入像素接收這些寫(xiě)入周期的每個(gè)寫(xiě)入周期期間光56的脈沖寬度。如此，通過(guò)改變發(fā)射到SLM 56的光56的脈沖寬度，可調(diào)整像素劑量。
[0074]注意在圖1OC中，在寫(xiě)入周期WC3、WC4和WC7期間，由于在此例中鏡子58(Χ2)處于不作用位置60Β( “關(guān)”)，故無(wú)寫(xiě)入像素劑量可經(jīng)由鏡子58(?)輸送到光刻膠14。因此可不需補(bǔ)償光刻膠厚度。
[0075]現(xiàn)將參照?qǐng)D1lA至圖1lD說(shuō)明計(jì)算機(jī)處理器32的第三操作實(shí)施方式。此第三實(shí)施方式類似于圖1OA至圖1OD所示的實(shí)施方式，故為了清楚和簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，將只說(shuō)明不同之處。就此，圖1IA至圖1ID的第三實(shí)施方式可涉及計(jì)算機(jī)處理器32(圖2)被配置為指示至少一個(gè)光源28Α、28Β發(fā)射光54，光56的脈沖與SLM 56的鏡子58(Χ2)的時(shí)鐘周期同步。然而替代光56的脈沖寬度，調(diào)整光56的脈沖強(qiáng)度來(lái)補(bǔ)償光刻膠厚度偏差。
[0076]在圖1lB所示的一個(gè)情況中，在寫(xiě)入周期WC5、WC6期間，計(jì)算機(jī)處理器32指示光源發(fā)射脈沖強(qiáng)度增強(qiáng)的光56ο例如，可從寫(xiě)入周期WC1、WC2中發(fā)射的標(biāo)稱量Q增加強(qiáng)度△ Q1。如圖1lD所示，此增加的強(qiáng)度可補(bǔ)償較厚阻層厚度TH1。在寫(xiě)入周期WCn2中，計(jì)算機(jī)處理器32可指示光56的脈沖強(qiáng)度從標(biāo)稱量Q降低強(qiáng)度△ Q2，以補(bǔ)償較薄阻層厚度TH2。如此，改變光56的脈沖強(qiáng)度可用于補(bǔ)償光刻膠厚度偏差，以達(dá)成更佳的均勻度。
[0077]現(xiàn)將參照?qǐng)D12A至圖12D說(shuō)明計(jì)算機(jī)處理器32的第四操作實(shí)施方式。此第三實(shí)施方式類似于圖1OA至圖1OD所示的實(shí)施方式，故為了清楚和簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，將只說(shuō)明不同之處。就此，圖12A至圖12D的第四實(shí)施方式可涉及計(jì)算機(jī)處理器32發(fā)出指示以調(diào)整光56的脈沖頻率，以補(bǔ)償光刻膠厚度偏差。在此實(shí)施方式中，通過(guò)調(diào)整脈沖頻率，光56的脈沖的每個(gè)脈沖的寬度可維持不變。如此，可根據(jù)脈沖頻率，調(diào)整寫(xiě)入周期的每個(gè)寫(xiě)入周期的像素劑量。
[0078]在圖12B所示的此實(shí)施方式的一個(gè)情況中，在寫(xiě)入周期WC5、WC6期間，計(jì)算機(jī)處理器32提供指示，使光56的脈沖頻率從寫(xiě)入周期胃&至胃(:4中指示的每寫(xiě)入周期八(8)個(gè)脈沖的標(biāo)稱頻率增為每寫(xiě)入周期十(10)個(gè)脈沖的頻率。如圖12D所示，較高頻率補(bǔ)償較厚阻層厚度TH1。在寫(xiě)入周期WCn2中，計(jì)算機(jī)處理器32指示光56的脈沖頻率從標(biāo)稱的八(8)個(gè)脈沖減為每寫(xiě)入周期七(7)個(gè)脈沖，以補(bǔ)償較薄阻層厚度TH2。如此，改變光56的脈沖頻率可用于補(bǔ)償光刻膠厚度偏差，并達(dá)成較高的均勻度。應(yīng)理解亦可結(jié)合使用第三與第四實(shí)施方式。
[0079]亦揭示第五實(shí)施方式。就此，可關(guān)閉鏡子58(1 )_58(犯)的部分208，以調(diào)整輸送到圖案特征結(jié)構(gòu)的累積劑量，進(jìn)而補(bǔ)償光刻膠厚度偏差。就此，圖13A至圖13F是SLM 56的示意圖，SLM 56分別疊置在六(6)個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的基板10上。貼附至基板10的光刻膠區(qū)段14A可包括比貼附至基板10的光刻膠區(qū)段14B的厚度薄的厚度。故劑量調(diào)整可用于改進(jìn)特征結(jié)構(gòu)尺寸的均勻度。如圖13A所示，待寫(xiě)入的圖案的第一特征結(jié)構(gòu)210A和第二特征結(jié)構(gòu)210B可分別設(shè)在光刻膠區(qū)段14A、14B中。當(dāng)鏡子58(1)-58(見(jiàn))與基板10彼此相對(duì)移動(dòng)時(shí)，施加累積像素劑量來(lái)寫(xiě)入第一特征結(jié)構(gòu)210A和第二特征結(jié)構(gòu)210B。圖14A至圖14E分別圖示在圖13A至圖13E的寫(xiě)入周期中施加至第一特征結(jié)構(gòu)21A的累積劑量。圖15A至圖15E分別圖示在圖13A至圖13E的寫(xiě)入周期中施加至第二特征結(jié)構(gòu)21B的累積劑量。如圖13E所示，鏡子58
