1.一種樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，其特征包括以下步驟：
(一)、準備含氟樹脂乳液、復配的陶瓷填料、專門的銅箔；
(二)、含氟樹脂乳液的混合；
(三)、復配陶瓷填料的混合；
(四)、含氟樹脂乳液與復配陶瓷填料的混合成本發(fā)明的含氟樹脂組合物；
(五)、含氟樹脂乳液與復配陶瓷填料的混合制備成復合介質片；
(六)、含氟樹脂乳液與復配陶瓷填料的混合涂覆在銅箔一面上經烘干、烘焙、燒結成待用的銅箔；
(七)將制備好的銅箔與復合介質片按照銅箔+復合介質片+銅箔，銅箔帶含氟樹脂組合物均面向復合介質片，層壓成本發(fā)明的高頻電路基材。
2.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(一)所述的含氟樹脂，包括聚全氟乙丙烯乳液、聚全氟乙烯烷基乙烯基醚乳液或四氟乙烯與乙烯的共聚物，聚偏乙烯、聚三氟氯乙烯中的一種或幾種的任意組合。
3.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(一)所述的陶瓷填料，包括燒結過的陶瓷填料包括氧化鋁、二氧化硅、氮化硼、氮化硅、二氧化鈦、鈦酸鍶、鈦酸鋇中的一種或幾種的組合物。
4.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(三)所述的混合過程，混合達到充分浸潤，并且陶瓷填料能在溶劑中均勻分散24小時不沉降、不分層。
5.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(四)所述的混合過程，含氟樹脂與調料混合充分不破乳，并且陶瓷填料能在含氟組合物種中均勻分散24小時不沉降、不分層。
6.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(四)所述的復合介質片，利用了本發(fā)明的含氟樹脂組合物經過烘干、烘焙、模壓成型三個階段。
7.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(四)所述的氟樹脂乳液與復配陶瓷填料的組合物混合后涂覆在銅箔一面上經烘干、烘焙、燒結成待用的銅箔。
8.根據權利要求6和7樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，所述的烘干、烘焙、燒結、模壓階段，第一階段溫度控制在90-120℃之間，第二階段和模壓階段溫度控制在180-220℃之間，第三階段燒結階段溫度控制在300-350℃之間。
9.根據權利要求6樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，所述的烘焙模壓階段全部真空環(huán)境下完成。
10.根據權利要求1樹脂組合物及其制造的高頻電路基材，步驟(七)所述的制備的高頻電路基材，按照銅箔+復合介質片+銅箔疊合，銅箔表面涂覆有樹脂和復配陶瓷填料的一面均面向復合介質片。然后在400℃，12MPa壓力下保持1.5個小時，制得本發(fā)明描述的高頻電路基材。