n2期間，利用臺(tái)架26將基板10支撐在至少一個(gè)寫入周期區(qū)位置WCZU-WCZLnK圖7A的操作102B)。臺(tái)架26及/或?qū)懭霗C(jī)構(gòu)27可彼此相對(duì)移動(dòng)，以相對(duì)于寫入射束25(1 )-25(Λ)設(shè)置寫入周期區(qū)位置WCZL1-WCZLn2的每個(gè)寫入周期區(qū)位置。如此，可相對(duì)于用于寫入的寫入射束25(l)-25(NO方便地定位圖案24。
[0060]工藝100可包括使用計(jì)算機(jī)處理器32根據(jù)光刻膠14在各寫入像素位置WPL1-WPLn1處的局部厚度TH來(lái)確定各寫入射束25(1)-25(犯)的駐留時(shí)間DT1-DTn1(圖7Α的操作102C)。注意可在關(guān)于寫入周期WC1-WCn2的不同時(shí)間調(diào)整寫入射束25(1)-25(犯)的駐留時(shí)間DT1-DTni。在一個(gè)實(shí)施方式中，可實(shí)時(shí)確定駐留時(shí)間DT1-DTni。在另一實(shí)施方式中，可在開始時(shí)間到結(jié)束時(shí)間所界定的時(shí)間段內(nèi)確定給定寫入周期WC1-WCn2的駐留時(shí)間DT1-DTn1。所述開始時(shí)間可以是緊接在給定寫入周期前的寫入周期的開端。所述結(jié)束時(shí)間可以是給定寫入周期的結(jié)束端。如此，可及時(shí)提供駐留時(shí)間DT1-DTn1至寫入射束致動(dòng)器30。
[0061 ] 工藝100亦可包括利用寫入射束致動(dòng)器30將寫入射束25(1)-25(見(jiàn))的每個(gè)寫入射束獨(dú)立地引導(dǎo)至設(shè)置在基板10的光刻膠14上的寫入像素位置WPL1-WPLn1達(dá)各駐留時(shí)間DT1-DTni(圖7A的操作102D)。用寫入射束致動(dòng)器30獨(dú)立地引導(dǎo)寫入射束25(1)-25(見(jiàn))的每個(gè)寫入射束可包含同時(shí)獨(dú)立地引導(dǎo)至少一千(1000)個(gè)寫入射束。獨(dú)立地引導(dǎo)可包含獨(dú)立地引導(dǎo)SLM 56的鏡子58(1)-58(見(jiàn))的每個(gè)鏡子。獨(dú)立地引導(dǎo)可包含在寫入周期WC1-WCn2期間，當(dāng)計(jì)算機(jī)處理器32確定寫入射束25(1)-25(犯)的各寫入射束的中心軸可入射到光刻膠14中的圖案24的特征結(jié)構(gòu)64(1)-64(N2)之一者內(nèi)時(shí)，使SLM 56的鏡子58(I)-58(Λ)的各鏡子啟動(dòng)至作用位置60Α。獨(dú)立地引導(dǎo)可包括在寫入周期WC1-WCn2的單個(gè)寫入周期期間，使用計(jì)算機(jī)處理器32提供包含至少三個(gè)不同值的各駐留時(shí)間01'1-01^至3111 56的鏡子25(1)-25(見(jiàn))的三個(gè)鏡子。如此，可精確地寫入圖案24而具有較小的尺寸誤差，所述尺寸誤差因光刻膠14的厚度變化而導(dǎo)致。
[0062]工藝100亦可包括確定是否完成寫入圖案24(圖7Α的操作102Ε)。若完成寫入，則工藝100可準(zhǔn)備處理下一基板10(圖6的操作102G)。否則，可開始寫入周期WC1-WCn2的下一周期(圖7Α的操作102F)及再次重復(fù)進(jìn)行操作102Α-102Ε。如此，可通過(guò)圖案產(chǎn)生器22完全寫入圖案24，且圖案24可用與光刻膠14相容的光刻膠顯影劑(未圖示)處理。
[0063]圖7Β是用圖2的多射束圖案產(chǎn)生器22在光刻膠14上寫入圖案24的示例性替代工藝200的流程圖，其中并入光刻膠14的厚度偏差與曝光后工藝偏差的劑量修正圖202被用于調(diào)整圖案產(chǎn)生器22輸送于寫入像素的劑量。將用上述術(shù)語(yǔ)與信息說(shuō)明圖7Β所示的工藝200。
