，福射防護(hù)物60包括與第二層 45 (其為聚合物層，有衰減材料50分散在整個聚合物材料30中）結(jié)合的第一層55 (其為聚 合物層，有磁性材料40分散在整個聚合物材料30中）。引入具有分離的衰減材料層和磁性 材料層該樣的雙層防護(hù)物，可W使得磁層的位置接近磁化夾具W及接下來靠近防護(hù)物最終 附著的表面。該種設(shè)計還增加了磁場強(qiáng)度，因?yàn)樵搹?qiáng)度隨著間距的平方而下降。在該個實(shí) 施方案中，有機(jī)娃聚合物為特別優(yōu)選的，因?yàn)橛袡C(jī)娃層之間通常能夠容易且良好地結(jié)合。
[0042] 在另一個實(shí)施方案中，磁性材料可分散遍布于聚合物層的較小端部中，然后與較 大的聚合物條帶（其中遍布式分散著鐵W實(shí)現(xiàn)福射衰減）的端部結(jié)合。分散在整個片的 較小端部中的磁性材料允許所述片包住一個物體，并通過和所述片的剩余部分的吸引作用 (由于鐵分散在整個所述片中）而變得牢固。
[0043] 在另一個實(shí)施方案中（如圖3所示），設(shè)計了一個單層70福射防護(hù)物。所述單層 70可由其中分散著衰減材料的聚合物、其中分散著磁性材料的聚合物、或其中分散著衰減 材料和磁性材料的聚合物層組成。此外，所述衰減材料和/或磁性材料可均勻分散（如圖 1所示）或分散在層70的特定部分中。在一個實(shí)施方式中，圖3的單層福射防護(hù)物和附加 層組合而形成多層福射防護(hù)物。在圖3的福射防護(hù)物中，福射防護(hù)層70的長度約為36英 寸，且其寬度約為12英寸，厚度為0. 50英寸。
[0044] 圖4公開了一個單層福射防護(hù)物80,其除了包括中屯、屏蔽區(qū)域82和磁性端部84 W外，其他和圖3的實(shí)施方案相似。類似于圖3,中屯、部分82可由其中遍布式分散著衰減 材料的聚合物、其中遍布式分散著磁性材料的聚合物、或其中遍布式分散著衰減材料和磁 性材料的聚合物層組成。此外，所述衰減材料和/或磁性材料可均勻分散（如圖1所示） 或分散于所述中屯、區(qū)域82的特定部分。磁性端部84幾乎完全（如果不是完全的話）由磁 性材料組成。在圖4的福射防護(hù)物中，所述福射防護(hù)物80的中屯、區(qū)域82的長度約為33英 寸，寬度約為12英寸，厚度為0.375英寸。
[0045] 如圖5所示，福射防護(hù)物（例如如圖4所示的福射防護(hù)物）可包繞著一個物體并用 磁性端部84固定到位，其中所述磁性端部84具有使得它們在重疊時鎖合的磁性取向。又 或者，如圖6所示，福射防護(hù)物（例如如圖4所示的福射防護(hù)物）可包繞著一個物體并用磁 性端部84固定到位，但是其中所述磁性端部84具有該樣的磁性取向，該磁性取向使得各端 部84的端壁86鎖合而沒有任何重疊。在圖6的實(shí)施方案中，引入了多個福射防護(hù)層，包括 第一層90和第二內(nèi)層92。
[0046] 在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，例如如圖7所示，福射防護(hù)物100包括=個結(jié)合的 層102, 104和106。中屯、層104可由其中分散著衰減材料的聚合物、其中分散著磁性材料的 聚合物、或其中分散著衰減材料和磁性材料的聚合物層組成。此外，所述衰減材料和/或磁 性材料可均勻分散（如圖1所示）或分散在中屯、區(qū)域82的特定部分。外層102和/或106 的組成可W和中屯、層104相似或由不同于中屯、層104的材料組成。例如，在一個實(shí)施方式 中，外層102和106幾乎完全（如果不是完全的話）由磁性材料組成，從而中屯、層104夾在 兩個磁性層之間。
[0047] 圖8至12公開了本發(fā)明的福射防護(hù)物的一些構(gòu)造和不同的連接位置。圖8至12 的福射防護(hù)物僅顯示了一部分，且可表示單一一個福射防護(hù)物包繞著一個物體、然后在兩 端相連，或者可表示兩個分離的福射防護(hù)物，其中每個防護(hù)物在各自的端部相連。
