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一種新型低頻增強(qiáng)音箱的制作方法

文檔序號(hào):12126273閱讀:545來(lái)源:國(guó)知局

本實(shí)用新型涉及一種音響的音箱,具體涉及一種新型低頻增強(qiáng)音箱。



背景技術(shù):

目前,常見(jiàn)的低頻增強(qiáng)音箱包括箱體、無(wú)源輻射器或/和倒相管和揚(yáng)聲器構(gòu)成,為了實(shí)現(xiàn)較佳的低頻聲音效果,此類低頻增強(qiáng)音箱的箱體尺寸一般都很大,而使放置位置受到限制;如果使用較小尺寸的揚(yáng)聲器,雖然可以使箱體尺寸能夠有效減小,但是由于小尺寸揚(yáng)聲器的低音反射諧振頻率(F0)無(wú)法做得足夠低,此類箱體一般無(wú)法實(shí)現(xiàn)較佳的低頻聲音效果;而且,近些年隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和智能手機(jī)的發(fā)展,使用者對(duì)播放音質(zhì)、特別是低音效果好且尺寸較小的音響的需求越來(lái)越高,所以傳統(tǒng)的低頻增強(qiáng)音箱已無(wú)法滿足這些使用要求。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的是提供一種新型低頻增強(qiáng)音箱,該新型低頻增強(qiáng)音箱通過(guò)采用內(nèi)嵌式的雙音箱的結(jié)構(gòu)形式,在增強(qiáng)音箱的低頻效果的同時(shí),還可以減少箱體尺寸。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所提供的一種新型低頻增強(qiáng)音箱,其包括第一箱體和內(nèi)嵌于所述第一箱體的內(nèi)部的第二箱體,所述第一箱體的前面板上設(shè)有揚(yáng)聲器,所述第二箱體設(shè)有出聲通道,所述出聲通道的出聲口連接所述第一箱體的前面板,所述第二箱體上設(shè)有低頻增強(qiáng)裝置。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述低頻增強(qiáng)裝置包括至少兩個(gè)無(wú)源輻射器,所述無(wú)源輻射器分布在所述第二箱體的側(cè)壁上。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述低頻增強(qiáng)裝置包括2N個(gè)無(wú)源輻射器,N為正整數(shù);2N個(gè)所述無(wú)源輻射器均勻?qū)ΨQ分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述低頻增強(qiáng)裝置包括四個(gè)無(wú)源輻射器,四個(gè)所述無(wú)源輻射器均勻?qū)ΨQ分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上;或者,

低頻增強(qiáng)裝置包括兩個(gè)無(wú)源輻射器,兩個(gè)所述無(wú)源輻射器對(duì)稱分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述第二箱體位于所述第一箱體的下部,所述第二箱體的出聲通道位于所述揚(yáng)聲器的下方;或者,

所述第二箱體位于所述第一箱體的上部,所述第二箱體的出聲通道位于所述揚(yáng)聲器的上方。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述無(wú)源輻射器電性參數(shù)和尺寸相同。

上述新型低頻增強(qiáng)音箱中,所述第二箱體的后側(cè)壁與所述第一箱體的后面板間隔設(shè)置。

上述技術(shù)方案所提供的一種新型低頻增強(qiáng)音箱,由于該新型低頻增強(qiáng)音箱采用內(nèi)嵌式的雙音箱結(jié)構(gòu)形式,所以可在第二箱體上設(shè)置低頻增強(qiáng)裝置,以增強(qiáng)該新型低頻增強(qiáng)音箱的低音效果;同時(shí),與傳統(tǒng)的低頻增強(qiáng)音箱結(jié)構(gòu)相比,由于第二箱體內(nèi)嵌于第一箱體的內(nèi)部,所以該新型低頻增強(qiáng)音箱的箱體尺寸較小。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的一種新型低頻增強(qiáng)音箱的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中,1、第一箱體;11、前面板;2、第二箱體;21、出聲通道;211、出聲口;22、上側(cè)壁;23、下側(cè)壁;24、后側(cè)壁;3、揚(yáng)聲器;4、無(wú)源輻射器。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型,但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示,本實(shí)用新型所提供的一種新型低頻增強(qiáng)音箱,其包括第一箱體1和內(nèi)嵌于第一箱體1的內(nèi)部的第二箱體2,第一箱體1的前面板11上設(shè)有揚(yáng)聲器3,第二箱體2設(shè)有出聲通道21,出聲通道21的出聲口211連接第一箱體1的前面板11,第二箱體2上設(shè)有低頻增強(qiáng)裝置。

