衰減能力、磁場(chǎng)強(qiáng)度、柔性、重量、厚度和形狀 也能變動(dòng)。該里公開(kāi)的實(shí)施方案表示一些優(yōu)選的、有效的配比，其能滿足不同行業(yè)展現(xiàn)的需 求。
[0化9] 用于提供所述防護(hù)物的磁性特征的材料還可W有益于該防護(hù)物的福射衰減能力。 許多磁性材料在被引入防護(hù)物中時(shí)，由于所述磁性材料具有該種雙重作用，因而可W有助 于減少重量和成本，因?yàn)殡S著防護(hù)物中磁性材料的量增加，分散在整個(gè)聚合物中的衰減材 料的量可減少。在具有鶴福射衰減成分的防護(hù)物中會(huì)進(jìn)行該種權(quán)衡。
[0060] 磁化所述福射防護(hù)物的方法可用于影響該福射防護(hù)物所得到的磁場(chǎng)的特征。本領(lǐng) 域的技術(shù)人員會(huì)理解定制所述磁場(chǎng)的特征所帶來(lái)的工業(yè)效益，和該種定制如何允許所述防 護(hù)物在附接至各種物體時(shí)展現(xiàn)出不同的磁性能。此外，可挑選福射衰減材料，從而屏蔽所選 的福射波長(zhǎng)或所選的福射波長(zhǎng)的組合。取決于具體的目標(biāo)，可屏蔽伽馬射線、中子和其他形 式的福射。
[0061] 盡管W上描述了本發(fā)明的各種實(shí)施方案和例子，但提供該些描述的目的是說(shuō)明和 解釋，而非限制。各種變動(dòng)、改變、修改和不同于W上公開(kāi)的系統(tǒng)和方法是可W采用的，而不 違背本發(fā)明的精神和范圍。事實(shí)上，閱讀完W上描述，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，如何W替 代方案來(lái)實(shí)施本發(fā)明將會(huì)是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明不應(yīng)限于上述任何一個(gè)示例性實(shí)施 方案。
[0062] 此外，摘要的目的是為了使各個(gè)專利局和公眾（通常并且尤其是對(duì)專利或法律條 款或措辭不熟悉的科學(xué)家、工程師和本領(lǐng)域的從業(yè)人員）快速地由粗略的查閱而確定本申 請(qǐng)的技術(shù)公開(kāi)內(nèi)容的性質(zhì)和實(shí)質(zhì)。摘要不對(duì)本發(fā)明的范圍產(chǎn)生任何形式的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種輻射衰減防護(hù)物，包含： 聚合物； 輻射衰減材料；和 磁性材料。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料包含鐵、鎢、鉍、氧 化鉍、鉛、碳化硼和三水合鋁中的至少一種成分。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料包含鐵、鎢、鉍、氧 化鉍、鉛、碳化硼和三水合鋁中的兩種或更多種成分。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料是鎢。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料是鐵。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述聚合物為被催化時(shí)形成柔性固體 的液體有機(jī)硅橡膠。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述磁性材料包含稀土金屬合金、鐵 氧體和鐵粉末中的至少一種。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述磁性材料包含稀土金屬合金、鐵 氧體和鐵粉末中的至少兩種。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料和磁性材料包含粒 子不大于-60目的粉末。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減防護(hù)物的輻射衰減能 力為至少19%。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減防護(hù)物的所述磁性材 料的平面吸引力為至少700高斯，閉合力為至少1400高斯。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料和所述磁材料分 散在所述聚合物中以形成衰減層。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的輻射衰減防護(hù)物，還包括磁性材料層，所述磁性材料層被 布置成與所述衰減層相鄰。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的輻射衰減防護(hù)物，還包括磁性材料層，所述磁性材料層包 裹著所述衰減層。15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射衰減防護(hù)物，進(jìn)一步包含：10體積％至70體積％的所 述磁性材料，5體積％至55體積％的所述衰減材料，以及20體積％至85體積％的所述聚合 物。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料選自鐵、鎢、鉍、 氧化鉍、鉛、碳化硼和三水合鋁。