本實(shí)用新型涉及聲換能器領(lǐng)域，更準(zhǔn)確地說，涉及一種具有梳齒結(jié)構(gòu)的聲換能器，例如MEMS發(fā)聲裝置或者其與MEMS麥克風(fēng)的集成等。

背景技術(shù)：

揚(yáng)聲器是重要的電聲換能部件，大部分消費(fèi)類電子產(chǎn)品中都設(shè)置有揚(yáng)聲器或揚(yáng)聲器模組。隨著手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的逐漸發(fā)展，人們對(duì)揚(yáng)聲器的性能提出了更高的要求。

隨著可攜式產(chǎn)品的迅速發(fā)展，微型喇叭的需求已然是下一個(gè)微機(jī)電產(chǎn)品的重點(diǎn)，但MEMS組件的位移空間常取決于犧牲層的厚度，這是微型喇叭的最大限制，發(fā)音能力也因此受限。

此外可攜式產(chǎn)品除了組件體積要縮小外，對(duì)于聲音質(zhì)量的要求與日俱增，采用數(shù)組的方式來滿足高低頻的聲音訊號(hào)設(shè)計(jì)已然違背MEMS組件的尺寸需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種MEMS聲換能器的新技術(shù)方案。

根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種MEMS聲換能器,包括襯底以及振膜組件，所述振膜組件通過彈性梁與襯底連接在一起；其中，在所述振膜組件相對(duì)的兩側(cè)分別設(shè)置有至少一組第一可動(dòng)梳齒，在所述振膜組件另外相對(duì)的兩側(cè)分別設(shè)置有至少一組第二可動(dòng)梳齒；所述襯底上設(shè)置有用于與第一可動(dòng)梳齒配合在一起的第一固定梳齒，以及用于與第二可動(dòng)梳齒配合在一起的第二固定梳齒；

其中，在由所述第一可動(dòng)梳齒與第一固定梳齒構(gòu)成，以及由第二可動(dòng)梳齒與第二固定梳齒構(gòu)成的兩組梳齒結(jié)構(gòu)中，其中一組梳齒結(jié)構(gòu)的可動(dòng)梳齒高于固定梳齒，另一組梳齒結(jié)構(gòu)中的可動(dòng)梳齒低于固定梳齒；

所述振膜組件被配置為提供聲換能器的振動(dòng)狀態(tài)；

所述兩組梳齒結(jié)構(gòu)被配置為：在各自的靜電力作用下分別為振膜組件整體在兩個(gè)相反方向上的位移提供驅(qū)動(dòng)力。

可選地，所述第一可動(dòng)梳齒高于第一固定梳齒，所述第二可動(dòng)梳齒低于第二固定梳齒。

可選地，所述第一可動(dòng)梳齒低于第一固定梳齒，所述第二可動(dòng)梳齒高于第二固定梳齒。

可選地，所述振膜組件整體呈矩形，所述第一可動(dòng)梳齒設(shè)置在振膜組件其中一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁上，所述第二可動(dòng)梳齒設(shè)置在振膜組件另一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁上。

可選地，所述彈性梁設(shè)置有四條，分別連接的振膜組件的四個(gè)角。

可選地，所述振膜組件整體呈圓形，所述第一可動(dòng)梳齒、第二可動(dòng)梳齒均勻分布在振膜組件的圓周方向上。

可選地，所述襯底設(shè)置有容腔，所述振膜組件設(shè)置在襯底的容腔內(nèi)，所述第一固定梳齒、第二固定梳齒設(shè)置在襯底容腔的內(nèi)壁上。

可選地，所述彈性梁的材料選用液態(tài)金屬薄膜或者高分子薄膜。

可選地，所述振膜組件包括位于外側(cè)的框架，以及位于框架內(nèi)的振膜。

可選地，所述框架與彈性梁是一體的，采用相同的材質(zhì)。

可選地，所述振膜為發(fā)聲裝置的發(fā)聲振膜，所述振膜選用壓電陶瓷材料。

可選地，所述振膜為發(fā)聲裝置的發(fā)聲振膜，還包括用于與振膜配合以使所述振膜振動(dòng)的配合部。

可選地，所述振膜為輸出音頻信號(hào)的發(fā)聲振膜；還包括用于與所述振膜構(gòu)成平板電容結(jié)構(gòu)的背極板；所述振膜與背極板構(gòu)成了用于輸入表征周圍噪聲信號(hào)的麥克風(fēng)。