由于該新型低頻增強(qiáng)音箱采用內(nèi)嵌式的雙音箱結(jié)構(gòu)形式,所以可在第二箱體2上設(shè)置低頻增強(qiáng)裝置,以增強(qiáng)該新型低頻增強(qiáng)音箱的低音效果;同時(shí),與傳統(tǒng)的低頻增強(qiáng)音箱結(jié)構(gòu)相比,由于第二箱體2內(nèi)嵌于第一箱體1的內(nèi)部,所以該新型低頻增強(qiáng)音箱的箱體尺寸較小。

所以,由于采用內(nèi)嵌式雙音箱結(jié)構(gòu)形式,從而使箱體上可以設(shè)置更多的能產(chǎn)生低頻效果的裝置,即,該新型低頻增強(qiáng)音箱不僅可以減少箱體尺寸,而且還可以增強(qiáng)音箱的低頻效果。

低頻增強(qiáng)裝置包括至少兩個(gè)無(wú)源輻射器4,無(wú)源輻射器4分布在第二箱體2的側(cè)壁上。

其中,無(wú)源輻射器4包括振膜和折環(huán),振膜位于無(wú)源輻射器4的中心位置處,折環(huán)位于無(wú)源輻射器4的兩端,折環(huán)用以與第二箱體2的側(cè)壁連接;所以,低頻增強(qiáng)裝置上的無(wú)源輻射器4增大了音箱的低音振膜面積,當(dāng)音箱內(nèi)聲波與低頻增強(qiáng)裝置的無(wú)源輻射器4構(gòu)成的振動(dòng)系統(tǒng)在低頻發(fā)生諧振時(shí),無(wú)源輻射器4會(huì)高效率的輻射出低頻聲波,從而提高整個(gè)音箱的低頻響應(yīng),拓展低頻范圍,從而增強(qiáng)音箱的低音效果。

第二箱體2可以為長(zhǎng)方體、正方體、圓柱體音箱箱體結(jié)構(gòu);優(yōu)選地,第二箱體2為長(zhǎng)方體或正方體,此時(shí)第二箱體2的側(cè)壁包括上側(cè)壁22、下側(cè)壁23、左側(cè)壁(未圖示)、右側(cè)壁(未圖示)、后側(cè)壁24。

根據(jù)使用、美觀、擺放或設(shè)計(jì)的需要,第二箱體2可以位于第一箱體1的下部,此時(shí)第二箱體2的出聲通道21位于揚(yáng)聲器3的下方;第二箱體2也可以位于第一箱體1的上部,此時(shí),第二箱體2的出聲通道21位于揚(yáng)聲器3的上方。

本實(shí)施例以第二箱體2為長(zhǎng)方體、且出聲通道21位于揚(yáng)聲器3的下方為例來(lái)闡述第二箱體2與第一箱體1的具體內(nèi)嵌結(jié)構(gòu)關(guān)系:

由于第二箱體2為長(zhǎng)方體第二箱體2包括上側(cè)壁22、下側(cè)壁23、左側(cè)壁、右側(cè)壁、后側(cè)壁24;出聲通道21可以是這樣構(gòu)成的,即,出聲通道21由上側(cè)壁22、下側(cè)壁23、左側(cè)壁、右側(cè)壁、后側(cè)壁24圍成;其中,上側(cè)壁22和下側(cè)壁23均平行于第一箱體1的上面板,左側(cè)壁和右側(cè)壁均平行于第一箱體1的左面板,第二箱體2的后側(cè)壁24與第一箱體1的后面板間隔設(shè)置;由于第二箱體2的側(cè)壁與第一箱體1之間存在間距,揚(yáng)聲器3的后部產(chǎn)生的聲波可以很快捷高效地在第一箱體1的內(nèi)腔中進(jìn)行傳遞,并輻射到低頻增強(qiáng)裝置上的無(wú)源輻射器4上,從而防止聲音失真;然后聲波與低頻增強(qiáng)裝置的無(wú)源輻射器4構(gòu)成的振動(dòng)系統(tǒng)在低頻發(fā)生諧振,無(wú)源輻射器4會(huì)高效率的輻射出低頻聲波,在此過(guò)程中,低頻增強(qiáng)裝置的無(wú)源輻射器4可以提高整個(gè)音箱的低頻響應(yīng),拓展低頻范圍,從而增強(qiáng)音箱的低音效果。

