中的A-A剖視圖。
[0025]圖3為圖1中的B-B剖視圖。
[0026]圖4為圖1中的C-C剖視圖。
[0027]圖5~圖22為本實(shí)用新型實(shí)施例1的具體制造工藝步驟剖視圖，其中
[0028]圖5為本實(shí)用新型半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0029]圖6為本實(shí)用新型得到硬掩膜窗口后的剖視圖。
[0030]圖7為本實(shí)用新型得到元胞溝槽后的剖視圖。
[0031]圖8為本實(shí)用新型淀積導(dǎo)電多晶硅后的剖視圖。
[0032]圖9為本實(shí)用新型得到溝槽導(dǎo)電多晶硅后的剖視圖。
[0033]圖10~圖12為得到P型阱區(qū)后的剖視圖，其中，
[0034]圖10為A-A剖視圖中得到溝槽P型第一阱區(qū)后的剖視圖。
[0035]圖11為B-B剖視圖中得到溝槽P型第二阱區(qū)后的剖視圖。
[0036]圖12為C-C剖視圖中得到溝槽P型第二阱區(qū)后的剖視圖。
[0037]圖13~圖16為得到溝槽N+注入?yún)^(qū)的剖視圖，其中，
[0038]圖13為A-A剖視圖中得到N+注入?yún)^(qū)的剖視圖。
[0039]圖14為B-B剖視圖中的剖視圖。
[0040]圖15為C-C剖視圖中的剖視圖。
[0041]圖16~圖18為得到接觸孔后的剖視圖，其中，
[0042]圖16為A-A剖視圖中得到源極接觸孔后的剖視圖。
[0043]圖17為B-B剖視圖中得到體極接觸孔后的剖視圖。
[0044]圖18為C-C剖視圖中同時(shí)得到源極接觸孔以及體極接觸孔后的剖視圖。
[0045]圖19~圖21為得到金屬區(qū)后的剖視圖，其中，
[0046]圖19為A-A剖視圖中得到溝槽源極金屬后的剖視圖。
[0047]圖20為B-B剖視圖中得到溝槽體極金屬后的剖視圖。
[0048]圖21為C-C剖視圖中同時(shí)得到溝槽源極金屬以及溝槽體極金屬后的剖視圖。
[0049]圖22為在第二主面得到漏極金屬后的剖視圖。
[0050]圖23為本實(shí)用新型實(shí)施例2的俯視圖。
[0051]圖24為圖23中D-D的剖視圖。
[0052]圖25為圖23中E-E的剖視圖。
[0053]圖26為圖23中F-F的剖視圖。
[0054]圖27~圖42為本實(shí)用新型實(shí)施例2的具體制造工藝步驟剖視圖，其中
[0055]圖27為本實(shí)用新型半導(dǎo)體基板的剖視圖。
[0056]圖28為本實(shí)用新型得到平面導(dǎo)電多晶硅層后的剖視圖。
[0057]圖29為本實(shí)用新型得到平面型MOS柵結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0058]圖30~圖32為得到P型阱區(qū)后的剖視圖，其中，
[0059]圖30為D-D剖視圖中得到平面P型第一阱區(qū)后的剖視圖。
[0060]圖31為E-E剖視圖中得到平面P型第二阱區(qū)后的剖視圖。
[0061]圖32為F-F剖視圖中得到平面P型第二阱區(qū)后的剖視圖。
[0062]圖33~圖35為得到平面N+注入?yún)^(qū)后的剖視圖，其中
[0063]圖33為D-D剖視圖中得到平面N+注入?yún)^(qū)后的剖視圖。
[0064]圖34為E-E剖視圖中得到平面N+注入?yún)^(qū)后的剖視圖。
[0065]圖35為F-F剖視圖中得到平面N+注入?yún)^(qū)后的剖視圖。
[0066]圖36~圖38為得到平面絕緣介質(zhì)層后的剖視圖，其中
[0067]圖36為D-D剖視圖中得到平面絕緣介質(zhì)層后的剖視圖。
