域內(nèi)，如實施例2-3所述。如實施例2-3所述，測量和記錄運些培養(yǎng)裝置生長區(qū)域的氧飽和 度。計算水合后的培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中氧消耗的初始速率（即，在培養(yǎng)裝置水合后最初1- 15分鐘期間），并且在表6中示出數(shù)據(jù)。
[0219] 表6.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置水合后的氧消耗速率。報道的數(shù)據(jù)是制備每個 培養(yǎng)裝置所對應(yīng)的五次重復(fù)試驗的平均值和標準偏差。氧消耗速率數(shù)據(jù)被報道為每分鐘從 培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中去除氧的百分率。
[0220]
[0221] 1培養(yǎng)裝置水合后24小時內(nèi)，運些培養(yǎng)裝置內(nèi)部未能達到-0 %化。盡管24小時內(nèi)不 能徹底去除氧氣，但是運些裝置達到了能夠支持裝置的生長區(qū)域內(nèi)微需氧細菌或真菌生長 的穩(wěn)定低氧濃度。
[0222] 表6中的數(shù)據(jù)顯示，在包括具有高達6% (w/w)抗壞血酸鋼的粉末涂布的第二基底 的培養(yǎng)裝置中，酶底物(抗壞血酸鋼)的量和水合后的培養(yǎng)裝置中的氧消耗速率之間成近似 線性關(guān)系。數(shù)據(jù)還表明，實施例7和實施例8中的化濃度似乎分別在初始濃度的約50%和 75 %時達到穩(wěn)定。
[0巡]實施例13.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中膠凝劑對所觀測的氧消耗速率的影 跑。
[0224]根據(jù)實施例11(上文)制備培養(yǎng)裝置，不同的是如表7中所示，用于制備液體涂布混 合物(施加于第一基底)的膠凝劑有所變化，如表7所示。另外，對照培養(yǎng)裝置用12g/L粉末狀 瓜爾膠制備，但在液體涂布混合物中不包含任何抗壞血酸氧化酶(酶）。
[02巧]表7.培養(yǎng)裝置的凝膠組成。
[0226]

[0227] 如實施例4-6所述，打開培養(yǎng)裝置，并將無菌己特菲爾德氏緩沖液的1毫升溶液沉 積到每個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域內(nèi)。在此實施例中，含水液體不包含抗壞血酸鋼或抗壞血酸 氧化酶。將液體沉積于裝置的生長區(qū)域內(nèi)后，將氧傳感器放置在每個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域 內(nèi)，如實施例2-3所述。如實施例2-3所述，測量和記錄運些培養(yǎng)裝置生長區(qū)域的氧飽和度， 并且如實施例7-12所述，計算水合后的培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中氧消耗的初始速率。計算得 到的氧消耗速率在表8中示出。
[0228] 表8.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置水合后的氧消耗速率。報道的數(shù)據(jù)是制備每個 培養(yǎng)裝置所對應(yīng)的平均值和標準偏差(適用時）。
[0229]
[0230] 表8中的數(shù)據(jù)顯示，盡管不包含抗壞血酸氧化酶的培養(yǎng)裝置似乎具有相對較低的 氧消耗速率，但與其中瓜爾膠是唯一冷水可溶膠凝劑的培養(yǎng)裝置相比，該氧消耗速率是其4 倍。包含PVA-56和PVA-47的培養(yǎng)裝置的氧消耗速率稍高于缺少抗壞血酸氧化酶的對照裝 置。
[0231] 實施例14.其中涂布酶并干燥的培養(yǎng)裝置中的耗氧速率與酶作為水合介質(zhì)的組分 添加至其內(nèi)的培養(yǎng)裝置中的耗氧速率的比較。
[0232] 按照上文中實施例11所述制備一組培養(yǎng)裝置ΓΕ組類似方式制備另一組培 養(yǎng)裝置（"F組"），不同的是液體涂布混合物(用于涂布第一基底)不包含抗壞血酸氧化酶。
