本實(shí)用新型涉及一種用于發(fā)聲的振膜，更準(zhǔn)確地說，涉及一種MEMS麥克風(fēng)中的振膜；本實(shí)用新型還涉及一種MEMS麥克風(fēng)。

背景技術(shù)：

MEMS(微型機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)，其中的振膜、背極板是MEMS麥克風(fēng)中的重要部件，振膜、背極板構(gòu)成了電容器并集成在硅晶片上，實(shí)現(xiàn)聲電的轉(zhuǎn)換。傳統(tǒng)的振膜的制作工藝是在硅基底上做一層氧化層，然后在氧化層上利用沉積的方式制作一層振膜，經(jīng)過摻雜、回火后，蝕刻出所所需的圖形，振膜通過其邊緣的鉚釘點(diǎn)固定在基底上。當(dāng)然，還需要從振膜上引出電極，通過振膜的振動(dòng)，改變振膜與背極板之間的距離，從而將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。

當(dāng)MEMS麥克風(fēng)受到機(jī)械沖擊、吹氣、跌落時(shí)，其中的MEMS芯片會(huì)受到較大的聲壓沖擊，這往往會(huì)使振膜受到過大的壓力而導(dǎo)致破裂受損，從而導(dǎo)致整個(gè)麥克風(fēng)的失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供了一種MEMS麥克風(fēng)中的振膜。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種MEMS麥克風(fēng)中的振膜，包括振膜本體以及在振膜本體上由縫隙限制成的泄壓裝置；所述縫隙包括多個(gè)從圓心位置向外輻射的輻射段，以及位于輻射段端頭并分別迂回彎向輻射段兩側(cè)的圓弧段；所述泄壓裝置包括由相鄰兩個(gè)輻射段以及該兩個(gè)輻射段端頭相鄰兩個(gè)圓弧段圍成的閥瓣，以及位于該兩個(gè)圓弧段之間的呈束縛狀的頸部，所述閥瓣與振膜本體通過頸部連接在一起。

可選地，所述輻射段至少設(shè)置有三個(gè)，均勻分布在圓周方向上。

可選地，所述頸部的兩側(cè)沿其軸線對(duì)稱。

可選地，所述輻射段呈直線狀或者曲線狀。

可選地，所述泄壓裝置設(shè)置有一個(gè)，分布在振膜本體的中心區(qū)域。

可選地，所述泄壓裝置設(shè)置有多個(gè)，該多個(gè)泄壓裝置均勻分布在振膜本體的圓周方向上。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，包括上述的振膜。

可選地，所述縫隙在沉積形成振膜本體時(shí)，通過刻蝕的方式形成。

本實(shí)用新型的振膜，初始狀態(tài)時(shí)，閥瓣與振膜本體整體是齊平的，也就是說閥瓣處于關(guān)閉狀態(tài)；當(dāng)受到例如機(jī)械沖擊、吹氣、跌落所帶來的較大聲壓時(shí)，閥瓣可以以頸部為支點(diǎn)向上或向下翹起，從而形成了有效的泄壓路徑，以達(dá)到泄壓的目的；從一個(gè)角度而言，使得振膜可以承受大聲壓或跌落過程所產(chǎn)生的瞬間氣壓，避免了芯片的受損。

本實(shí)用新型的泄壓裝置，在保證泄壓性能的基礎(chǔ)上，減少了占用的振膜面積，保證了振膜的性能。

通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1是本實(shí)用新型振膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中縫隙的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2中其中一個(gè)閥瓣的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本實(shí)用新型振膜第二種實(shí)施方式的示意圖。

圖5是本實(shí)用新型振膜第三種實(shí)施方式的示意圖。

圖6是本實(shí)用新型振膜第四種實(shí)施方式的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

參考圖1、圖2，本實(shí)用新型提供了一種MEMS麥克風(fēng)中的振膜，其包括振膜本體1以及在振膜本體1上由縫隙限制成的至少一個(gè)泄壓裝置a，在振膜本體1上按照預(yù)定的形狀設(shè)置縫隙，并通過所述縫隙在振膜本體1上圍成了所述的泄壓裝置a。

所述縫隙包括多個(gè)從圓心位置向外輻射的輻射段，以及位于輻射段端頭并分別迂回彎向輻射段兩側(cè)的圓弧段；所述每個(gè)輻射段從圓心位置向外輻射，在每個(gè)輻射段的外側(cè)端頭均承接有兩個(gè)圓弧段，該兩個(gè)圓弧段從輻射段的端頭位置朝向輻射段的外側(cè)延伸，并最終分別迂回彎向輻射段的兩側(cè)。