[0064]就此，工藝200可包括使用圖案產(chǎn)生器22以均勻?qū)懭胂袼貏┝繉⒍攘繄D案寫入光刻膠14內(nèi)(圖7Β的操作204Α)。度量圖案可包含均勻分布于度量基板1A各處的一組相同尺寸的度量特征結(jié)構(gòu)205(1)-205(Ν3)。圖7C是具有度量圖案205(Χ)的示例性度量基板的俯視圖，度量圖案205(Χ)具有均勻尺寸(S卩5微米線寬形成十字)，該均勻尺寸是通過(guò)將光刻膠14中的寫入像素曝光于示例性均勻劑量Ql而寫入的，例如在此情況中，均勻劑量Ql可為三十
(30)毫焦耳每平方厘米。為說(shuō)明的目的，度量特征結(jié)構(gòu)205(Χ)被繪示成光刻膠14中曝光的一組寫入像素劑量Ql，每個(gè)寫入像素劑量Ql包含30毫焦耳。
[0065]工藝200亦可包括使光刻膠顯影及選擇性蝕刻基板，以形成可被測(cè)量的度量特征結(jié)構(gòu)205(1)-205(Ν3)(圖7Β的操作204Β)。圖7D是圖7C的度量基板1A的俯視圖，該圖圖示度量特征結(jié)構(gòu)205(1)-205(Ν3)的示例性線寬測(cè)量值W1，度量特征結(jié)構(gòu)疊加在度量基板10的各個(gè)位置上。如圖7D所示，線寬測(cè)量值Wl的范圍可為從4.6微米至5.6微米。線寬測(cè)量值Wl的范圍可具有數(shù)個(gè)變化來(lái)源，包括光刻膠14的厚度偏差。如此，可產(chǎn)生與基板上的位置和像素劑量相關(guān)聯(lián)的線寬測(cè)量值基準(zhǔn)組。
[0066]工藝200亦可包括建立劑量修正圖202(圖7Β的操作204C)。如圖7Ε所示，劑量修正圖202建立基板上的位置與要輸送到這些位置的寫入像素的標(biāo)稱劑量的關(guān)系，以達(dá)成標(biāo)稱線寬(參見(jiàn)圖1Β)。在劑量修正圖202的其他實(shí)施方式中，也可用各個(gè)位置處的標(biāo)稱劑量的百分比值取代標(biāo)稱劑量值。如圖7Ε所示，劑量修正圖202可包括從24毫焦耳每平方厘米至34毫焦耳每平方厘米的標(biāo)稱劑量范圍。劑量修正圖202中的較低標(biāo)稱劑量可與圖7D所示的大于5微米的線寬相關(guān)聯(lián)。而且，劑量修正圖202中的較高標(biāo)稱劑量可與圖7D所示的小于5微米的線寬相關(guān)聯(lián)。如此，計(jì)算機(jī)處理器32可使用劑量修正圖202，依據(jù)基板上寫入像素的位置來(lái)調(diào)整輸送于寫入像素的標(biāo)稱劑量。如此，可用計(jì)算機(jī)處理器32調(diào)整輸送至寫入像素的劑量，以補(bǔ)償光刻膠厚度偏差。
[0067]如圖7F所示，工藝200亦可包括基于劑量修正圖202，用計(jì)算機(jī)處理器32調(diào)整輸送到基板位置的像素劑量而寫入另一度量基板1B(圖7B的操作204D)。工藝200亦可包括使光刻膠顯影及選擇性蝕刻其他度量基板的基板，以產(chǎn)生度量特征結(jié)構(gòu)205’ (1)-205’(N3)，度量特征結(jié)構(gòu)205’(l)-205’(N3)可被測(cè)量以測(cè)定線寬測(cè)量值(圖7B的操作204E)。為此，圖7F是其他示例性度量基板1B的俯視圖，該圖圖示度量圖案的度量特征結(jié)構(gòu)的線寬測(cè)量值，所述度量圖案被疊加在度量基板1B的各個(gè)位置上并已基于劑量修正圖202以像素劑量寫入。度量基板1B上測(cè)量的線寬范圍為4.9微米至5.0微米。如此，圖案產(chǎn)生器可使用劑量修正圖202在基板上的光刻膠中寫入圖案，此經(jīng)顯影后可有改善的均勻度。
[0068]工藝200亦可包括確定測(cè)量的線寬W2是否可接受(圖7B的操作204F)。確定可接受性的示例性標(biāo)準(zhǔn)可為線寬值或其他均勻度測(cè)量值范圍，例如所有測(cè)量值皆在標(biāo)稱值的一百(100)納米內(nèi)。若可接受，則工藝200可包括準(zhǔn)備處理下一基板(圖7B的操作204G)，或若不可接受，則工藝可返回操作204A，以建立另一劑量修正圖202。如此，通過(guò)調(diào)整劑量以補(bǔ)償光刻膠厚度偏差，可控制線寬均勻度。
