本實(shí)用新型涉及鋼化玻璃膜技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種防輻射鋼化玻璃膜。
背景技術(shù):
鋼化玻璃膜是專為保護(hù)手機(jī)屏幕而設(shè)計(jì)的高科技保護(hù)膜,是目前對(duì)保護(hù)屏幕最具強(qiáng)化保護(hù)的高端新產(chǎn)品,能將原有的屏幕面完全覆蓋,防止受到外力的損害外,更增加了沖擊吸收性,比PET膜的標(biāo)準(zhǔn)高5倍,不會(huì)影響屏幕的視頻效果,可做到主屏防碎裂,抗劃痕和刮傷,其堅(jiān)韌程度也足以保護(hù)手機(jī)顯示屏免受重壓。當(dāng)手機(jī)掉地上,承受的沖擊力很大,張力過(guò)大屏就碎了。鋼化玻璃膜韌性低,當(dāng)手機(jī)傳出張力時(shí)膜就會(huì)承受張力,這樣大大減少了主屏承受的張力?,F(xiàn)有的鋼化玻璃膜對(duì)于在白天室外光線較強(qiáng)使用時(shí)難以降低反射光從而導(dǎo)致在室外難以正常使用手機(jī),且難有效的降低電磁輻射。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型提供一種防輻射鋼化玻璃膜,可以有效降低鋼化膜的光反射作用,同時(shí)有效的降低了電磁輻射;且具備良好的散熱作用。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為:
一種防輻射鋼化玻璃膜,包括鋼化玻璃層、透明基材層,所述鋼化玻璃層設(shè)置在所述透明基材層的上端,在所述透明基材層的下端設(shè)置有膠粘層,在所述膠粘層的下端和所述鋼化玻璃層的上方分別設(shè)置有離型層;所述鋼化玻璃層包括玻璃基片,在所述玻璃基片上設(shè)置有第一氮化硅膜層、第二氮化硅膜層和第三氮化硅膜層,在所述玻璃基片與第一氮化硅膜層之間、所述第一氮化硅膜層與第二氮化硅膜層之間和第二氮化硅膜層與第三氮化硅膜層之間分別設(shè)置有透明導(dǎo)電膜層。
優(yōu)選地,所述透明導(dǎo)電膜層為銦—錫氧化物層。
優(yōu)選地,所述第三氮化硅膜層的厚度為75-80nm,折射率為2.05-2.07。
優(yōu)選地,所述第二氮化硅膜層的厚度為80-85nm,折射率為2.08-2.10。
優(yōu)選地,所述第一氮化硅膜層的厚度為85-90nm,折射率為2.12-2.15。
可選地,所述第三氮化硅膜層的厚度為75nm,折射率為2.05;所述第二氮化硅膜層的厚度為80nm,折射率為2.08;所述第一氮化硅膜層的厚度為85nm,折射率為2.12。
進(jìn)一步地,在所述鋼化玻璃層的四周邊緣設(shè)置有碳納米管層。
優(yōu)選地,在所述第三氮化硅膜層與所述透明導(dǎo)電膜層之間設(shè)置有陶瓷光學(xué)膜層。
優(yōu)選地,所述陶瓷光學(xué)膜層為氧化鈦膜層。
本實(shí)用新型提供一種防輻射鋼化玻璃膜,該鋼化玻璃膜在所述玻璃基片上設(shè)置有第一氮化硅膜層、第二氮化硅膜層和第三氮化硅膜層,在所述玻璃基片與第一氮化硅膜層之間、所述第一氮化硅膜層與第二氮化硅膜層之間和第二氮化硅膜層與第三氮化硅膜層之間分別設(shè)置有透明導(dǎo)電膜層,有效的降低了玻璃膜的光反射作用,同時(shí)氮化硅膜具備良好的防輻射作用。同時(shí)設(shè)置有良好散熱作用的碳納米管層,使得整個(gè)鋼化玻璃膜具有良好的散熱效果。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型一種防輻射鋼化玻璃膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型一種防輻射鋼化玻璃膜的局部分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖,具體闡明本實(shí)用新型的實(shí)施方式,附圖僅供參考和說(shuō)明使用,不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制。
如圖1和2所示,一種防輻射鋼化玻璃膜,包括鋼化玻璃層2、透明基材層1,所述鋼化玻璃層2設(shè)置在所述透明基材層1的上端,在所述透明基材層1的下端設(shè)置有膠粘層3,在所述膠粘層3的下端和所述鋼化玻璃層2的上方分別設(shè)置有離型層4;所述鋼化玻璃層2包括玻璃基片21,在所述玻璃基片21上設(shè)置有第一氮化硅膜層22、第二氮化硅膜層23和第三氮化硅膜層24,在所述玻璃基片21與第一氮化硅膜層22之間、所述第一氮化硅膜層22與第二氮化硅膜層23之間和第二氮化硅膜層23與第三氮化硅膜層24之間分別設(shè)置有透明導(dǎo)電膜層25、26、27。所述透明導(dǎo)電膜層為銦—錫氧化物層。所述第三氮化硅膜層24的厚度為75-80nm,折射率為2.05-2.07。所述第二氮化硅膜層23的厚度為80-85nm,折射率為2.08-2.10。所述第一氮化硅膜層22的厚度為85-90nm,折射率為2.12-2.15。本實(shí)施例中,所述第三氮化硅膜層24的厚度為75nm,折射率為2.05;所述第二氮化硅膜層23的厚度為80nm,折射率為2.08;所述第一氮化硅膜層22的厚度為85nm,折射率為2.12。在所述鋼化玻璃層2的四周邊緣設(shè)置有碳納米管層5。在所述第三氮化硅膜層24與所述透明導(dǎo)電膜層27之間設(shè)置有陶瓷光學(xué)膜層28。所述陶瓷光學(xué)膜層28為氧化鈦膜層。
以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,不能以此來(lái)限定本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍,因此依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化,仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。