本實(shí)用新型涉及換能器領(lǐng)域，更準(zhǔn)確地說，本實(shí)用新型涉及一種發(fā)聲裝置；本實(shí)用新型還涉及一種電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

發(fā)聲裝置是電子設(shè)備中的重要聲學(xué)部件，作為一種把電信號轉(zhuǎn)變?yōu)槁曅盘柕膿Q能器件，其已經(jīng)普遍應(yīng)用在手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品上?，F(xiàn)有的揚(yáng)聲器模組，包括外殼，以及設(shè)置在外殼內(nèi)的振動系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)，其中振動系統(tǒng)包括振膜以及設(shè)置在振膜上用于驅(qū)動振膜發(fā)聲的音圈，磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司等。線圈的一端連接在振膜上，另一端伸入至磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)。

這種發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，使得發(fā)聲裝置的體積較大，而且多為人工流水線組裝，自動化程度不高，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)代化的發(fā)展需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種MEMS發(fā)聲裝置的新技術(shù)方案。

根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種MEMS發(fā)聲裝置，包括具有中空內(nèi)腔的襯底以及通過沉積的方式形成在襯底上方的振膜，所述振膜包括至少一層經(jīng)過磁化的磁性材料層；

包括與振膜上磁性材料層正對設(shè)置的第一線圈；所述第一線圈被配置為磁性材料層提供方向與振膜垂直的驅(qū)動力。

可選地，所述振膜整體為經(jīng)過磁化的磁性材料層，在所述磁性材料層與襯底之間還設(shè)置有絕緣層。

可選地，所述振膜包括沉積在襯底上的非磁性材料層，所述磁性材料層設(shè)置在非磁性材料層的下方、上方或者內(nèi)部。

可選地，所述振膜包括位于邊緣用于連接襯底的連接部，以及位于中部位置的振動部，所述磁性材料層分布在振膜的振動部上。

可選地，所述磁性材料層通過沉積、印刷、噴涂、電鍍或者化學(xué)鍍的方式與非磁性材料層結(jié)合在一起。

可選地，還包括基板以及與基板構(gòu)成封裝結(jié)構(gòu)的殼體，所述襯底位于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)并安裝在基板上，所述第一線圈安裝在基板上與磁性材料層對應(yīng)的位置上；在所述殼體上設(shè)置有音孔。

可選地，在所述殼體上與基板正對的位置還設(shè)置有與磁性材料層配合在一起的第二線圈；所述第二線圈為磁性材料層提供與第一線圈相同方向的驅(qū)動力。

可選地，所述基板為電路板。

可選地，所述發(fā)聲裝置為揚(yáng)聲器或者受話器。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，還提供了一種電子設(shè)備，包括上述的發(fā)聲裝置。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，第一線圈與磁性材料層對應(yīng)設(shè)置在一起，當(dāng)?shù)谝痪€圈通入交流電后，磁性材料層的磁力線穿過線圈，在線圈安培力的反作用力下，使得磁性材料層發(fā)生垂直于振膜方向的振動，從而實(shí)現(xiàn)了振膜的振動發(fā)聲。本實(shí)用新型的這種發(fā)聲裝置，可以應(yīng)用到受話器或者揚(yáng)聲器當(dāng)中，其突破了傳統(tǒng)線圈、磁鐵的安裝結(jié)構(gòu)，使其體積更小，而且可以采用MEMS工藝進(jìn)行制造。

本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，其體積較大，而且多為人工流水線組裝，自動化程度不高，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)代化的發(fā)展需求。因此，本實(shí)用新型所要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的，故本實(shí)用新型是一種新的技術(shù)方案。

通過以下參照附圖對本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1是本實(shí)用新型發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型振膜的一種實(shí)施結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。

以下對至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

參考圖1，本實(shí)用新型提供了一種MEMS發(fā)聲裝置，其包括襯底2、振膜4、線圈3等。本實(shí)用新型的襯底2可以采用硅襯底，這種硅襯底的材料屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識。所述振膜4可以包括位于邊緣位置的連接部，以及位于中部位置的振動部，在某些實(shí)施例中，還包括位于振動部與連接部之間的折環(huán)部。在襯底2的中部形成有中空的容腔，所述振膜4的連接部搭載在襯底2上，振膜4中部區(qū)域的振動部可以懸置在襯底2容腔的上方。振膜的這種結(jié)構(gòu)及其與襯底之間的位置關(guān)系屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，在此不再具體說明。

本實(shí)用新型的振膜4通過沉積、刻蝕的方式形成在襯底2上，例如可在襯底2上沉積振膜層，之后通過刻蝕的方式形成振膜4的圖案。為了保證襯底2與振膜4之間的絕緣性，在所述襯底2與振膜4之間接觸的區(qū)域可設(shè)置絕緣層，該絕緣層可以采用氧化硅等本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的絕緣材料。同時(shí)應(yīng)當(dāng)注意的是，所述絕緣層可以應(yīng)用在發(fā)聲裝置中其它需要絕緣的器件之間，在此不再具體說明。