可選地，所述第一可動(dòng)梳齒、第二可動(dòng)梳齒、第一固定梳齒、第二固定梳齒采用單晶硅或者多晶硅。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，還提供了一種制造上述MEMS聲換能器的方法,包括以下步驟：

a)提供襯底，在所述襯底上刻蝕出不同高度且呈梳狀結(jié)構(gòu)的第一溝槽、第二溝槽；

b)在襯底上沉積導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層填充在第一溝槽、第二溝槽內(nèi)；

c)刻蝕所述導(dǎo)電層，在所述第一溝槽、第二溝槽內(nèi)形成第一可動(dòng)梳齒、第二可動(dòng)梳齒、第一固定梳齒、第二固定梳齒；

d)在襯底的上端面沉積并刻蝕形成振膜組件的框架以及彈性梁；

e)在框架上沉積形成振膜；

f)刻蝕襯底，將振膜、框架、第一可動(dòng)梳齒、第二可動(dòng)梳齒、第一固定梳齒、第二固定梳齒、彈性梁釋放出來。

本實(shí)用新型的MEMS聲換能器，振膜組件本身可以輸出高頻的音頻訊號(hào)，梳齒結(jié)構(gòu)可以作為換能器的低頻結(jié)構(gòu)，且二者的驅(qū)動(dòng)接口可以獨(dú)立規(guī)劃，并整合于一單體中可同時(shí)輸出高低頻訊號(hào)，從而提供準(zhǔn)確的聲音訊號(hào)。另外，本實(shí)用新型的聲換能器，振膜組件在接受音頻信號(hào)輸出聲音的同時(shí)，還可以形成麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)從而為聲音源的修正提供外界的噪音信號(hào)參數(shù)，提高了聲換能器的抗噪能力。

本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)聲器件的振幅有限；另外，可攜式產(chǎn)品除了組件體積要縮小外，對(duì)于聲音質(zhì)量的要求與日俱增，采用數(shù)組的方式來滿足高低頻的聲音訊號(hào)設(shè)計(jì)已然違背MEMS組件的尺寸需求。因此，本實(shí)用新型所要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的，故本實(shí)用新型是一種新的技術(shù)方案。

通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1是本實(shí)用新型聲換能器的俯視圖。

圖2是圖1中沿第一可動(dòng)梳齒、第一固定梳齒方向的剖面圖。

圖3是圖1中沿第二可動(dòng)梳齒、第二固定梳齒方向的剖面圖。

圖4是圖1中第一可動(dòng)梳齒、第二可動(dòng)梳齒位置剖面的對(duì)比圖。

圖5至圖10是本實(shí)用新型聲換能器的制造工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS聲換能器，該換能器可以采用MEMS工藝進(jìn)行制造，并且可大幅度提高聲換能器的性能，并大大降低聲換能器的體積。

參考圖1，本實(shí)用新型的MEMS聲換能器、微型揚(yáng)聲器，包括襯底1以及振膜組件、彈性梁4，所述振膜組件通過彈性梁4與襯底1連接在一起，使得所述振膜組件可以懸置在襯底1上。

在本實(shí)用新型一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述振膜組件可以設(shè)置在襯底1的端面上；在本實(shí)用新型另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，在所述襯底1上設(shè)置有容腔，所述振膜組件位于襯底1的容腔中，彈性梁4在振膜組件的平面方向上延伸，一端連接到襯底1容腔的內(nèi)壁上，另一端連接在振膜組件的側(cè)壁。彈性梁4的數(shù)量可以設(shè)置有多個(gè)，均勻設(shè)置在振膜組件的周向方向上，以便可以為振膜組件提供穩(wěn)定的彈性支撐。為了提高彈性梁4的彈性效果，可在彈性梁4上設(shè)置繞折的結(jié)構(gòu)，例如鋸齒結(jié)構(gòu)等，這屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，在此不再具體說明。