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料包含鎢。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料包含鐵。19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料包含鎢和鐵的混 合物。20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述聚合物為催化時(shí)形成柔性固體 的液體有機(jī)硅橡膠。21. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述磁性材料包含稀土金屬合金、 鐵氧體和鐵粉末中的至少一種。22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述磁性材料包含稀土金屬合金、 鐵氧體和鐵粉末中的至少兩種。23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料和磁性材料包含 粒子不大于-60目的粉末。24. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減防護(hù)物的輻射衰減能 力為至少19%。25. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減防護(hù)物的所述磁性材 料的平面吸引力為至少700高斯，閉合力為至少1400高斯。26. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射衰減防護(hù)物，其中所述輻射衰減材料和所述磁性材料 分散在所述聚合物中以形成衰減層。27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的輻射衰減防護(hù)物，還包括磁性材料層，所述磁性材料層被 布置成與所述衰減層相鄰。28. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的輻射衰減防護(hù)物，還包括磁性材料層，所述磁性材料層包 裹著所述衰減層。29. -種生產(chǎn)輻射衰減防護(hù)物的方法，包括以下步驟： 將聚合物、輻射衰減材料和磁性材料摻混形成混合物； 將所述混合物加入模具中； 使所述混合物硬化以形成硬化的混合物；以及 將所述硬化的混合物從所述模具中移除。30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，還包括固化所述混合物的步驟。31. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，還包括將所述聚合物和催化劑摻混的步驟。32. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述混合物包含：10體積％至70體積％的磁性 材料，5體積％至55體積％的衰減材料，以及20體積％至85體積％的聚合物。33. -種用于衰減輻射的系統(tǒng)，包括以下步驟： 提供包含聚合物、輻射衰減材料和磁性材料的輻射衰減防護(hù)物； 將所述輻射衰減防護(hù)物固定至一個(gè)結(jié)構(gòu)以限制所述系統(tǒng)周?chē)妮椛淦芈丁?4. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中所述輻射衰減防護(hù)物包含：10體積％至70體 積％的磁性材料，5體積％至55體積％的衰減材料，以及20體積％至85體積％的聚合物。35. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其中所述結(jié)構(gòu)放射輻射，所述輻射衰減防護(hù)物限制 從所述防護(hù)物放出的輻射。
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有磁性的輻射防護(hù)物，具體而言，公開(kāi)了一種輻射衰減防護(hù)物、方法和系統(tǒng)。所述防護(hù)物包括聚合物、輻射衰減材料和磁性材料。所述輻射衰減材料和磁性材料可分散于所述聚合物中以形成衰減層。此外，可將磁性材料層布置成與所述衰減層相鄰或包裹著所述衰減層。所述輻射衰減防護(hù)物可通過(guò)以下方式制備而成：將各組分摻混形成混合物，然后將該混合物加入模具中至形成硬化的形狀。此外，本發(fā)明的所述輻射衰減防護(hù)物可機(jī)械固定至一個(gè)結(jié)構(gòu)以遏制輻射。此外，所述防護(hù)物可利用該防護(hù)物的磁性而固定至一個(gè)結(jié)構(gòu)。
【IPC分類(lèi)】G21F1/10, C08K3/08, C08L83/04, G21F3/00, G21F1/02, C08K3/38, C08K3/22
【公開(kāi)號(hào)】CN104979031
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510154515
【發(fā)明人】理查德·V·卡伯特森, 蘭德?tīng)枴·拉根, 約瑟夫·J·小斯圖帕克
【申請(qǐng)人】美國(guó)陶瓷技術(shù)公司
【公開(kāi)日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2015年4月2日
【公告號(hào)】CA2887612A1, US20150287486