[0068]圖37為E-E剖視圖中得到平面絕緣介質(zhì)層后的剖視圖。
[0069]圖38為F-F剖視圖中得到平面絕緣介質(zhì)層后的剖視圖。
[0070]圖39為D-D剖視圖中得到平面源極金屬后的剖視圖。
[0071]圖40為D-D剖視圖中得到平面體極金屬后的剖視圖。
[0072]圖41為F-F剖視圖中得到平面源極金屬以及平面體極金屬后的剖視圖。
[0073]圖42為本實(shí)用新型在半導(dǎo)體基板的第二主面得到漏極金屬后的剖視圖。
[0074]圖43為現(xiàn)有溝槽型MOSFET器件的剖視圖。
[0075]圖44為現(xiàn)有平面型MOSFET器件的剖視圖。
[0076]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1_元件區(qū)、2-終端保護(hù)區(qū)、3-源極金屬區(qū)、4-柵極金屬區(qū)、5-體極金屬區(qū)、6-元胞、7-源極接觸孔、8-體極接觸孔、9-漏極金屬、1-N型襯底、Il-N型漂移區(qū)、12-溝槽P型第一阱區(qū)、13-元胞溝槽、14-溝槽絕緣柵氧化層、15-溝槽導(dǎo)電多晶硅、16-溝槽N+注入?yún)^(qū)、17-溝槽絕緣介質(zhì)層、18-溝槽源極金屬、19-溝槽P型第二阱區(qū)、20-第一主面、21-平面導(dǎo)電多晶硅體、22-溝槽體極金屬、23-第二主面、24-硬掩膜層、25-硬掩膜窗口、26-溝槽絕緣柵氧化體、27-溝槽導(dǎo)電多晶硅體、28-平面源極金屬、29-平面P型第一阱區(qū)、30-平面N+注入?yún)^(qū)、31-平面絕緣介質(zhì)層、32-平面導(dǎo)電多晶硅、33-平面絕緣柵氧化層、34-平面P型第二阱區(qū)、35-平面體極金屬、36-平面絕緣柵氧化體、100-柵極端、101-源極端、102-漏極端、103-M0S溝槽、104-溝槽P阱、105-溝槽柵氧化層、106-溝槽導(dǎo)電多晶硅體、107-溝槽N型注入?yún)^(qū)、108-溝槽絕緣介質(zhì)體、109-溝槽源極金屬層、110-平面P阱、111-平面N型注入?yún)^(qū)、112-平面絕緣介質(zhì)體、113-平面源極金屬層、114-平面導(dǎo)電多晶硅體以及115-平面柵氧化層。
【具體實(shí)施方式】
[0077]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0078]功率MOSFET器件可以采用溝槽型結(jié)構(gòu)或平面型結(jié)構(gòu)，以N型功率MOSFET器件為例，對(duì)功率MOSFET器件分別采用溝槽型以及平面型的兩個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
[0079]實(shí)施例一
[0080]如圖1所示，為功率MOSFET器件采用溝槽型結(jié)構(gòu)時(shí)的俯視圖，在所述MOSFET器件的俯視平面上，包括半導(dǎo)體基板上的元件區(qū)I和終端保護(hù)區(qū)2，所述終端保護(hù)區(qū)2環(huán)繞包圍元件區(qū)I，所述元件區(qū)I包括柵極金屬區(qū)4、源極金屬區(qū)3以及體極金屬區(qū)5，其中，柵極金屬區(qū)4、源極金屬區(qū)3以及體極金屬區(qū)5之間相互絕緣隔離，柵極金屬區(qū)4內(nèi)包括柵極金屬，通過(guò)柵極金屬能形成柵電極，源極金屬區(qū)3內(nèi)包括溝槽源極金屬18，通過(guò)溝槽源極金屬18能形成源電極，體極金屬區(qū)5內(nèi)包括溝槽體極金屬22，通過(guò)溝槽體極金屬22能形成一個(gè)所需的體電極。