方向的橫截面上，即體極金屬區(qū)5的剖視圖，其中，所述N型漂移區(qū)11上方設(shè)置有溝槽P型第二阱區(qū)19，所述第一主面20上覆蓋有溝槽絕緣介質(zhì)層17，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上設(shè)置有體區(qū)接觸孔8，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上面覆蓋有溝槽體極金屬22，所述溝槽體極金屬22填充體區(qū)接觸孔8并且與下方的溝槽P型第二阱區(qū)19電性相連。本實(shí)用新型實(shí)施例中，位于體極金屬區(qū)5內(nèi)的溝槽P型第二阱區(qū)19與源極金屬區(qū)3內(nèi)的溝槽P型第一阱區(qū)12為同一制造層，且溝槽P型第二阱區(qū)19與溝槽P型第一阱區(qū)12連接成一體，以使得溝槽P型第二阱區(qū)19與溝槽P型第一阱區(qū)12間具有等電位，從而溝槽P型第一阱區(qū)12通過(guò)溝槽P型第二阱區(qū)19與體極金屬區(qū)5內(nèi)的溝槽體極金屬22電連接。
[0086]如圖4所示，在沿附圖1中C-C方向的橫截面上，所述N型漂移區(qū)11上方設(shè)置有P型阱區(qū)，所述P型阱區(qū)包括位于源極金屬區(qū)3內(nèi)的P型第一阱區(qū)12以及位于體極金屬區(qū)5內(nèi)的P型第二阱區(qū)19，在P型第一阱區(qū)12的上方設(shè)置有溝槽N+注入?yún)^(qū)16。所述第一主面20上覆蓋有溝槽絕緣介質(zhì)層17，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上設(shè)置有源極接觸孔7和體區(qū)接觸孔8，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上面覆蓋有溝槽源極金屬18和溝槽體極金屬22，所述溝槽源極金屬18填充在源極接觸孔7內(nèi)并且與溝槽N+注入?yún)^(qū)16電性相連，所述溝槽體極金屬22填充體區(qū)接觸孔8并且與溝槽P型第二阱區(qū)19電性相連，所述溝槽源極金屬18和溝槽體極金屬22之間互不相連。
[0087]本實(shí)用新型實(shí)施例中，源極金屬區(qū)3、體極金屬區(qū)5內(nèi)的溝槽絕緣介質(zhì)層17為同一制造層，位于源極金屬區(qū)3內(nèi)的接觸孔形成源極接觸孔7，位于體極金屬區(qū)5內(nèi)的接觸孔形成體極接觸孔8。
[0088]如圖5~圖22所示，上述結(jié)構(gòu)的功率MOSFET器件，通過(guò)下述工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0089]al、提供具有兩個(gè)相對(duì)主面的半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括N型襯底層10及位于所述N型襯底層10上方的N型漂移區(qū)11 ;所述兩個(gè)相對(duì)主面包括第一主面20與第二主面23 ；
[0090]如圖5所示，N型襯底層10與N型漂移區(qū)11鄰接，N型漂移區(qū)11的上表面形成第一主面20，N型襯底層10的下表面形成第二主面20，半導(dǎo)體基板的材料包括硅，當(dāng)然，也可以采用其他常用的半導(dǎo)體材料。
[0091]bl、在所述半導(dǎo)體基板的第一主面20上淀積硬掩膜層24 ;所述硬掩膜層24的材料為L(zhǎng)PTE0S、熱氧化二氧化硅加化學(xué)氣相沉積二氧化硅或熱二氧化硅加氮化硅。
[0092]Cl、選擇性的掩蔽和刻蝕硬掩膜層24，形成溝槽刻蝕的硬掩膜窗口 25 ；
[0093]如圖6所示，硬掩膜窗口 25貫通硬掩膜層24，得到硬掩膜窗口 25為工藝過(guò)程為本技術(shù)領(lǐng)域常規(guī)的工藝，此處不再贅述。