例如當(dāng)本實(shí)用新型的振膜組件為矩形結(jié)構(gòu)時(shí)，所述彈性梁4可以設(shè)置有四個(gè)，該四個(gè)彈性梁4分別連接在振膜組件的四個(gè)角；當(dāng)振膜組件選用圓形結(jié)構(gòu)時(shí)，多個(gè)彈性梁4均勻分布在振膜組件的圓周方向上。

本實(shí)用新型的振膜組件被配置為提供聲換能器的振動(dòng)狀態(tài)，也就是說，所述振膜組件可以接收載有音頻的電信號(hào)，通過振膜組件的振動(dòng)實(shí)現(xiàn)聲換能器、微型揚(yáng)聲器的發(fā)聲。

本實(shí)用新型的振膜組件為發(fā)聲振膜，其可以選用壓電陶瓷材料，使得本聲換能器可以構(gòu)成壓電致動(dòng)的發(fā)聲裝置。

當(dāng)然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本實(shí)用新型的振膜組件還可以是其它所熟知的發(fā)聲裝置，例如平行板式靜電致動(dòng)、音圈致動(dòng)的發(fā)聲裝置。例如，本實(shí)用新型的聲換能器，可以包括用于與振膜組件配合以使所述振膜組件振動(dòng)的配合部，該配合部可以是音圈結(jié)構(gòu)，通過音圈的驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)振膜組件的振動(dòng)發(fā)聲。所述配合部還可以是磁鐵、通電線圈方式的電磁結(jié)構(gòu)等，通過磁鐵與通電線圈之間的配合，實(shí)現(xiàn)振膜組件的振動(dòng)發(fā)聲；這幾種振膜的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)及其工作原理均屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，因此，在此不再進(jìn)行贅述。

參考圖1至圖4，本實(shí)用新型的振膜組件可以包括外部的框架3，以及位于框架3內(nèi)的振膜2。所述框架3可以選用金屬材料或者本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其它材料，其主要為振膜2提供支撐。該框架3例如可以是矩形框架，所述振膜2通過其邊緣的位置連接在框架3上，振膜2中部區(qū)域的振動(dòng)部懸置在框架3的中空位置，使得所述振膜2的振動(dòng)不會(huì)受到框架3的影響。

上述彈性梁4可連接在框架3的邊緣位置，從而實(shí)現(xiàn)了振膜組件與襯底1的彈性連接。在本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述彈性梁4與框架3可以采用相同的材料，且是一體的，可在MEMS工藝通過沉積、刻蝕同一沉積層得到。

本實(shí)用新型的聲換能器，還包括設(shè)置在振膜組件與襯底1之間的梳齒結(jié)構(gòu)，使得在靜電力的作用下可以驅(qū)動(dòng)整個(gè)振膜組件發(fā)生垂直于振膜組件平面方向上的位移。

具體地，在所述振膜組件相對(duì)的兩側(cè)分別設(shè)置有至少一組第一可動(dòng)梳齒5，參考圖1，所述第一可動(dòng)梳齒5可以采用多晶硅或者單晶硅材料，其可設(shè)置在振膜組件的框架3上，并且第一可動(dòng)梳齒5設(shè)置在振膜組件相對(duì)的兩側(cè)。在所述襯底1上對(duì)應(yīng)第一可動(dòng)梳齒5的位置設(shè)置有第一固定梳齒6，該第一固定梳齒6可以采用與第一可動(dòng)梳齒5相同的材料，其可設(shè)置在襯底1容腔的內(nèi)壁上，并與振膜組件上的第一可動(dòng)梳齒5交叉配合在一起，形成梳齒結(jié)構(gòu)，記為第一梳齒結(jié)構(gòu)。

在所述振膜組件相對(duì)的兩側(cè)分別設(shè)置有至少一組第二可動(dòng)梳齒7，參考圖1，所述第二可動(dòng)梳齒7可以采用多晶硅或者單晶硅材料，其可設(shè)置在振膜組件的框架3上，并且第二可動(dòng)梳齒7設(shè)置在振膜組件相對(duì)的兩側(cè)。在所述襯底1上對(duì)應(yīng)第二可動(dòng)梳齒7的位置設(shè)置有第二固定梳齒8，該第二固定梳齒8可以采用與第二可動(dòng)梳齒7相同的材料，其可設(shè)置在襯底1容腔的內(nèi)壁上，并與振膜組件上的第二可動(dòng)梳齒7交叉配合在一起，形成梳齒結(jié)構(gòu)，記為第二梳齒結(jié)構(gòu)。