[0233] 如實施例4-6所述，打開培養(yǎng)裝置，并將無菌己特菲爾德氏緩沖液的1毫升溶液沉 積到每個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域內(nèi)。在該實施例中，用于接種巧組"培養(yǎng)裝置的含水液體不包 含抗壞血酸鋼或抗壞血酸氧化酶。然而，用于接種"F組"培養(yǎng)裝置的含水液體包含抗壞血酸 氧化酶(濃度為4個單位/mL)。將液體沉積于裝置的生長區(qū)域內(nèi)后，將氧傳感器放置在每個 培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域內(nèi)，如實施例2-3所述。如實施例2-3所述，測量和記錄運些培養(yǎng)裝置生 長區(qū)域的氧飽和度，并且如實施例7-12所述，計算水合后的培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中氧消耗 的初始速率。計算得到的氧消耗速率在表9中示出。
[0234] 表9.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置水合后的氧消耗速率。所報告的數(shù)據(jù)是每個培 養(yǎng)裝置配方的Ξ次重復(fù)試驗的平均值和標準偏差。
[0235] _
[0236] 表9中的數(shù)據(jù)顯示，酶(抗壞血酸氧化酶)和酶底物(抗壞血酸鋼)可W基本上干燥 的形式涂布到裝置中，并且當與合適的液體接觸時能夠再水合并參與耗氧反應(yīng)。
[0237] 實施例15-16.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置及其使用方法。
[0238] 根據(jù)上文中的實施例12制備獨立厭氧培養(yǎng)裝置，不同之處如下：1)在實施例15和 實施例16中，液體涂布混合物包含表10中示出的成分。2)在實施例16中，用于涂布第二基底 的粘合劑(達到0.230g/24in2( 1.49mg/cm2)的干燥涂層重量)包含0.04% (w/w)的ALD0L 515 醋酸；W及3)在實施例15和實施例16中，涂布至第一基底的液體涂布混合物的涂層重量(干 燥后）為約0.257g/24in2(1.66mg/cm2)。
[0239] 將產(chǎn)芽胞梭狀芽胞桿菌ATCC#3584的抱子儲備水溶液在己特菲爾德緩沖液中連續(xù) 稀釋，得到每毫升約10個細菌和約100個細菌的最終懸浮液。將每種懸浮液取1毫升等分試 樣布置在單個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中，并且使用PAC平板制造商提供的涂布器的平側(cè)將該 懸浮液在生長區(qū)域中涂開。將每種懸浮液再取1毫升等分試驗接種于單獨的PAC平板中，作 為生長對照。使用PAC平板制造商提供的涂布器的凹側(cè)將懸浮液在生長區(qū)域中涂布成約5cm 的圓。將實施例15至實施例16的培養(yǎng)裝置在環(huán)境空氣中于37Γ下溫育約24小時。而接種的 PAC平板則在厭氧罐于37°C下溫育約24小時。
[0240] 表10.
[0241] __
[0242] 溫育后，在紫外線照射下觀察包含ALD0L 515醋酸(實施例16)的培養(yǎng)裝置。在裝置 的生長區(qū)域中觀察發(fā)出明亮巧光的產(chǎn)芽胞梭狀芽胞桿菌菌落。
[0243] 溫育后，所有包含化2S化(實施例16)的接種培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域具有特征性的灰 黑色菌落并且菌落周圍環(huán)繞有灰色沉淀物，指示產(chǎn)芽胞梭狀芽胞桿菌的生長和硫化氨的產(chǎn) 生。此外，在灰黑色菌落附近觀察到氣泡，進一步指示氣態(tài)硫化氨的產(chǎn)生。
[0244] 溫育后，接種的所有生長對照均在PAC平板的生長區(qū)域中生長出特征性的紅色產(chǎn) 芽胞梭狀芽胞桿菌菌落。在實施例15和實施例16的培養(yǎng)裝置中觀察到的菌落數(shù)量在厭氧培 養(yǎng)PAC平板中觀察到的菌落數(shù)量的約0.51og CFU內(nèi)。
[0245] 實施例17.自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置打開后厭氧環(huán)境的重建。