[0094]dl、利用上述硬掩膜窗口 25，在第一主面20上各向異性干法刻蝕半導(dǎo)體基板，形成元胞溝槽13，所述元胞溝槽13深度小于N型漂移區(qū)11厚度；
[0095]如圖7所示，由于第一主面20上覆蓋有硬掩膜層24，在硬掩膜層24的遮擋作用下，將硬掩膜窗口 25下方的半導(dǎo)體基板進(jìn)行刻蝕，得到元胞溝槽13，具體過(guò)程為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知。
[0096]el、去除第一主面上的硬掩膜層24，在第一主面20上及元胞溝槽13內(nèi)壁生長(zhǎng)溝槽絕緣柵氧化體26 ；
[0097]所述溝槽絕緣柵氧化體26可以為二氧化硅，通過(guò)熱氧化等工藝使得溝槽絕緣柵氧化體26生長(zhǎng)在第一主面20以及元胞溝槽13的內(nèi)壁，通過(guò)溝槽絕緣柵氧化體26用于形成溝槽絕緣柵氧化層14。
[0098]fl、在所述第一主面20上淀積導(dǎo)電多晶娃,所述導(dǎo)電多晶娃同時(shí)填充內(nèi)壁生長(zhǎng)有溝槽絕緣柵氧化體26的元胞溝槽13 ；
[0099]淀積導(dǎo)電多晶硅后得到溝槽導(dǎo)電多晶硅體27，所述溝槽導(dǎo)電多晶硅體27覆蓋在溝槽絕緣柵氧化體26上。
[0100]gl、刻蝕去除第一主面20上面的導(dǎo)電多晶硅，得到元胞溝槽13內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅；
[0101]如圖9所示，去除第一主面20上的溝槽導(dǎo)電多晶體27以及溝槽絕緣氧化體26后，得到位于元胞溝槽13內(nèi)的溝槽絕緣柵氧化層14以及溝槽導(dǎo)電多晶硅15，即形成溝槽柵結(jié)構(gòu)。
[0102]h1、在所述第一主面20上，自對(duì)準(zhǔn)注入P型雜質(zhì)離子，并通過(guò)高溫推結(jié)形成P型阱區(qū)；
[0103]如圖10、圖11和圖12所示，自對(duì)準(zhǔn)P型雜質(zhì)離子，并通過(guò)高溫推結(jié)形成P型阱區(qū)的過(guò)程為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，具體工藝條件及過(guò)程不再贅述。在形成P型阱區(qū)后，在源極金屬區(qū)3內(nèi)形成溝槽P型第一阱區(qū)12，在體極金屬區(qū)5內(nèi)形成溝槽P型第二阱區(qū)19，溝槽P型第一阱區(qū)12與溝槽P型第二阱區(qū)19相互連接成一體。本實(shí)用新型實(shí)施例中，元胞6呈條形，主要是使得溝槽P型第一阱區(qū)12與溝槽P型第二阱區(qū)19間能相互連接成一體；當(dāng)然，元胞6也可以采用其他的形狀，只要能保證溝槽P型第一阱區(qū)12與溝槽P型第二阱區(qū)19間相互連接成一體，保證溝槽P型第一阱區(qū)12與溝槽P型第二阱區(qū)19間的等電位狀態(tài)即可。
[0104]il、在所述第一主面20上，進(jìn)行源區(qū)光刻，并注入高濃度的N型雜質(zhì)離子，并通過(guò)高溫推結(jié)形成N+注入?yún)^(qū)；
[0105]如圖13、圖14和圖15所示，進(jìn)行源區(qū)光刻，注入高濃度的N型雜質(zhì)離子，再通過(guò)高溫推結(jié)形成N+注入?yún)^(qū)的過(guò)程為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。所述N+注入?yún)^(qū)包括溝槽N+注入?yún)^(qū)16，所述溝槽N+注入?yún)^(qū)16位于源極金屬區(qū)3。
[0106]jl、在上述第一主面20上，淀積得到溝槽絕緣介質(zhì)層17，所述溝槽絕緣介質(zhì)層17為硅玻璃(USG)、硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃(PSG)。
[0107]kl、在所述溝槽絕緣介質(zhì)層17上進(jìn)行接觸孔光刻和刻蝕，形成源極接觸孔7和體極接觸孔8，所述源極接觸7孔位于相鄰兩個(gè)溝槽導(dǎo)電多晶硅15之間，