其中，在由所述第一可動(dòng)梳齒5與第一固定梳齒6構(gòu)成的第一梳齒結(jié)構(gòu)，以及由第二可動(dòng)梳齒7與第二固定梳齒8構(gòu)成的第二梳齒結(jié)構(gòu)中，其中一組梳齒結(jié)構(gòu)的可動(dòng)梳齒高于固定梳齒，另一組梳齒結(jié)構(gòu)中的可動(dòng)梳齒低于固定梳齒。例如所述第一可動(dòng)梳齒5高于第一固定梳齒6，所述第二可動(dòng)梳齒7低于第二固定梳齒8。當(dāng)然，也可以是所述第一可動(dòng)梳齒5低于第一固定梳齒6，所述第二可動(dòng)梳齒7高于第二固定梳齒8。使得所述兩組梳齒結(jié)構(gòu)可被配置為：在各自的靜電力作用下分別為振膜組件整體在兩個(gè)相反方向上的位移提供驅(qū)動(dòng)力。

現(xiàn)以第一可動(dòng)梳齒5低于第一固定梳齒6，第二可動(dòng)梳齒7高于第二固定梳齒8為例，對(duì)本實(shí)用新型的聲換能器進(jìn)行詳盡的描述。

圖2是沿圖1中兩組第一可動(dòng)梳齒5、第一固定梳齒6方向的剖面圖，第一固定梳齒6連接在襯底1容腔的內(nèi)壁上，當(dāng)襯底1采用單晶硅，第一固定梳齒6采用單晶硅或者多晶硅材料時(shí)，為了保證襯底1與第一固定梳齒6之間的絕緣，在所述襯底1與第一固定梳齒6之間設(shè)置有絕緣層10，該絕緣層10可以采用MEMS工藝中所熟知的氧化硅材料等，而且該絕緣層10可以作為后續(xù)的蝕刻停止層使用，這均屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，在此不再具體說明。

第一可動(dòng)梳齒5連接在振膜組件的框架3上，所述第一可動(dòng)梳齒5與第一固定梳齒6交叉配合在一起，且二者部分重疊在一起，參考圖2中示出的重疊區(qū)域50。所述第一可動(dòng)梳齒5的下端低于所述第一固定梳齒6的下端，所述第一可動(dòng)梳齒5的上端低于所述第一固定梳齒6的上端，使得第一可動(dòng)梳齒5與第一固定梳齒6沒有完全重疊在一起。

這就使得在給第一可動(dòng)梳齒5、第一固定梳齒6之間形成電壓差時(shí)，例如給第一可動(dòng)梳齒5通入0V的直流電，給第一固定梳齒6通入5V的直流電時(shí)，在靜電力的作用下，可使第一可動(dòng)梳齒5相對(duì)于第一固定梳齒6發(fā)生向上的位移。通過振膜組件相對(duì)兩側(cè)的第一可動(dòng)梳齒5，從而帶動(dòng)整個(gè)振膜組件向上發(fā)生位移，直到第一可動(dòng)梳齒5、第一固定梳齒6的正投影重疊在一起，該位移記為S1。該位移S1的最大值取決于第一可動(dòng)梳齒5與第一固定梳齒6之間的高度差。

圖3是沿圖1中兩組第二可動(dòng)梳齒7、第二固定梳齒8方向的剖面圖，第二固定梳齒8連接在襯底1容腔的內(nèi)壁上，當(dāng)襯底1采用單晶硅，第二固定梳齒8采用單晶硅或者多晶硅材料時(shí)，為了保證襯底1與第二固定梳齒8之間的絕緣，在所述襯底1與第二固定梳齒8之間設(shè)置有絕緣層10，該絕緣層10可以采用MEMS工藝中所熟知的氧化硅材料等，而且該絕緣層10可以作為蝕刻停止層使用，這均屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，在此不再具體說明。

