于所述第二電位；
曝光：關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)及所述第二開(kāi)關(guān)，開(kāi)始曝光，隨著曝光劑量的增加，所述光電二極管的電容的電位降低，當(dāng)所述光電二極管的電容的電位低于所述第二開(kāi)關(guān)的柵端電壓時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)開(kāi)始開(kāi)啟，所述光電二極管的電容中多余的電荷全部轉(zhuǎn)移到所述儲(chǔ)能電容中；
讀出：曝光結(jié)束后，首先，逐行開(kāi)啟所述第一開(kāi)關(guān)，依次讀出所述光電二極管的電容中儲(chǔ)存的電荷；然后讀出或清空所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于：公共電位低于所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于：在讀出所述光電二極管的電容及所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷之前，分別將所述第一掃描線及所述第二掃描線的電位降低至第三電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于：所述第三電位為實(shí)際薄膜晶體管的I-V曲線中最低漏電流所對(duì)應(yīng)的柵端電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于：讀出所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：
關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)，開(kāi)啟所述第二開(kāi)關(guān)，將所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷轉(zhuǎn)移至所述光電二極管的電容中；開(kāi)啟所述第一開(kāi)關(guān)，關(guān)閉所述第二開(kāi)關(guān)，將所述光電二極管的電容中存儲(chǔ)的電荷讀出，以此實(shí)現(xiàn)所述儲(chǔ)能電容中電荷的讀出。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低圖像串?dāng)_的讀出方法，其特征在于：清空所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷的具體步驟包括：
同時(shí)開(kāi)啟所述第一開(kāi)關(guān)及所述第二開(kāi)關(guān)，將所述儲(chǔ)能電容中儲(chǔ)存的電荷釋放。