技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種夾心并聯(lián)式外延GaN的PIN型α輻照電池及制備方法，主要解決當(dāng)前核電池能量轉(zhuǎn)化率及輸出功率低的問題。其包括：并聯(lián)的上下兩個PIN結(jié)和α放射源層；下PIN結(jié)自上而下依次為，P型歐姆接觸電極、P型高摻雜GaN外延層、N型高摻雜4H?SiC襯底、N型低摻雜SiC外延層和N型歐姆接觸電極，上PIN結(jié)自下而上的結(jié)構(gòu)分布與下PIN結(jié)自上而下的結(jié)構(gòu)分布相同；α放射源層夾在上下兩個PIN結(jié)的P型歐姆接觸電極之間，以實現(xiàn)對高能β粒子的充分利用。本發(fā)明具有放射源與半導(dǎo)體接觸面積大，核原料利用率及能量收集率高，電池輸出電壓大的優(yōu)點，可為微小電路持久供電，或為極地、沙漠等場合供電。

技術(shù)研發(fā)人員：郭輝;趙亞秋;宋慶文;張藝蒙;張玉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201410299858
技術(shù)研發(fā)日：2014.06.29
技術(shù)公布日：2017.02.15