第二可動(dòng)梳齒7連接在振膜組件的框架3上，所述第二可動(dòng)梳齒7與第二固定梳齒8交叉配合在一起，且二者部分重疊在一起，參考圖3中示出的重疊區(qū)域70。所述第二可動(dòng)梳齒7的下端高于所述第二固定梳齒8的下端，所述第二可動(dòng)梳齒7的上端高于所述第二固定梳齒8的上端，使得第二可動(dòng)梳齒7與第二固定梳齒8沒有完全重疊在一起。

這就使得在給第二可動(dòng)梳齒7、第二固定梳齒8之間形成電壓差時(shí)，例如給第二可動(dòng)梳齒7通入0V的直流電，給第二固定梳齒8通入5V的直流電時(shí)，在靜電力的作用下，可使第二可動(dòng)梳齒7相對(duì)于第二固定梳齒8發(fā)生向下的位移。通過振膜組件相對(duì)兩側(cè)的第二可動(dòng)梳齒7，從而帶動(dòng)整個(gè)振膜組件向下發(fā)生位移，直到第二可動(dòng)梳齒7、第二固定梳齒8的正投影重疊在一起，該位移記為S2。該位移S2的最大值取決于第二可動(dòng)梳齒7與第二固定梳齒8之間的高度差。

圖4的左側(cè)示出的是沿第二可動(dòng)梳齒、第二固定梳齒部分的剖面圖，右側(cè)示意的是沿第一可動(dòng)梳齒、第一固定梳齒部分的剖面圖。本實(shí)用新型的振膜組件在第一可動(dòng)梳齒5、第一固定梳齒6的驅(qū)動(dòng)下可以發(fā)生向上的位移S1，在第二可動(dòng)梳齒7、第二固定梳齒8的驅(qū)動(dòng)下可以發(fā)生向下的位移S2，這兩組梳齒結(jié)構(gòu)通過各自的控制，可以實(shí)現(xiàn)振膜組件整體發(fā)生總量為S1+S2的位移。這在聲換能器尺寸受限的條件下，大大提高了振膜組件的位移區(qū)間，可大大提高振膜組件在低頻的發(fā)音效果；而振膜組件本身可以輸出高頻的音頻訊號(hào)，二者的驅(qū)動(dòng)接口可以獨(dú)立規(guī)劃，并整合于一單體中可同時(shí)輸出高低頻訊號(hào)，從而可以提供準(zhǔn)確的聲音訊號(hào)。

優(yōu)選的是，所述振膜組件整體呈矩形時(shí)，所述第一可動(dòng)梳齒5設(shè)置在振膜組件其中一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁上，所述第二可動(dòng)梳齒7設(shè)置在振膜組件其中另一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁上。當(dāng)所述振膜組件整體呈圓形時(shí)，所述第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7均勻分布在振膜組件的圓周方向上。從而可以通過第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7的單獨(dú)控制實(shí)現(xiàn)振膜組件向上或者向下的平穩(wěn)運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選的是，由于振膜組件在第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7的控制下可以發(fā)生總量為S1+S2的位移區(qū)間，因此，本實(shí)用新型彈性梁4的材料優(yōu)選采用液態(tài)金屬薄膜或者高分子薄膜，從而可以滿足振膜組件較大的位移區(qū)間。

本實(shí)用新型的聲換能器可以作為揚(yáng)聲器使用，也就是說振膜組件本身以及梳齒結(jié)構(gòu)分別作為揚(yáng)聲器的高頻、低頻結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型的聲換能器還可以作為降噪發(fā)聲裝置使用。

具體地，所述振膜組件依然作為接受音頻信號(hào)并輸出聲音的發(fā)聲振膜，其與梳齒結(jié)構(gòu)配合在一起，實(shí)現(xiàn)揚(yáng)聲器的發(fā)聲。本實(shí)用新型的聲換能器，還包括用于與所述振膜2構(gòu)成平板電容結(jié)構(gòu)的背極板(視圖未給出)；所述振膜2與背極板構(gòu)成了用于表征周圍噪聲信號(hào)的麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。振膜2與背極板這種平板電容式的麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)與揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)獨(dú)立控制，也就是說，振膜組件同時(shí)可以輸出聲音，也可以接受并反饋外界的噪聲信號(hào)，從而可以為聲音源的音訊信號(hào)提供修正的基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了聲換能器的抗噪特點(diǎn)。