[0246] 根據(jù)實施例12制備自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置，不同之處如下：1)使用脫水乳 桿菌MRS營養(yǎng)素（llOg/L)替代粉末營養(yǎng)素混合物(如實施例1所述)制備液體涂布混合物;2) 用于涂布第二基底的粘合劑（達到〇.210g/24in2(1.36mg/cm2)的干燥涂層重量）包含 0.1375 % (w/w)的2，3，5-Ξ苯基氯化四氮挫；W及3)液體涂布混合物中瓜爾膠的濃度為 14g/L，而不是 12g/L。
[0247] 將2毫升己特菲爾德緩沖液加到兩個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域內(nèi)。將四個氧傳感器布 置在第一培養(yǎng)裝置（"G")的生長區(qū)域內(nèi)，關(guān)閉運兩個培養(yǎng)裝置，并且在兩個培養(yǎng)裝置的生長 區(qū)域內(nèi)涂布液體，如實施例2所述。將運兩個培養(yǎng)裝置放布置在室溫(約22Γ)下具有環(huán)境水 平的氧的環(huán)境中，并測定和記錄培養(yǎng)裝置G的生長區(qū)域中的氧濃度，如實施例2所述。45分鐘 后，打開第二培養(yǎng)裝置（"H")少于1分鐘，同時將四個氧傳感器放布置在生長區(qū)域內(nèi)。重新關(guān) 閉（即，使第一基底和第二基底重新彼此接觸，并且水合后的生長區(qū)域夾在第一基底與第二 基底之間）培養(yǎng)裝置H，并測定和記錄生長區(qū)域內(nèi)的氧濃度，如實施例2所述。將氧傳感器放 入培養(yǎng)裝置Η中后，當重新關(guān)閉該培養(yǎng)裝置時，應(yīng)注意避免將氣泡引入其中。兩個培養(yǎng)裝置 中的每個傳感器的氧濃度數(shù)據(jù)的代表性部分示于表11中。
[0248] 表11.激活酶介導(dǎo)耗氧體系后去除培養(yǎng)裝置中的氧。此處顯示的數(shù)據(jù)是放置在各 個培養(yǎng)裝置的生長區(qū)域中的四個氧傳感器的平均值。
[0249]
[0250] 1培養(yǎng)裝置Η的時間"0"在氧傳感器布置在其中并重新關(guān)閉裝置后立即開始計。不 受理論的束縛，可W預(yù)期，當打開平板時(對于培養(yǎng)裝置G，為40min參考時間點），培養(yǎng)裝置Η 包含少于40%的氧，在重新關(guān)閉兩個培養(yǎng)裝置前，氧濃度可能有短暫的升高。
[0251] 數(shù)據(jù)顯示，在培養(yǎng)裝置用緩沖劑水合后的40min內(nèi)從裝置中去除超過一半的氧，所 有氧在約lOOmin內(nèi)去除（參見來自裝置G中傳感器的數(shù)據(jù)）。數(shù)據(jù)還顯示，水合后45min時打 開培養(yǎng)裝置，生長區(qū)域中的氧濃度重新升高至裝置中初始氧含量的約75%。然而，數(shù)據(jù)還顯 示，重新關(guān)閉打開的培養(yǎng)裝置后，酶介導(dǎo)耗氧體系能夠繼續(xù)去除生長區(qū)域中的氧，并在培養(yǎng) 裝置中重建厭氧環(huán)境。因此，激活耗氧體系后，在氧的存在下，可W打開培養(yǎng)裝置(例如，用 W將接種物W劃線方式接種到培養(yǎng)基上，或?qū)瑯悠凡牧系哪み^濾器放布置在培養(yǎng)基 上），并可在培養(yǎng)裝置中重建厭氧環(huán)境。
[0況]實施例18.平板劃線培養(yǎng)技術(shù)中自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置的使用。
[0253] 根據(jù)實施例17制備自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置。同時還制備具有相同營養(yǎng)培養(yǎng) 基組成但缺少耗氧體系的組分的對照裝置。在厭氧環(huán)境下，通過在乳桿菌MRS發(fā)酵液中使短 乳桿菌化actobacillus brevis)、植物乳桿菌化.plantarum)、副干酪乳桿菌 化.paracasei)、乳酸片球菌（Pediococ州S acidilactici)、有害片球菌（P.damnosus)和糊 精片球菌(P.dextrinicus)單獨生長24-48小時，W制備厭氧微生物的培養(yǎng)物。如實施例17 所述，將培養(yǎng)裝置用2mL己特菲爾德緩沖液水合。水合后，將經(jīng)水合的各個培養(yǎng)裝置打開約 30分鐘，并且對一種培養(yǎng)物用接種環(huán)取一滿環(huán)在生長區(qū)域中的培養(yǎng)基上劃線。重新關(guān)閉培 養(yǎng)裝置，注意不要引入氣泡，并在37Γ下進行有氧溫育長達7天。W類似方式將對照裝置水 合并用一滿環(huán)的培養(yǎng)物劃線接種。將對照裝置在厭氧室中于37Γ下進行溫育。通常，溫育 24-4化小時后，在培養(yǎng)裝置中觀察到菌落。