本實(shí)用新型的振膜4包括至少一層經(jīng)過磁化的磁性材料層，例如鐵、鈷、鎳等本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的磁性材料等。在本實(shí)用新型一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述振膜4整體為經(jīng)過磁化的磁性材料層，該磁性材料層可通過沉積、刻蝕的方式設(shè)置在襯底2上，對該磁性材料層進(jìn)行磁化后，使得整個(gè)振膜形成了一個(gè)磁體。絕緣層設(shè)置在所述磁性材料層與襯底2之間，以保證二者之間的絕緣。

在本實(shí)用新型另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，參考圖2，所述振膜4包括磁性材料層41以及非磁性材料層40，該非磁性材料層40例如可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的振膜材料，例如單晶硅或者多晶硅等。非磁性材料層40通過沉積的方式形成在襯底2上，所述磁性材料層41可設(shè)置在非磁性材料層40的下方、上方或者內(nèi)部。優(yōu)選的是，根據(jù)磁性材料層41與非磁性材料層40之間的關(guān)系，所述磁性材料層41可以選擇通過沉積、印刷、噴涂、電鍍或者化學(xué)鍍的方式與非磁性材料層40結(jié)合在一起。

例如在制作的時(shí)候，可以首先在襯底2上沉積絕緣層，在絕緣層的上方沉積磁性材料層41，在磁性材料層41的上方沉積非磁性材料層40，從而得到磁性材料層41在下、非磁性材料層40在上的振膜結(jié)構(gòu)。

或者是，在絕緣層的上方沉積非磁性材料層40，在非磁性材料層40的上方沉積、印刷、噴涂、電鍍或者化學(xué)鍍的方式形成磁性材料層41，從而得到磁性材料層41在上、非磁性材料層40在下的振膜結(jié)構(gòu)。

或者是，首先在絕緣層的上方沉積一層非磁性材料層40，在非磁性材料層40的上方沉積、印刷、噴涂、電鍍或者化學(xué)鍍的方式形成磁性材料層41，在磁性材料層41上繼續(xù)沉積一層非磁性材料層40，從而形成了夾心的多層結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的振膜4，優(yōu)選的是，磁性材料層41的尺寸小于非磁性材料層40，且磁性材料層41分布在振膜的振動部區(qū)域，這就使得磁性材料層41與襯底2之間沒有連接關(guān)系，從而可以使磁性材料層41更好地驅(qū)動振膜，提高了振膜的靈敏度。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，還包括與所述磁性材料層41正對設(shè)置的第一線圈3；該第一線圈3例如可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的環(huán)狀線圈結(jié)構(gòu)。在實(shí)用新型一個(gè)具體的實(shí)施方式中，還包括基板1，該基板1可以優(yōu)選采用電路板。襯底2安裝在基板1的上端，使得基板1封閉住襯底2的容腔。第一線圈3設(shè)置在基板1上與磁性材料層41對應(yīng)的位置上，例如設(shè)置在磁性材料層41的正下方。所述第一線圈3被配置為磁性材料層41提供方向與振膜4垂直的驅(qū)動力。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，第一線圈與磁性材料層對應(yīng)設(shè)置在一起，當(dāng)?shù)谝痪€圈通入交流電后，磁性材料層的磁力線穿過線圈，在線圈安培力的反作用力下，使得磁性材料層發(fā)生垂直于振膜方向的振動，從而實(shí)現(xiàn)了振膜的振動發(fā)聲。本實(shí)用新型的這種發(fā)聲裝置，可以應(yīng)用到受話器或者揚(yáng)聲器當(dāng)中，其突破了傳統(tǒng)線圈、磁鐵的安裝結(jié)構(gòu)，使其體積更小，而且可以采用MEMS工藝進(jìn)行制造。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，還可以包括設(shè)置在基板1上的殼體6，所述殼體6固定在基板1上后，形成了封裝結(jié)構(gòu)。襯底2、振膜4等結(jié)構(gòu)均設(shè)置在封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。在所述殼體6上還設(shè)置有音孔5，以便振膜4發(fā)出的聲音可以流出。其中，可在基板1上與振膜4對應(yīng)的位置上設(shè)置泄壓孔7，通過該泄壓孔7可以均衡發(fā)聲裝置后聲腔中的氣壓，以提高振膜4的振動效果。

在本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述殼體6上與基板1正對的位置還設(shè)置有與磁性材料層41配合在一起的第二線圈(視圖未給出)。該第二線圈的結(jié)構(gòu)可以與第一線圈3的結(jié)構(gòu)一致。所述第二線圈被配置：為磁性材料層41提供方向與振膜4垂直的驅(qū)動力，且第二線圈為磁性材料層41提供的驅(qū)動力方向與第一線圈為磁性材料層41提供的驅(qū)動力方向相同。例如磁性材料層41在第一線圈3、第二線圈的作用下均受到垂直向上的安培力，或同時(shí)受到垂直向下的安培力。也就是說，磁性材料層41同時(shí)受到第一線圈3、第二線圈的作用，從而可以為磁性材料層41提供更大的驅(qū)動力，提高了振膜4的振動幅度。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置可以應(yīng)用到各電子設(shè)備中，為此本實(shí)用新型還提供了一種電子設(shè)備，其包括上述的發(fā)聲裝置。

雖然已經(jīng)通過例子對本實(shí)用新型的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本實(shí)用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下，對以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。