本實(shí)用新型還提供了一種MEMS聲換能器的制造方法,其包括以下步驟：

a)提供襯底1，在所述襯底1上刻蝕出不同高度且呈梳狀結(jié)構(gòu)的第一溝槽1a、第二溝槽1b，參考圖5；

本實(shí)用新型的襯底1可以選用單晶硅材料，可使用深離子刻蝕機(jī)臺(tái)，在襯底1上刻蝕出不同高度差的第一溝槽1a、第二溝槽1b；為了便于操作，襯底上的所有第一溝槽1a的深度可以相同，所有第二溝槽1b的深度可以相同；

b)在襯底1上沉積導(dǎo)電層14，所述導(dǎo)電層14填充在第一溝槽1a、第二溝槽1b內(nèi)，參考圖6；

本實(shí)用新型的導(dǎo)電層14可以采用單晶硅或者多晶硅，所述導(dǎo)電層14填充在不同高度的第一溝槽1a以及第二溝槽1b中；在此需要注意的是，由于襯底1采用了單晶硅材料，為了保證絕緣，需要首先在襯底1上以及第一溝槽1a、第二溝槽1b中生產(chǎn)一層絕緣層(圖5至圖10未示出)，該絕緣層可以采用氧化硅材料，這不但實(shí)現(xiàn)了襯底1與導(dǎo)電層14之間的絕緣，該絕緣層還可以作為后續(xù)的蝕刻停止層；

c)刻蝕所述導(dǎo)電層14，在所述第一溝槽1a、第二溝槽1b內(nèi)形成第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7、第一固定梳齒6、第二固定梳齒8，參考圖7；

在圖7示出的結(jié)構(gòu)中，由于第二溝槽1b的深度大于第一溝槽1a的深度，因此，可對(duì)第二溝槽1b內(nèi)的導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，從而形成具有高度落差的梳齒；在此需要注意的是，需要形成位于相對(duì)兩側(cè)的第一可動(dòng)梳齒5以及與第一可動(dòng)梳齒5配合的第一固定梳齒6，以及位于相對(duì)兩側(cè)的第二可動(dòng)梳齒7以及與第二可動(dòng)梳齒7配合的第二固定梳齒8；且使第一可動(dòng)梳齒5、第一固定梳齒6、第二可動(dòng)梳齒7、第二固定梳齒8滿足上述描述的配合結(jié)構(gòu)；

d)在襯底1的上端面沉積并刻蝕形成振膜組件的框架3以及彈性梁，參考圖8；

本實(shí)用新型的框架3以及彈性梁優(yōu)選采用相同的材質(zhì)，例如可在襯底上沉積液態(tài)金屬，從而形成上述的框架3，以及連接在框架3與襯底1之間的彈性梁；在此需要注意的是，在沉積液態(tài)金屬的時(shí)候，需要在襯底1上設(shè)置掩膜，從而防止液體金屬沉積到不需要的區(qū)域；

e)在框架3上沉積形成振膜2，參考圖9；

本實(shí)用新型的振膜2材料可以選用PZT壓電陶瓷材料，對(duì)不需要沉積的區(qū)域設(shè)置掩膜結(jié)構(gòu)，從而將振膜2僅沉積在框架3上；

f)刻蝕襯底1，將振膜2、框架3、第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7、第一固定梳齒6、第二固定梳齒8、彈性梁釋放出來，參考圖10。

可使用深離子蝕刻機(jī)臺(tái)，移除振膜2、框架3、第一可動(dòng)梳齒5、第二可動(dòng)梳齒7、第一固定梳齒6、第二固定梳齒8、彈性梁下方的單晶硅襯底材料，從而將上述結(jié)構(gòu)釋放出來。在此需要注意的是，由于上述步驟中設(shè)置了絕緣層，該絕緣層可以作為深離子刻蝕的停止層，從而防止在深離子刻蝕硅襯底的時(shí)候，將聲換能器的各功能結(jié)構(gòu)層蝕刻掉；后續(xù)需要使用例如氟化氫來將絕緣層移除，這屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，在此不再具體說明。

雖然已經(jīng)通過例子對(duì)本實(shí)用新型的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本實(shí)用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。