(1)-58(見(jiàn))的部分208可用于提供劑量至第一特征結(jié)構(gòu)210A，但因部分208中的鏡子是關(guān)閉的(處于不作用位置60B)，故無(wú)貢獻(xiàn)至第一特征結(jié)構(gòu)210A的劑量。如此，計(jì)算機(jī)處理器32可指示關(guān)閉不同部分的鏡子，以根據(jù)光刻膠厚度調(diào)整像素劑量。此實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)可為可通過(guò)實(shí)行部分208的位置和尺寸而計(jì)及阻層厚度偏差，而精確調(diào)整像素劑量。
[0080]本領(lǐng)域技術(shù)人員在理解前述說(shuō)明和附圖教示的實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)后將能獲得本文未闡述的許多修改例和其他實(shí)施方式。故應(yīng)理解說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)并不限于所揭示的特定實(shí)施方式，修改例和其他實(shí)施方式擬包括在所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。旨在使實(shí)施方式涵蓋實(shí)施方式的修改和變化，只要這些實(shí)施方式落在所附權(quán)利要求書(shū)及其等同物的范圍內(nèi)。雖然本文采用特殊術(shù)語(yǔ)，但此僅做為通稱說(shuō)明、而無(wú)限定之意。
[0081]雖然以上內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，但在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計(jì)出本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式，因此本發(fā)明的范圍由后附權(quán)利要求書(shū)確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多射束圖案產(chǎn)生器，包含: 臺(tái)架，所述臺(tái)架被配置為在多個(gè)寫(xiě)入周期的各寫(xiě)入周期期間將基板支撐在多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置中； 寫(xiě)入射束致動(dòng)器，所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器被配置為將多個(gè)寫(xiě)入射束的每個(gè)寫(xiě)入射束獨(dú)立地引導(dǎo)至寫(xiě)入像素位置，所述寫(xiě)入像素位置設(shè)置在所述基板的光刻膠上;及 計(jì)算機(jī)處理器，所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為根據(jù)在各所述寫(xiě)入像素位置處的所述光刻膠的厚度調(diào)整各所述寫(xiě)入像素位置的輸送寫(xiě)入劑量。2.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器包含空間光調(diào)變器(SLM)，所述空間光調(diào)變器包含多個(gè)鏡子。3.如權(quán)利要求2所述的多射束圖案產(chǎn)生器，進(jìn)一步包含光源，其中所述SLM的這些鏡子被配置為在所述多個(gè)寫(xiě)入周期的各寫(xiě)入周期期間，彼此獨(dú)立地?cái)?shù)字受控而從不作用位置到作用位置達(dá)各駐留時(shí)間，以將從所述光源發(fā)射的光反射到所述光刻膠上。4.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，進(jìn)一步包含儲(chǔ)存裝置，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為依據(jù)從所述儲(chǔ)存裝置接取的所述光刻膠的厚度的數(shù)據(jù)而調(diào)整所述的輸送寫(xiě)入劑量。5.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為通過(guò)指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖來(lái)調(diào)整所述的輸送寫(xiě)入劑量，所述輻射脈沖的脈沖寬度根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。6.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為通過(guò)指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖來(lái)調(diào)整所述的輸送寫(xiě)入劑量，所述輻射脈沖的脈沖頻率根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。7.