[0069]圖8是圖2的多射束圖案產(chǎn)生器22的示例性實(shí)施方式的俯視透視圖，該圖圖示相對(duì)于臺(tái)架26裝設(shè)的寫入機(jī)構(gòu)27。寫入機(jī)構(gòu)27可包括光源28A、28B、寫入射束致動(dòng)器30、計(jì)算機(jī)處理器32和光學(xué)裝置34。如此，由臺(tái)架26支撐的基板10可相對(duì)于寫入機(jī)構(gòu)27移動(dòng)，以便在基板10上寫入圖案24時(shí)可同時(shí)針對(duì)光刻膠厚度變化進(jìn)行調(diào)整。
[0070]圖9是示例性多射束圖案產(chǎn)生器22’的另一實(shí)施方式的俯視透視示意圖。圖案產(chǎn)生器22’可類似于圖2的圖案產(chǎn)生器22，故為清楚和簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，將主要說(shuō)明不同之處。寫入射束致動(dòng)器30 ’取代圖2的寫入射束致動(dòng)器30 ο就此，寫入射束致動(dòng)器30 ’可包括發(fā)射寫入射束25’(1)-25’(N1)的多個(gè)輻射源KM(I)-KM(N1)。輻射源KM(I)-KM(N1)可包含激光二極管或垂直腔表面發(fā)射激光器(“VCSEL” )，寫入射束25 ’( I) -25 ’(N1)可包含從輻射源104 (I)-KM(N1)發(fā)射的激光束。計(jì)算機(jī)處理器32可根據(jù)光刻膠14的厚度確定寫入射束25’(1)-25’(N1)在每個(gè)寫入周期期間的駐留時(shí)間。如此，可以精確尺寸控制精確地寫入圖案24。
[0071]計(jì)算機(jī)處理器32的不同操作實(shí)施方式提供其他方式，以根據(jù)光刻膠14的厚度偏差調(diào)整寫入劑量。之前關(guān)于圖6A至圖6D描述了第一操作實(shí)施方式?，F(xiàn)將參照?qǐng)D1OA至圖15E說(shuō)明其他實(shí)施方式。
[0072]現(xiàn)將參照?qǐng)D1OA至圖1OD說(shuō)明計(jì)算機(jī)處理器32的第二操作實(shí)施方式。此第二實(shí)施方式類似于圖6A至圖6D所示的實(shí)施方式，故為了清楚和簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，將只說(shuō)明不同之處。為此，圖1OA至圖1OD的第二實(shí)施方式可涉及計(jì)算機(jī)處理器32(圖2)被配置為指示至少一個(gè)光源28A、28B發(fā)射光54，光54具有與SLM 56的鏡子58(X2)的時(shí)鐘周期同步的脈沖。在一個(gè)情況中，當(dāng)光56的脈沖要被鏡子58(X2)反射時(shí)，時(shí)鐘周期能使鏡子58(X2)移動(dòng)到啟動(dòng)位置60A，以輸送劑量至光刻膠14中的與圖案24—致的寫入像素。圖1OA圖示鏡子58(X2)在寫入周期WCl、WC2、WC5、WC6和WCn2期間處于啟動(dòng)位置60A，及在寫入周期WC3、WC4和WC7期間處于不作用位置60B。然而鏡子58(X2)在給定寫入周期期間可處于啟動(dòng)位置60A的時(shí)長(zhǎng)可大于已與各給定寫入周期同步的光56的脈沖寬度。如此，相對(duì)于鏡子58(X2)處于啟動(dòng)位置60A的時(shí)長(zhǎng)，光56的脈沖的寬度可用于調(diào)整寫入周期期間輸送到光刻膠的劑量。
[0073]在圖1OA至圖1OD所示的構(gòu)思中，計(jì)算機(jī)處理器32(圖2)可指示:a)在寫入周期WC1和WC2中發(fā)射脈沖寬度T的光56至鏡子58(X2)，b)在寫入周期WC5和WC6中發(fā)射脈沖寬度T+ΔT1，及c)在寫入周期WCn2期間發(fā)射脈沖寬度Τ-ΔΤ2。較高寬度T+與光刻膠厚度TH1相關(guān)聯(lián)，光刻膠厚度TH1比光刻膠厚度THo厚，較低寬度T-AT2可與光刻膠厚度TH2相關(guān)聯(lián)，光刻膠厚度TH2比光刻膠厚度THo薄。因脈沖寬度與鏡子58(Χ2)的啟動(dòng)位置60Α同步，故在這些寫入周期WC1JC2JC5JC6和WCn2期間，可于寫