[0254] 溫育后，在所有培養(yǎng)裝置和所有對照裝置的生長區(qū)域的典型平板劃線生長圖中觀 察每種微生物的菌落。
[0255] 實施例19.膜過濾器培養(yǎng)技術(shù)中自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置的使用。
[0256] 根據(jù)實施例17制備自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置。同時還制備具有相同營養(yǎng)培養(yǎng) 基組成但缺少耗氧體系的組分的對照裝置。將實施例18中制備的厭氧微生物的微生物培養(yǎng) 物在無菌緩沖液中連續(xù)稀釋至每毫升約10個培養(yǎng)物形成單位(CFU)。將培養(yǎng)裝置用2毫升己 特菲爾德緩沖液水合，如實施例17所述。
[0257] 將大約lOmL的稀釋培養(yǎng)物通過單個無菌膜過濾器(0.2皿SUP0RE膜過濾器，得自 美國紐約州華盛頓港的頗爾公司（Pall Co巧oration;化的Washington,NY))進行過濾。水 合后，將經(jīng)水合的各個培養(yǎng)裝置打開約30分鐘，并且將一個過濾器放布置在生長區(qū)域中的 培養(yǎng)基上，稀釋的培養(yǎng)物將通過該過濾器進行過濾。應(yīng)當注意避免在膜過濾器與培養(yǎng)裝置 中的培養(yǎng)基之間引入氣泡。重新關(guān)閉培養(yǎng)裝置，注意不要引入氣泡，并在37Γ下進行有氧溫 育長達7天。W類似方式將對照裝置水合并用其中通過了稀釋培養(yǎng)物的一個濾膜進行接種。 將對照裝置在厭氧室中于37°C下進行溫育。通常，溫育24-4化小時后，在培養(yǎng)裝置中觀察到 菌落。
[0258] 溫育后，在放置到所有培養(yǎng)裝置和所有對照裝置的生長區(qū)域內(nèi)的膜過濾器上觀察 每種微生物的菌落。與對照裝置相比，過濾器上每種生物體的菌落數(shù)量與自主產(chǎn)生厭氧環(huán) 境的培養(yǎng)裝置中的菌落數(shù)量相似。
[0259] 實施例20.含有用于培養(yǎng)艱難梭菌的選擇性培養(yǎng)基的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝 置的制備和使用。
[0260] 如實施例1所述構(gòu)造自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置，而W下幾項除外：1)基本上如 美國專利4,565,783的實施例1所述，先在第二基底的內(nèi)表面上涂布一層粘合劑，然后在粘 合劑層上粉末涂布包含90% (w/w)瓜爾膠和10% (w/w)抗壞血酸鋼的混合物;2)用于涂布第 二基底的粘合劑每克包含〇.4mg AUX)L 515醋酸，將該粘合劑涂布在第二基底上，其涂層重 量為1.84mg/cm2(使涂層在115 了（46°C)下干燥5分鐘后測定涂層重量）；3)液體涂布混合物 由表12中所列組分組成；W及4)將液體涂布混合物用刮刀涂布到第一基底上，其涂層重量 為2. OOmg/cm2(使涂層在210了（98.9°C)下干燥8分鐘后測定涂層重量）。
[0261] W類似方式制備"對照"裝置，不同的是液體涂布混合物不包含頭抱西下或環(huán)絲氨 酸。所有裝置均組裝有泡沫間隔物，如實施例1所述。
[0262] 表12.用于培養(yǎng)艱難梭菌的選擇性培養(yǎng)基的組成。將所有組分W所列出的濃度在 去離子水中混合。
[0%3]
