本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種光刻版以及光刻方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實現(xiàn)的。隨著器件尺寸的不斷縮小，給制造和設(shè)計等諸多方面帶來很大挑戰(zhàn)，器件的穩(wěn)定性以及良率成為衡量半導(dǎo)體器件性能的一個重要因素。

在芯片制備中通常需要進(jìn)行光刻和蝕刻步驟，例如在芯片制造流程中，金屬導(dǎo)線圖形的定義包括光刻、刻蝕、去膠等幾個環(huán)節(jié)。如圖1a-1b所示，在光刻步驟，先在介電層101上方的金屬層102表面涂上一層光刻膠層103，然后光透過光刻版，照射在光刻膠層103表面，從而定義處光刻圖形。然后刻蝕步驟通過反應(yīng)氣體對金屬的轟擊和反應(yīng)，完成金屬層102的刻蝕，得到金屬導(dǎo)線。刻蝕步驟在去除金屬層的同時，大量的反應(yīng)副產(chǎn)物會隨之產(chǎn)生，我們稱之為聚合物(polymer)，堆積在晶圓表面，如圖1c右側(cè)圖案以及圖1d所示。最后需通過濕法去膠清洗步驟，將聚合物去除，得到清潔的晶圓表面。

現(xiàn)有方法的缺點在于：由于產(chǎn)品設(shè)計的緣故，不同產(chǎn)品的光刻版的透光率不同，也就是說金屬導(dǎo)線的密度不同。透光率較低的產(chǎn)品(clear ratio<60％)，要刻蝕的區(qū)域較少，金屬導(dǎo)線所占的面積相對較大。而透光率較高的產(chǎn)品(clear ratio>60％)，要刻蝕的區(qū)域較多，金屬導(dǎo)線所占的面積較小。如圖1d所示，對于透光率較高的產(chǎn)品，由于需要刻蝕的面積過大，反應(yīng)副產(chǎn)物聚合物較重，后面的濕法去膠步驟沒有能力將其徹底清除，會導(dǎo)致晶圓表面聚合物的殘留，造成產(chǎn)品低良率和報廢。

另外，目前并沒有針對光刻版進(jìn)行遮蔽的設(shè)備，已有的遮擋功能是將擋板加在機(jī)臺端的光源和光刻版之間，這種方法對光的遮擋精準(zhǔn)度較低，被遮擋的區(qū)域一般仍會有部分光衍射過來，在不需要曝光的區(qū)域產(chǎn)生圖形，使器件性能和良率降低。對于大規(guī)模生產(chǎn)，也時常會出現(xiàn)報廢風(fēng)險。

因此，需要對目前所述光刻方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服以上提到的至少一個技術(shù)問題，提供了一種光刻版，包括：

光刻版主體，

滑軌，位于所述光刻版主體的邊緣；

若干遮蔽擋板，卡設(shè)于所述滑軌之中，用于部分地覆蓋所述光刻版主體。

可選地，所述滑軌設(shè)置于所述光刻版中相對的兩側(cè)的邊緣。

可選地，所述遮蔽擋板位于所述光刻版主體的上方。

本發(fā)明還提供了一種光刻方法，包括：

步驟S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待圖形化材料層和光刻膠層；

步驟S2：提供光刻版，并確定所述光刻版的透光率；

步驟S3：根據(jù)所述光刻版的透光率的大小調(diào)整所述光刻版的曝光區(qū)域，以控制所述光刻版的透光率在目標(biāo)值以內(nèi)，然后對選定的所述曝光區(qū)域進(jìn)行曝光；

步驟S4：以所述光刻膠層為掩膜進(jìn)行所述待圖形化材料層的圖形化處理；

其中，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版中選擇曝光的區(qū)域為部分區(qū)域時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進(jìn)行曝光，直至完成所述光刻版的全部區(qū)域的曝光，最終在所述待蝕刻材料層中形成目標(biāo)圖形。

可選地，所述光刻版的透光率的目標(biāo)值為60％。

可選地，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版的透光率比大于所述目標(biāo)值時，將所述光刻版劃分為若干區(qū)域，并分若干次進(jìn)行曝光。

可選地，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版的透光率比大于所述目標(biāo)值時，將所述光刻版劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，并分兩次進(jìn)行曝光。

可選地，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版的透光率比小于或等于所述目標(biāo)值時，將所述光刻版一次全部曝光。

可選地，在所述步驟S3中，對選定的所述曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的同時，將所述光刻版的剩余區(qū)域進(jìn)行遮蔽。