[0048] 圖8公開了第一福射防護(hù)物端部110和第二福射防護(hù)物端部120。福射防護(hù)物端 部110包括二層區(qū)112和單層區(qū)118。所述二層區(qū)包括外層114和116,W及中心層115。 同樣，福射防護(hù)物端部120包括=層區(qū)122和單層區(qū)128。所述=層區(qū)包括外層124和126， W及中屯、層125。在一個實(shí)施方案中，福射防護(hù)物端部110和120的外層114、116、124和 126W及單層區(qū)118和128主要由磁性材料組成，而中屯、層115和125由包含聚合物和衰減 材料的復(fù)合材料組成。在另一個實(shí)施方案中，福射防護(hù)物端部110和120的外層114、116、 124和126W及單層區(qū)118和128幾乎只由磁性材料組成。此外，在其他實(shí)施方案中，中屯、 層115和125由包括聚合物、衰減材料和磁性材料的復(fù)合材料組成。再或者，福射防護(hù)物端 部110和120的外層114、116、124和126W及單層區(qū)118和128可由聚合物、磁性材料和/ 或衰減材料的任意組合組成。在圖9中公開了福射防護(hù)物端部110和120的另一種連接， 其中單層區(qū)118和128被布置成與S層區(qū)112和122相鄰，該與圖8的構(gòu)造相反，在圖8中 單層區(qū)118和128彼此相鄰。
[0049] 圖10公開了又一種構(gòu)造，其具有第一福射防護(hù)物端部130和第二福射防護(hù)物端 部140。福射防護(hù)物端部130有S層，包括外層134和136W及中屯、層135。同樣，福射防 護(hù)物端部140有=層，包括外層144和146W及中屯、層145。在一個實(shí)施方案中，外層134、 136、144和146主要由磁性材料組成，而中屯、層135和145由包括聚合物和衰減材料的復(fù)合 材料組成。再或者，中屯、層135和145可由包括聚合物、衰減材料和磁性材料的復(fù)合材料組 成。此外，外層134、136、144和146可由包括聚合物、磁性材料和/或衰減材料的復(fù)合材料 組成。
[0化0] 圖11和圖12公開了不同的福射防護(hù)物端部的連接。例如，圖11和圖12公開了與 圖8和圖9所示的端部110類似的第一福射防護(hù)物端部（其具有S層區(qū)112和單層區(qū)118)， 其與第二福射防護(hù)物端部相連，該第二福射防護(hù)物端部與圖10和圖11所示的端部140類 似，只有S層區(qū)144、145和146。圖11公開了端部110和140僅在端部110的單層區(qū)118 上連接。另一方面，圖12公開了端部110和140連接，使得端部110的單層區(qū)118和31 區(qū)112與端部140相鄰。
[0051] 本發(fā)明的福射防護(hù)物或福射防護(hù)層可具有下表1所示的組成。如表1所示的示例 性組成對于衰減伽馬射線特別有用，且所得到的防護(hù)物和/或防護(hù)層具有相近的福射衰減 能力（基于如下表1所列的指定的材料厚度而言）。
[0化2] 表1金屬福射防護(hù)物組成 [0化3]
[0054] 本發(fā)明的福射防護(hù)物或福射防護(hù)層的另外一個例子具有如下表2所示的組成。下 表2所示的示例性組成對于衰減中子特別有用，且所得到的防護(hù)物和/或防護(hù)層具有相近 的福射衰減能力（基于下表2所示的指定的材料厚度而言）。
[0化5] 表2陶瓷福射防護(hù)物組成
[0化6]
[0057]W上例子僅為示例性說明，除非另外指明，否則其并非旨在窮盡所有或作為限制。 [005引如果臨時使用的話，本發(fā)明的防護(hù)物的磁性能優(yōu)選地提供了有利之處，因?yàn)槠錅p 少了將防護(hù)物固定至各種物體W及移除防護(hù)物所需的時間、精力和材料。例如，所述福射防 護(hù)物的磁性能可允許該防護(hù)物被快速并牢固地附接至黑色金屬和有色金屬和聚合物物體 (例如管道）、或完全包繞一個物體（例如管道）、或應(yīng)用于除了管道屏蔽W外的用途；例如 制造屏蔽墻。對于管道，防護(hù)物通過該防護(hù)物的重疊部分保持固定，且允許W該防護(hù)物固有 的磁性能作為緊固機(jī)構(gòu)。此外，可定制聚合物、衰減材料和磁性材料的配比W滿足各種核工 業(yè)和其他行業(yè)的需求。所述福射防護(hù)物的福射