[0264] 在己特菲爾德緩沖液中制備艱難梭菌ATCC 43598、大腸桿菌ATCC 25922、金黃色 葡萄球菌ATCC 43598和產(chǎn)芽胞梭狀芽胞桿菌的各個懸浮液。使用己特菲爾德緩沖液稀釋運 些懸浮液，獲得包含大約每毫升10個菌落形成單位(CFU)和每毫升100個CFU的(各個生物體 的）最終懸浮液。將每種懸浮液取1毫升用于接種根據(jù)此實施例制備的各個培養(yǎng)裝置。通過 W下步驟來接種培養(yǎng)裝置:抬起第二基底W暴露生長區(qū)域，移取1毫升懸浮液至第一基底的 生長區(qū)域上，輕輕放下第二基底直至第二基底與懸浮液和泡沫間隔物接觸，然后將平板塑 料涂布器輕輕壓到閉合的裝置上，將液體懸浮液涂布在泡沫間隔物的開口中。
[0265] 將所有培養(yǎng)裝置放布置在37Γ的溫育箱中，并使其在有氧氛圍中溫育約48小時。 從溫育箱中移出裝置，并且檢查裝置，同時用綠光（即，來自峰值發(fā)射波長為約530nm的LED) 照射W確定是否存在微生物菌落(如圍繞菌落的巧光光暈指示，指示由菌落中的微生物進 行的ALD0L 515醋酸的水解）。使用截止值含590皿的高通紅色濾波器觀察巧光菌落和/或?qū)?其拍照。定性結(jié)果示于表13中。運些結(jié)果顯示，測試的所有微生物都能在對照裝置中生長， 表明該裝置支持兼性厭氧微生物（例如，大腸桿菌和金黃色葡萄球菌）和專性厭氧微生物 (例如，產(chǎn)芽胞梭狀芽胞桿菌和艱難梭菌)的生長。然而，只有艱難梭菌微生物能夠在包含頭 抱西下和環(huán)絲氨酸的裝置中生長，表明運些裝置對于艱難梭菌微生物是具有選擇性的。
[0266] 表13.各種微生物在自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中的生長。V'指示溫育48小時 后檢測到菌落。"-"指示溫育48小時后未檢測到菌落。在含有抗生素的培養(yǎng)裝置中觀察到的 艱難梭菌菌落數(shù)量與對照平板中觀察到的艱難梭菌菌落數(shù)量相似。
[0%7]
[02側(cè)實施例21.艱難梭菌在Ξ個不同培養(yǎng)環(huán)境中的生長的定量比較。
[0269] 如實施例20所述，構(gòu)建含有頭抱西下和環(huán)絲氨酸的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝 置。
[0270] 從美國堪薩斯州萊內(nèi)克薩的Remel微生物產(chǎn)品公司（Remel Microbiology Products化enexa,KS))購得兩種瓊脂培養(yǎng)基(厭氧血瓊脂平板，產(chǎn)品目錄編號R01040;和含 馬血的環(huán)絲氨酸-頭抱西下-果糖瓊脂平板，產(chǎn)品目錄編號R01266)。
[0271] 在己特菲爾德緩沖液中制備抱子(艱難梭菌ATCC 43598)懸浮液。將懸浮液的第一 部分(即，熱處理化T)部分)在80°C下保持20分鐘，而第二部分（即，未處理(NT)部分)保持在 環(huán)境溫度下。
[0272] 使用己特菲爾德緩沖液稀釋HT和NT懸浮液，并使用無菌涂布器將稀釋懸浮液的 100微升等分試樣接種于每種類型的瓊脂平板的表面上。接種后，將瓊脂平板放布置在包括 袋的厭氧罐中，該袋被激活后可產(chǎn)生厭氧環(huán)境。密封厭氧罐，并放布置在具有37Γ有氧氛圍 的溫育箱中。
[0273] 使用稀釋微量移液器將稀釋懸浮液的100微升等分試樣稀釋成1毫升體積，用W接 種到包含頭抱西下和環(huán)絲氨酸的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中。接種后，將培養(yǎng)裝置放 布置在37°C溫育箱的有氧氛圍中。
[0274] 將所有已接種的瓊脂皮式平板和所有已接種的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置溫 育48小時。溫育后，對每個平板或裝置中的細菌菌落進行計數(shù)。用菌落數(shù)量乘W稀釋倍數(shù)即 可得到原始懸浮液中抱子數(shù)量的計算結(jié)果。計算得到的數(shù)據(jù)示于表14中。
[0275] 表14.基于在瓊脂平板和自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中觀察到的菌落數(shù)量計算 得到的每毫升抱子懸浮液的CFU。
[0276]
[0277] 1對于自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置所報告的結(jié)果是從兩個相同培養(yǎng)裝置獲得的 菌落計數(shù)的平均值。