[0108]如圖16、圖17和圖18所示，對(duì)溝槽絕緣介質(zhì)層17進(jìn)行接觸孔光刻和刻蝕為本技術(shù)領(lǐng)域常規(guī)的制備工藝，此處不再贅述。源極接觸孔7與體極接觸孔8均通過(guò)溝槽絕緣介質(zhì)層17。
[0109]11、在上述覆蓋有溝槽絕緣介質(zhì)層17的第一主面上20淀積金屬，進(jìn)行金屬光刻與刻蝕,形成溝槽源極金屬18和溝槽體極金屬22，所述溝槽源極金屬18同時(shí)填充源極接觸孔7并與溝槽N+注入?yún)^(qū)16電性連接，所述溝槽體極金屬22同時(shí)填充體極接觸孔8并與溝槽P型第二阱區(qū)19電性連接，所述溝槽源極金屬18與溝槽體極金屬22互不相連，如附圖19、圖20以及圖21所示；所述溝槽源極金屬18和溝槽體極金屬22包括鋁或鋁加鎢。
[0110]ml、在所述半導(dǎo)體基板的第二主面23上淀積漏極金屬9，如附圖22所示，漏極金屬9包括鈦、鎳、銀或金或金的合金。
[0111]實(shí)施例二:
[0112]如圖23所示，為功率MOSFET器件采用平面型結(jié)構(gòu)的俯視圖，在所述MOSFET器件的俯視平面上，包括半導(dǎo)體基板上的元件區(qū)I和終端保護(hù)區(qū)2，所述終端保護(hù)區(qū)2環(huán)繞包圍元件區(qū)1，所述元件區(qū)I包括柵極金屬區(qū)4、源極金屬區(qū)3和體極金屬區(qū)5，所述源極金屬區(qū)3內(nèi)設(shè)置有多個(gè)相互平行的條形元胞6，相鄰元胞6之間設(shè)置有條形源極接觸孔7，所述體極金屬區(qū)5內(nèi)設(shè)置有體極接觸孔8。
[0113]如圖24所示，在沿附圖23中D-D方向的橫截面上，所述半導(dǎo)體基板包括N型漂移區(qū)11和N型襯底層10，所述N型漂移區(qū)11與N型襯底層10相連接，所述N型漂移區(qū)11的上表面為半導(dǎo)體基板的第一主面20，所述N型襯底層10的下表面為半導(dǎo)體基板的第二主面23。在所述N型漂移區(qū)11上方設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排布的P型阱區(qū)，所述P型阱區(qū)包括平面P型第一阱區(qū)29以及平面P型第二阱區(qū)34，在所述平面P型第一阱區(qū)29的上方設(shè)置有平面N+注入?yún)^(qū)30，相鄰兩個(gè)平面P型第一阱區(qū)29之間間隔有平面柵結(jié)構(gòu)，所述平面柵結(jié)構(gòu)包括第一主面20上方的平面導(dǎo)電多晶娃32,所述平面導(dǎo)電多晶娃32與第一主面20之間設(shè)置有平面絕緣柵氧化層33，所述第一主面20上設(shè)置有平面絕緣介質(zhì)層31，所述平面絕緣介質(zhì)層31包裹覆蓋平面導(dǎo)電多晶硅32，所述平面絕緣介質(zhì)層31上設(shè)置有源極接觸孔7，所述平面絕緣介質(zhì)層31上面覆蓋有平面源極金屬28，所述平面源極金屬28填充源極接觸孔7并且與平面N+注入?yún)^(qū)30電性連接，所述平面P型第一阱區(qū)29不與平面源極金屬28相連；
[0114]如附圖25所示，在沿附圖23中E-E方向的橫截面上，所述N型漂移區(qū)11上方設(shè)置有平面P型第二阱區(qū)34，所述第一主面20上覆蓋有平面絕緣介質(zhì)層31，所述平面絕緣介質(zhì)層31上設(shè)置有體極接觸孔8，所述平面絕緣介質(zhì)層31上面覆蓋有平面體極金屬35，所述平面體極金屬35填充體極接觸孔8并且與平面P型第二阱區(qū)34電性相連；
[0115]如圖26所示，在沿附圖23中F-F方向的橫截面上，所述N型漂移區(qū)11上方設(shè)置有P型阱區(qū)，所述P型阱區(qū)包括平面P型第一阱區(qū)29以及平面P型第二阱區(qū)34，在所述平面P型第一阱區(qū)29上方設(shè)置有平面N+注入?yún)^(qū)30，所述