所述泄壓裝置a包括由相鄰兩個(gè)輻射段以及該兩個(gè)輻射段端頭相鄰兩個(gè)圓弧段圍成的閥瓣2，以及位于該兩個(gè)圓弧段之間的呈束縛狀的頸部20，所述閥瓣2與振膜本體1通過頸部20連接在一起。所述頸部20相對(duì)于閥瓣2呈束縛狀，使得閥瓣2可以以該頸部20為支點(diǎn)向上或者向下翹起，以便形成空氣的通路。

具體地，參考圖2，第一輻射段3、第二輻射段4由圓心的位置向外輻射，二者之間的夾角可以根據(jù)實(shí)際需要而定。在所述第一輻射段3的外側(cè)端頭設(shè)置有非封閉的第一圓弧段a 30、第一圓弧段b 31，該兩個(gè)圓弧段從第一輻射段3的端頭位置朝向第一輻射段3的外側(cè)延伸，并最終迂回彎向第一輻射段3的兩側(cè)。同樣的，在所述第二輻射段4的外側(cè)端頭設(shè)置有非封閉的第二圓弧段a 40、第二圓弧段b 41，該兩個(gè)圓弧段從第二輻射段4的端頭位置朝向第二輻射段4的外側(cè)延伸，并最終迂回彎向第二輻射段4的兩側(cè)。

所述第一輻射段3、第二輻射段4以及相鄰的第一圓弧段b 31、第二圓弧段a 40圍成了閥瓣2，并在第一圓弧段b 31、第二圓弧段a 40之間的位置形成了呈束縛狀的頸部20，使得所述閥瓣2通過該頸部20與振膜本體1連接在一起，參考圖1、圖2、圖3。該閥瓣2呈桃心狀，優(yōu)選的是，所述頸部20的兩側(cè)沿其軸線對(duì)稱。而且頸部20形狀的選擇可以通過調(diào)整圓弧段的形狀實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)用新型的振膜，初始狀態(tài)時(shí)，閥瓣與振膜本體整體是齊平的，也就是說閥瓣處于關(guān)閉狀態(tài)；當(dāng)受到例如機(jī)械沖擊、吹氣、跌落所帶來的較大聲壓時(shí)，閥瓣可以以其頸部為支點(diǎn)向上或向下翹起，從而形成了有效的泄壓路徑，以達(dá)到泄壓的目的；從一個(gè)角度而言，使得振膜可以承受大聲壓或跌落過程所產(chǎn)生的瞬間氣壓，避免了芯片的受損。

本實(shí)用新型的泄壓裝置a可以設(shè)置有一個(gè)，該泄壓裝置a可以分布在振膜本體1的中心區(qū)域，參考圖1。所述泄壓裝置a也可以設(shè)置有多個(gè)，該多個(gè)泄壓裝置a均勻分布在振膜本體1的圓周方向上。

本實(shí)用新型的輻射段優(yōu)選至少設(shè)置有三個(gè)，均勻分布在圓周方向上。圖4示出了設(shè)置有八個(gè)輻射段的示意圖，相鄰兩個(gè)輻射段之間的夾角為45°。圖5示出了設(shè)置有十二個(gè)輻射段的示意圖，相鄰兩個(gè)輻射段之間的夾角為30°。圖6示出了設(shè)置有三個(gè)輻射段的示意圖，相鄰兩個(gè)輻射段之間的夾角為120°。圖1示出了設(shè)置有六個(gè)輻射段的示意圖，相鄰兩個(gè)輻射段之間的夾角為60°。也就是說，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需求選擇閥瓣的數(shù)量及輻射段之間的夾角。在相同的面積下，夾角越小，閥瓣則更容易打開，輻射段之間的夾角優(yōu)選為30°至120°。

本實(shí)用新型的輻射段可以呈直線狀，也可以采用曲線狀。其中，相鄰兩個(gè)輻射段交接的位置形成了尖端結(jié)構(gòu)，這就使得所述閥瓣更容易被打開，以保證振膜的性能。

本實(shí)用新型的泄壓裝置，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在保證泄壓性能的基礎(chǔ)上，可以減少占用的振膜面積，從而保證了振膜的性能。

本實(shí)用新型的振膜可以應(yīng)用MEMS麥克風(fēng)中，從而提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的抗聲壓能力，為此，本實(shí)用新型還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，其包括襯底、背極，以及與背極構(gòu)成平板式電容結(jié)構(gòu)的上述的振膜。背極與振膜的這種結(jié)構(gòu)方式屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。在制作MEMS麥克風(fēng)的時(shí)候，背極、振膜均是通過沉積、刻蝕的方式形成。上述的縫隙可以在沉積形成振膜時(shí)，通過刻蝕的方式形成。

雖然已經(jīng)通過示例對(duì)本實(shí)用新型的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本實(shí)用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。