[0278] 運些結(jié)果表明，自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中艱難梭菌菌落的復(fù)蘇和生長與在 厭氧氛圍中溫育的環(huán)絲氨酸-頭抱西下-果糖瓊脂平板中艱難梭菌菌落的復(fù)蘇和生長相似。 此外，運些結(jié)果表明，自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置中艱難梭菌菌落的復(fù)蘇和生長優(yōu)于在 厭氧氛圍中溫育的厭氧血瓊脂平板中艱難梭菌菌落的復(fù)蘇和生長。 陶]實施例22.用于培養(yǎng)產(chǎn)乳酸細菌的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置的制備和使用。
[0280] 構(gòu)造與圖2和圖3所示的培養(yǎng)裝置10'類似的自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置。第一 基底由5密耳(0.127mm)厚的聚醋膜(MELI肥X等級377,雙軸向取向的聚醋(PET)膜，得自美 國弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人公司（DuPont Teijin; Chester ,VA))組成。將表15中所列 組分加入去離子水（1L)中，并攬拌該混合物。然后，在攬拌后的混合物中加入氨氧化鋼 (1N)，將pH值調(diào)節(jié)至約6.5。接著加入瓜爾膠（14g)，并繼續(xù)攬拌W得到基本上均勻的混合 物。如美國專利4,565,783所述，將該混合物刮刀涂布到第一基底上，并布置在對流烘箱中 于210°F(98.9°C)下干燥7-8分鐘。涂層重量(干燥后)為0.4g/24in2(2.6mg/cm 2)。干燥后，聚 苯乙締泡沫間隔物(厚度大約為0.038cm，密度大約為19.3kg/V)通過壓敏粘合劑薄層（由 98重量％丙締酸異辛醋與2重量％丙締酸共聚而成)粘附到第一基底上的干燥涂層上。如圖 2所示，間隔物具有2英寸(5.1cm)直徑的圓形開口。圓形開口限定了裝置的生長區(qū)域。
[0281] 第二基底由透明聚醋(PET)膜(0.073mm厚)組成。用第一涂層制劑涂布第二基底的 內(nèi)表面，該第一涂層制劑在與實施例4至實施例6所述的第二基底粘合劑相同的粘合劑中含 有TTC。此構(gòu)造中的干燥涂層重量為0.2g/24in2( 1.3mg/cm2)，并且干燥涂層中的TT切樹竟為 約0.02mg/in2(0.003mg/cm2)。然后在第二基底的粘合劑層上粉末涂布瓜爾膠（預(yù)先與 0.01 %的CAB-0-SIL烙融石英混合）（90%w/w)和抗壞血酸鋼（10%w/w)的均勻混合物。
[0282] 使用雙面膠帶將第二基底沿著一個邊緣粘附到第一基底上，并將組裝后的裝置切 割成大約3"(7.6cm) X4"(10.1cm)的矩形，使得圓形開口大致定位在與圖2所示那些相似的 裝置的中屯、。第二基底用作自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置的蓋板。
[0283] 將選自細菌菌株集合A(表16)的單一微生物樣品接種到自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng) 裝置中。使用己特菲爾德緩沖液稀釋每個樣品的懸浮液，得到包含約lOOCFU/mL(稀釋樣品 A)、1 OOOCFU/mL (稀釋樣品B)和1 OOOOCFU/mL(稀釋樣品C)的（各個生物體的)最終懸浮液。將 每種懸浮液取1毫升用于接種根據(jù)此實施例制備的各個培養(yǎng)裝置。通過W下步驟來接種培 養(yǎng)裝置:抬起第二基底W暴露生長區(qū)域，移取1毫升懸浮液至第一基底的生長區(qū)域上，輕輕 放下第二基底直至第二基底與懸浮液和泡沫間隔物接觸，然后將平板塑料涂布器輕輕壓到 閉合的裝置上，將液體懸浮液涂布在泡沫間隔物的開口中。
[0284]接種后，將自主產(chǎn)生厭氧環(huán)境的培養(yǎng)裝置在有氧溫育箱中于32°C下溫育60小時。 在24小時和60小時，通過目視檢查對每個培養(yǎng)裝置中的紅色細菌菌落進行計數(shù)。結(jié)果示于 表17和表18中。
[02化]表15.用于為實施例22的第一基底制備涂布