本實(shí)用新型實(shí)施例中，源極金屬區(qū)3內(nèi)的溝槽源極金屬18、體極金屬區(qū)5內(nèi)的溝槽體極金屬22以及柵極金屬區(qū)4內(nèi)的柵極金屬均不接觸，柵極金屬區(qū)4、體極金屬區(qū)5分別位于源極金屬區(qū)3的兩側(cè)，在具體實(shí)施時(shí)，柵極金屬區(qū)4、源極金屬區(qū)3、體極金屬區(qū)5之間的相互位置關(guān)系并不限于圖中的位置，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，只要保證源極金屬區(qū)3、柵極金屬區(qū)4以及體極金屬區(qū)5間相互絕緣隔離，即對(duì)應(yīng)的金屬相互不接觸即可。
[0081]在源極金屬區(qū)3內(nèi)設(shè)置多個(gè)呈平行分布的元胞6，所述元胞6呈條形，在相鄰的元胞6之間有源極接觸孔7，所述源極接觸孔7也呈條形，體極金屬區(qū)5內(nèi)設(shè)置有體區(qū)接觸孔8。
[0082]如圖2所示，在沿附圖1中A-A方向的橫截面上，所述半導(dǎo)體基板包括位于上部N型漂移區(qū)11以及位于下部的N型襯底層10，所述N型漂移區(qū)11與N型襯底層10相鄰接，所述N型漂移區(qū)11的上表面形成半導(dǎo)體基板的第一主面20，所述N型襯底層10的下表面形成半導(dǎo)體基板的第二主面23。
[0083]在所述N型漂移區(qū)10內(nèi)的上方設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排布的溝槽P型第一阱區(qū)12，在所述溝槽P型第一阱區(qū)12的上方設(shè)置有溝槽N+注入?yún)^(qū)16，相鄰兩個(gè)溝槽P型第一阱區(qū)12之間間隔有溝槽柵結(jié)構(gòu)，所述溝槽柵結(jié)構(gòu)包括由第一主面20向下延伸的元胞溝槽13，所述元胞溝槽13深度伸入至溝槽P型第一阱區(qū)12下方的N型漂移區(qū)11內(nèi)，且元胞溝槽13的槽底位于N型漂移區(qū)11內(nèi)。元胞溝槽13內(nèi)壁覆蓋有溝槽絕緣柵氧化層14，元胞溝槽13內(nèi)填充有溝槽導(dǎo)電多晶硅15，所述第一主面20上覆蓋有溝槽絕緣介質(zhì)層17，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17包裹覆蓋元胞溝槽13的槽口。
[0084]所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上設(shè)置有源極接觸孔7，所述源極接觸孔7位于相鄰兩個(gè)溝槽柵之間，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上面覆蓋有溝槽源極金屬18，所述溝槽源極金屬18填充源極接觸孔7并且與溝槽N+注入?yún)^(qū)16電性相連，所述溝槽P型第一阱區(qū)不與溝槽源極金屬18相連。在相鄰的兩元胞溝槽13間，溝槽N+注入?yún)^(qū)16分別連接相對(duì)應(yīng)的溝槽絕緣柵氧化層14，溝槽源極金屬18覆蓋在溝槽絕緣介質(zhì)層17上，填充在溝槽源極接觸孔7后與溝槽N+注入?yún)^(qū)16電連接，由于溝槽N+注入?yún)^(qū)16位于溝槽源極金屬18與溝槽P型第一阱區(qū)12之間，溝槽N+注入?yún)^(qū)16將溝槽源極金屬18與溝槽P型第一阱區(qū)12之間相隔離。
[0085]如圖3所示，在沿附圖1中B-B