可選地，在所述步驟S1中，在所述待光刻硅片上形成有CMOS器件，所述待圖形化材料層為金屬層，在所述金屬層上形成有所述光刻膠層，以在所述步驟S4中形成金屬互連。

本發(fā)明所述光刻版除了具有電路圖形以外，還具備遮蔽擋板和滑軌，遮蔽擋板可以在滑軌上滑動，實現(xiàn)部分圖形遮蓋的功能，如果是一次曝光不需要遮擋，則該遮蔽擋板可以置于光刻版一側(cè)，或拆下來，從而不影響曝光。如果對于高透光率的產(chǎn)品，希望多次曝光，每次只曝光一部分區(qū)域，則遮蔽擋板可以移動到光刻板上的任意位置，擋住不需要曝光的區(qū)域，實現(xiàn)多次曝光。所述光刻版還可以精準(zhǔn)控制透光區(qū)域，防止衍射，提高曝光精度。

本發(fā)明的有益效果在于將高透光率的光刻層次，分成兩次光刻與刻蝕來完成，使每次光刻的透光率減小到原來的一半，從而減小每次刻蝕的面積和副產(chǎn)物的數(shù)量，降低濕法去膠清洗的負(fù)擔(dān)，防止聚合物(polymer)殘留的存在，提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中所述光刻方法的過程示意圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中所述光刻方法的過程示意圖；

圖1c為現(xiàn)有技術(shù)中所述光刻方法存在的缺陷的示意圖；

圖1d為現(xiàn)有技術(shù)中所述光刻方法得到的半導(dǎo)體器件的SEM示意圖；

圖2a為本發(fā)明一具體地實施中具有所述遮蔽擋板的光刻版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明一具體地實施中具有所述遮蔽擋板遮蔽所述光刻版左側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明一具體地實施中具有所述遮蔽擋板遮蔽所述光刻版右側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d為本發(fā)明一具體地實施中具有所述遮蔽擋板遮蔽所述光刻版上部時的曝光示意圖；

圖2e為本發(fā)明一具體地實施中具有所述遮蔽擋板遮蔽所述光刻版下部時的曝光示意圖；

圖3a為本發(fā)明一具體地實施中所述光刻方法的過程示意圖；

圖3b為本發(fā)明一具體地實施中所述光刻方法的過程示意圖；

圖4為本發(fā)明一具體地實施中所述光刻方法的工藝流程圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。

實施例一

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種新的光刻版，下面結(jié)合附圖對所述光刻版作進(jìn)一步的說明。

本發(fā)明所述光刻版至少包括：

光刻版主體，

滑軌10，位于所述光刻版主體的邊緣；

若干遮蔽擋板11，卡設(shè)于所述滑軌之中。

其中，所述滑軌設(shè)置于所述光刻版中相對的兩側(cè)的邊緣，例如所述滑軌設(shè)置于所述光刻版的上下兩側(cè)的邊緣或者左右兩側(cè)的邊緣，如圖2a所示。

其中，所述遮蔽擋板11卡設(shè)于所述滑軌之中并且位于所述光刻版主體的上方?？蛇x地，所述遮蔽擋板11可以在所述滑軌中自由滑動，還可根據(jù)需要進(jìn)行安裝或拆卸。

具體地，遮蔽擋板在滑軌上滑動，以實現(xiàn)部分圖形遮蓋的功能，如果是一次曝光不需要遮擋，則該遮蔽擋板可以置于光刻版一側(cè)(例如左側(cè)或者右側(cè)，如圖2b和2c所示)或拆下來，從而不影響曝光。如果對于高透光率的產(chǎn)品，希望多次曝光，每次只曝光一部分區(qū)域，則遮蔽擋板可以移動到光刻版上的任意位置，擋住不需要曝光的區(qū)域，實現(xiàn)多次曝光。

其中，所述遮蔽擋板的數(shù)目可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇并不局限于某一數(shù)值范圍，其中所述若干遮蔽擋板之間彼此獨(dú)立設(shè)置，例如可以同時使用2個遮蔽擋板，左右各一個，或上下各一個，根據(jù)需要遮蔽的區(qū)域進(jìn)行選擇。

進(jìn)一步，所述遮蔽擋板的形狀可以根據(jù)光刻版進(jìn)行選擇，例如可以為方形，圓形，三角形等等，而且在同一個光刻版中還可以設(shè)置若干不同圖形的所述遮蔽擋板。

本發(fā)明所述光刻版除了具有電路圖形以外，還具備遮蔽擋板，由于所述遮蔽擋板直接設(shè)置于所述光刻版上，其平面高度和圖形高度很接近，可以精準(zhǔn)控制透光區(qū)域，防止衍射，可以提高曝光的精度。

