1.一種新型低頻增強(qiáng)音箱，包括第一箱體，所述第一箱體的前面板上設(shè)有揚(yáng)聲器，其特征在于，其還包括內(nèi)嵌于所述第一箱體的內(nèi)部的第二箱體，所述第二箱體設(shè)有出聲通道，所述出聲通道的出聲口連接所述第一箱體的前面板，所述第二箱體上設(shè)有低頻增強(qiáng)裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述低頻增強(qiáng)裝置包括至少兩個(gè)無(wú)源輻射器,所述無(wú)源輻射器分布在所述第二箱體的側(cè)壁上。
3.如權(quán)利要求2所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述低頻增強(qiáng)裝置包括2N個(gè)無(wú)源輻射器,N為正整數(shù)；2N個(gè)所述無(wú)源輻射器均勻?qū)ΨQ分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上。
4.如權(quán)利要求3所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述低頻增強(qiáng)裝置包括四個(gè)無(wú)源輻射器，四個(gè)所述無(wú)源輻射器均勻?qū)ΨQ分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上；或者，
低頻增強(qiáng)裝置包括兩個(gè)無(wú)源輻射器，兩個(gè)所述無(wú)源輻射器對(duì)稱分布于所述第二箱體的上側(cè)壁和下側(cè)壁上。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述第二箱體位于所述第一箱體的下部，所述第二箱體的出聲通道位于所述揚(yáng)聲器的下方；或者，
所述第二箱體位于所述第一箱體的上部，所述第二箱體的出聲通道位于所述揚(yáng)聲器的上方。
6.如權(quán)利要求2或3或4所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述無(wú)源輻射器電性參數(shù)和尺寸相同。
7.如權(quán)利要求2或3或4所述的新型低頻增強(qiáng)音箱，其特征在于，所述第二箱體的后側(cè)壁與所述第一箱體的后面板間隔設(shè)置。