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為通過(guò)根據(jù)所述光刻膠的厚度指示所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器關(guān)閉所述寫(xiě)入射束的一部分而根據(jù)所述基板的一部分處的所述光刻膠的厚度來(lái)調(diào)整所輸送的寫(xiě)入劑量，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。8.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為根據(jù)劑量修正圖調(diào)整所述的輸送寫(xiě)入劑量。9.如權(quán)利要求1所述的多射束圖案產(chǎn)生器，其中所述計(jì)算機(jī)處理器被配置為通過(guò)指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖來(lái)調(diào)整所述的輸送寫(xiě)入劑量，所述輻射脈沖的強(qiáng)度根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。10.—種用多射束圖案產(chǎn)生器寫(xiě)入圖案的方法，所述方法包含: 在多個(gè)寫(xiě)入周期的各個(gè)寫(xiě)入周期期間利用臺(tái)架將基板支撐在多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置中； 利用計(jì)算機(jī)處理器指示寫(xiě)入射束致動(dòng)器，以將多個(gè)寫(xiě)入射束獨(dú)立地引導(dǎo)至寫(xiě)入像素位置，所述寫(xiě)入像素位置設(shè)置在所述基板的光刻膠上;及 根據(jù)所述基板的一部分處的所述光刻膠的厚度調(diào)整輸送到所述寫(xiě)入像素位置的寫(xiě)入像素劑量。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述寫(xiě)入像素劑量的步驟包含:指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖，所述輻射脈沖的脈沖寬度根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述寫(xiě)入像素劑量的步驟包含:指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖，所述輻射脈沖的脈沖頻率根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述寫(xiě)入像素劑量的步驟包含:在所述多個(gè)寫(xiě)入周期的至少一個(gè)寫(xiě)入周期期間，根據(jù)所述光刻膠的厚度指示所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器關(guān)閉所述寫(xiě)入射束的一部分。14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述寫(xiě)入像素劑量的步驟包含:基于對(duì)所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的識(shí)別，從劑量修正圖接收寫(xiě)入像素劑量數(shù)據(jù)。15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述寫(xiě)入像素劑量的步驟包含:指示用于所述寫(xiě)入射束致動(dòng)器的輻射源發(fā)射輻射脈沖，所述輻射脈沖的強(qiáng)度根據(jù)所述光刻膠的厚度而被調(diào)整，所述光刻膠的厚度與所述多個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置的各個(gè)寫(xiě)入周期區(qū)位置相關(guān)聯(lián)。
【專利摘要】揭示根據(jù)光刻膠厚度使用處理器改變寫(xiě)入射束的輸送劑量的多射束圖案產(chǎn)生器及相關(guān)方法。圖案產(chǎn)生器可在具有光刻膠的基板上寫(xiě)入圖案，光刻膠對(duì)寫(xiě)入射束敏感。當(dāng)寫(xiě)入射束在寫(xiě)入像素位置寫(xiě)入圖案的至少一部分時(shí)，可于各寫(xiě)入周期寫(xiě)入圖案。圖案產(chǎn)生器的射束致動(dòng)器可將寫(xiě)入射束獨(dú)立地引導(dǎo)至寫(xiě)入像素，以于每個(gè)寫(xiě)入周期期間輸送各像素劑量。可根據(jù)一或更多方式利用以下之一或多者而根據(jù)不同寫(xiě)入像素位置的光刻膠厚度調(diào)整輸送的像素劑量：致動(dòng)器駐留時(shí)間、發(fā)射的脈沖寬度、發(fā)射的脈沖頻率和發(fā)射的脈沖強(qiáng)度。如此，可為具有變化的光刻膠厚度的基板提供額外的尺寸控制。
【IPC分類】G03F7/20
【公開(kāi)號(hào)】CN105659164
【申請(qǐng)?zhí)枴?br>【發(fā)明人】克里斯多弗·丹尼斯·本徹
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開(kāi)日】2016年6月8日
【申請(qǐng)日】2014年6月19日