實施例二

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種新的光刻方法，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明所述方法作進(jìn)一步的說明。

其中，圖3a-3b為本發(fā)明一具體地實施中所述光刻方法的過程示意圖。

本發(fā)明提供了一種改善高透光率產(chǎn)品和層次刻蝕副產(chǎn)物的新方法，包括：

步驟S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待圖形化材料層和光刻膠層；

步驟S2：提供光刻版，并確定所述光刻版的透光率；

步驟S3：根據(jù)所述光刻版的透光率的大小調(diào)整所述光刻版的曝光區(qū)域，以控制所述光刻版的透光率在目標(biāo)值以內(nèi)，然后對選定的所述曝光區(qū)域進(jìn)行曝光；

步驟S4：以所述光刻膠層為掩膜進(jìn)行所述待圖形化材料層的圖形化處理；

其中，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版中選擇曝光的區(qū)域為部分區(qū)域時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進(jìn)行曝光，直至完成所述光刻版的全部區(qū)域的曝光，最終在所述待蝕刻材料層中形成目標(biāo)圖形。

所述目標(biāo)圖形為由光刻板完整轉(zhuǎn)移至待圖形化材料層中的圖形，該圖形確定了半導(dǎo)體器件的眾多特征，例如通孔、接觸孔、器件各層間必要的互連線或硅摻雜區(qū)等，下面以形成金屬互連作為目標(biāo)圖形進(jìn)行詳細(xì)的說明。

其中，在所述步驟S1中，在所述待光刻硅片上形成有半導(dǎo)體元件，在所述半導(dǎo)體元件上形成有待蝕刻材料層，在該實施例中所述待蝕刻材料層包括依次形成有介電層和金屬層，在所述金屬層上形成有所述光刻膠層，以在所述后續(xù)步驟中形成金屬互連。

此外，待光刻硅片上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上的半導(dǎo)體元件可以包含各種CMOS器件，為了方便，在所示圖形中并沒有標(biāo)示。

在所述待光刻硅片上形成有柵極，所述柵極的形成方法可以選用本領(lǐng)域常用的方法，并不局限于某一種。例如：在所述待光刻硅片上依次沉積氧化物絕緣層、柵極材料層，然后對所述氧化物絕緣層、柵極材料層進(jìn)行刻蝕得到柵極。

其中所述柵極的數(shù)目并不局限于某一數(shù)值范圍，可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。

其中，所述氧化物絕緣層優(yōu)選為二氧化硅，其形成方法可以為沉積二氧化硅材料層或者高溫氧化所述待光刻硅片來形成絕緣層，所述柵極材料層可包括硅或者多晶硅層。

作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括在所述柵極的兩側(cè)形成偏移側(cè)墻(offset spacer)。所述偏移側(cè)墻的材料例如是氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等絕緣材料。隨著器件尺寸的進(jìn)一步變小，器件的溝道長度越來越小，源漏極的粒子注入深度也越來越小，偏移側(cè)墻的作用在于以提高形成的晶體管的溝道長度，減小短溝道效應(yīng)和由于短溝道效應(yīng)引起的熱載流子效應(yīng)。在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成偏移側(cè)墻的工藝可以為化學(xué)氣相沉積，本實施例中，所述偏移側(cè)墻的厚度可以小到80埃。

可選地，在所述柵極兩側(cè)執(zhí)行LDD離子注入步驟并活化。

可選地，在所述柵極的偏移側(cè)墻上形成間隙壁。

具體地，在所形成的偏移側(cè)墻上形成間隙壁(Spacer)，所述間隙壁可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們組合構(gòu)成。作為本實施例的一中實施方式，所述間隙壁為氧化硅、氮化硅共同組成，具體工藝為：在待光刻硅片上形成第一氧化硅層、第一氮化硅層以及第二氧化硅層，然后采用蝕刻方法形成間隙壁。

在形成所述間隙壁之后還可以進(jìn)一步包括形成源漏的步驟，其中源漏注入的離子類型以及注入劑量可以為常規(guī)的操作，在此不再贅述。

然后，沉積層間介電層，以覆蓋所述柵極，其中所述層間介電層可以選用常用的材料，例如在本發(fā)明中選用SiO₂，但是需要說明的是，層間介電層并不局限于該材料。

然后圖形化所述層間介電層，以在所述層間介電層中形成若干開口，以形成開口，露出所述柵極或源漏等，用于在后續(xù)的步驟中形成互連結(jié)構(gòu)，可選地，所述開口的形成方法選用常規(guī)的圖形化方法。

