技術(shù)特征：
1.一種夾心并聯(lián)式外延GaN的PIN型α輻照電池，包括：PIN單元和α放射源層，其特征在于：所述PIN單元，采用由上下兩個(gè)PIN結(jié)并聯(lián)構(gòu)成；上PIN結(jié)自上而下依次為，N型歐姆接觸電極(5)、N型高摻雜4H-SiC襯底(1’)、摻雜濃度為1x1015～3x1015cm-3的N型低摻雜SiC外延層(8)、摻雜濃度為1x1019～5.5x1019cm-3的P型高摻雜GaN外延層(9)和P型歐姆接觸電極(6)；下PIN結(jié)自上而下依次為，P型歐姆接觸電極(6)、摻雜濃度為1x1019～5.5x1019cm-3的P型高摻雜GaN外延層(9)、摻雜濃度為1x1015～3x1015cm-3的N型低摻雜SiC外延層(8)、N型高摻雜4H-SiC襯底(1’)和N型歐姆接觸電極(5)；所述α放射源層(7’)，夾在上下兩個(gè)PIN結(jié)的P型歐姆接觸電極(6)之間，以實(shí)現(xiàn)對(duì)高能α粒子的充分利用；所述襯底(1’)采用摻雜濃度為lx1018cm-3的N型4H-SiC。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于α放射源層(7’)采用原子質(zhì)量為241的镅元素，即Am241。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于α放射源層(7’)采用原子質(zhì)量為238的钚元素，即Pu238。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的電池，其特征在于α放射源層(7’)的厚度h滿足h≤m，其中m為α放射源所釋放的高能α粒子在α放射源材料中的平均入射深度，對(duì)于α放射源為Am241的，其取值為：m＝7.5μm，對(duì)于α放射源為Pu238的，其取值為：m＝10μm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于P型高摻雜GaN外延層(9)的厚度為0.1～0.2μm。6.一種夾心并聯(lián)式外延GaN的PIN型α輻照電池的制備方法，包括以下步驟：(1)制作下PIN結(jié)：1.1)清洗：對(duì)SiC樣片進(jìn)行清洗，以去除表面污染物；1.2)生長(zhǎng)N型低摻雜SiC外延層：利用化學(xué)氣相淀積CVD法在清洗后的SiC樣片表面外延生長(zhǎng)一層摻雜濃度為1x1015～3x1015cm-3，厚度為15～30μm的N型低摻雜SiC外延層；1.3)生長(zhǎng)P型高摻雜GaN外延層：將生長(zhǎng)N型低摻雜SiC外延層后的樣品放入化學(xué)氣相淀積CVD爐中，在H2氛圍下加熱到1100℃并保持10min以清潔表面；再向反應(yīng)室內(nèi)通入流量分別為52.3μmol·min-1、0.035mol·min-1的三甲基鋁和NH3，在低摻雜SiC外延層上生長(zhǎng)60nm厚的AlN；然后將反應(yīng)室降溫至1050℃，向反應(yīng)室內(nèi)通入流量分別為6.5μmol·min-1、8.93mmol·min-1、0.18μmol·min-1的三甲基鎵、NH3和CP2Mg，完成鎂摻雜濃度為1x1019～5.5x1019cm-3，厚度為0.1～0.2μm的P型高摻雜GaN外延層的生長(zhǎng)；1.4)淀積歐姆接觸電極：在P型高摻雜GaN外延層表面利用電子束蒸發(fā)法淀積一層厚度為50nm/200nm的金屬Ti/Au，作為P型歐姆接觸電極；利用電子束蒸發(fā)法在SiC襯底未外延的背面淀積厚度為300nm的Ni金屬層，作為N型歐姆接觸電極；1100℃下氮?dú)鈿夥罩锌焖偻嘶?分鐘；(2)重復(fù)步驟1.1)到步驟1.4)制作上PIN結(jié)；(3)利用分子鍍?cè)谙翽IN結(jié)的P型歐姆接觸電極或者上方PIN結(jié)的P型歐姆接觸電極上鍍一層厚度為3～6μm的α放射源；(4)利用鍵合法將上PIN結(jié)的P型歐姆接觸電極一面與下PIN結(jié)的P型歐姆接觸電極一面壓合在一起，完成夾心并聯(lián)式外延GaN的PIN型α輻照電池的制作。