優(yōu)選地,第二箱體2上低頻增強(qiáng)裝置包括2N個(gè)無(wú)源輻射器4,N為正整數(shù),從而可以根據(jù)使用需要,在第二箱體2上靈活地設(shè)置無(wú)源輻射器4的個(gè)數(shù),來(lái)滿足用戶對(duì)音箱低音效果的使用要求;當(dāng)需要使音箱達(dá)到最佳的低音效果時(shí),可以在第二箱體2盡可能多地設(shè)置無(wú)源輻射器4,以最大限度地增大音箱低音振膜的面積,使音箱的低音效果最佳;2N個(gè)無(wú)源輻射器4均勻?qū)ΨQ分布于第二箱體2的上側(cè)壁22和下側(cè)壁23上,以使揚(yáng)聲器3在工作時(shí)能夠同時(shí)帶動(dòng)上下側(cè)壁23上的無(wú)源輻射器4進(jìn)行共振,然后,經(jīng)過(guò)無(wú)源輻射器4推動(dòng)的低頻聲波通過(guò)出聲通道21的出聲口211傳出到音箱箱體外,從而使音箱的低音效果大大增強(qiáng)。

由于第一箱體1的前面板11上的揚(yáng)聲器3發(fā)出的中高頻聲波是直接輻射到空氣中的,所以音箱的中高頻的重放質(zhì)量可以得到保證。因此,該新型低頻增強(qiáng)音箱可以安裝小口徑的揚(yáng)聲器3,這樣不僅可以使音箱尺寸大大縮小,而且還能實(shí)現(xiàn)令人滿意的低音效果。

優(yōu)選地,低頻增強(qiáng)裝置包括四個(gè)無(wú)源輻射器4,四個(gè)無(wú)源輻射器4均勻?qū)ΨQ分布于第二箱體2的上側(cè)壁22和下側(cè)壁23上,這樣可以在充分減小音箱箱體尺寸的情況下,最大限度地利用第二箱體2的表面積,以使音箱的低音效果達(dá)到最佳;

但是,當(dāng)音箱的尺寸較小,而使第二箱體2的上側(cè)壁22和下側(cè)壁23表面積較小而無(wú)法安裝多個(gè)無(wú)源輻射器4時(shí),低頻增強(qiáng)裝置可以只包括兩個(gè)無(wú)源輻射器4,這兩個(gè)無(wú)源輻射器4對(duì)稱分布于上側(cè)壁22和下側(cè)壁23上,這樣設(shè)置可以使上下側(cè)壁23上的無(wú)源輻射器4產(chǎn)生的低頻聲波進(jìn)行共振,以使音箱的低音效果得到增強(qiáng),從而保證音箱的低音效果達(dá)到比較理想的范圍。

為了使無(wú)源輻射器4產(chǎn)生的低頻聲波能夠良好地產(chǎn)生共振,同時(shí)也為了方便安裝和拆卸維修,能夠簡(jiǎn)化組裝步驟和降低維修難度和成本,多個(gè)無(wú)源輻射器4電性參數(shù)和尺寸相同。

綜上,本實(shí)用新型的一種新型低頻增強(qiáng)音箱,由于采用內(nèi)嵌式的雙音箱的結(jié)構(gòu)形式,該新型低頻增強(qiáng)音箱不僅可以減少箱體的尺寸,而且還可以增強(qiáng)音箱的低頻效果。

以上僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和替換,這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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