然后在所述開口中填充導(dǎo)電材料，例如各種金屬材料，以形成接觸孔或者通孔，與所述柵極或源漏形成電連接。

然后在所述層間介電層以及所述接觸孔的上方形成金屬層，其中所述金屬層用于在后續(xù)的步驟中形成金屬互連，與所述接觸孔互連，形成互連結(jié)構(gòu)。

為了形成金屬互連，需要將所述金屬層進(jìn)行圖形化，在所述金屬層上形成掩膜層，所述掩膜層選用光刻膠層，可選地，在所述光刻膠層的下方還可以形成有其他掩膜層，例如DARC等。

在本申請中執(zhí)行步驟S2提供光刻版，并在所述光刻版中形成有目標(biāo)圖形，以在后續(xù)的步驟中用于對所述光刻膠進(jìn)行光刻。

其中所述光刻版選用實施例一中的所述光刻版，所述光刻版除了具有電路圖形以外，還具備遮蔽擋板和滑軌，其中所述光刻版上自帶遮蔽擋板，用于對不需要曝光的區(qū)域或者已經(jīng)曝光的區(qū)域進(jìn)行遮蔽，由于所述遮蔽擋板直接設(shè)置于所述光刻版上，其平面高度和圖形高度很接近，可以精準(zhǔn)控制透光區(qū)域，防止衍射，可以提高曝光的精度。

在所述步驟S3中，將所述透光率的目標(biāo)值設(shè)定為60％，當(dāng)所述光刻版的透光率比大于60％時，將所述光刻版劃分為若干區(qū)域，并分若干次進(jìn)行曝光，例如當(dāng)所述光刻版的透光率比大于60％時，將所述光刻版劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，并分兩次進(jìn)行曝光，在對第一區(qū)域曝光時，將所述遮蔽擋板滑動至所述第二區(qū)域，對所述第二區(qū)域進(jìn)行遮蔽，對所述第一區(qū)域曝光完成之后則滑動所述遮蔽擋板至所述第一區(qū)域?qū)λ龅谝粎^(qū)域進(jìn)行遮蔽，對剩余的所述第二區(qū)域進(jìn)行曝光；其中，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版的部分區(qū)域曝光時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進(jìn)行曝光至所述光刻版的全部區(qū)域?qū)崿F(xiàn)曝光，以在所述待蝕刻材料層中形成目標(biāo)圖形。當(dāng)所述光刻版的透光率比小于或等于60％時，將所述光刻版一次全部曝光。

在所述步驟S4中對所述光刻膠進(jìn)行光刻之后，以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述待蝕刻材料層，以將圖形轉(zhuǎn)移至所述待蝕刻材料層中。其中所述蝕刻方法可以根據(jù)所述金屬材料選擇。

最后，去除所述光刻膠層，同時去除蝕刻過程中形成的副產(chǎn)物殘留。

具體地，例如在本發(fā)明所述改善高透光率產(chǎn)品和層次刻蝕副產(chǎn)物的新方法中，對于金屬層光刻版的透光率(clear ratio)>60％的情況，用同一塊光刻版，通過所述遮蔽擋板分割成兩次光刻與刻蝕，第一次光刻的時候，遮住光刻版上一半的區(qū)域，只曝光顯影另一半的區(qū)域，并完成第一道刻蝕和濕法去膠，即以所述光刻膠為掩膜蝕刻所述金屬層，然后去除蝕刻中殘留的聚合物，如圖3a和2d所示；然后做第二次光刻，這時光刻版上遮住已刻蝕過的區(qū)域，曝光另一半?yún)^(qū)域，并完成第二道刻蝕和濕法去膠。兩次光刻與刻蝕加在一起，相當(dāng)于全部圖形區(qū)域，如圖3b和2e所示。

具體地，本發(fā)明將高透光率(high clear ratio)的光刻層次，分割成兩次光刻與刻蝕，每次光刻的透光率(clear ratio)可以減小到原來的50％，達(dá)到安全限度以下。這樣就大大減輕了每次刻蝕的聚合物(polymer)副產(chǎn)物，每次刻蝕后的濕法去膠步驟可以將刻蝕的副產(chǎn)物去除干凈，因此新的方法對于高透光率(high clear ratio)的產(chǎn)品和層次，可以有效防止聚合物(polymer)殘留的存在，提高產(chǎn)品的良率。

需要說明的是，將所述高透光率(high clear ratio)的光刻層次，分割成兩次光刻與刻蝕僅僅是示例性的，還可以將所述光刻層次分割成三次光刻與刻蝕，甚至更多，可以根據(jù)具體需要進(jìn)行設(shè)置，并不局限于該具體示例。

本發(fā)明的優(yōu)點在于將高透光率的光刻層次，分成兩次光刻與刻蝕來完成，使每次光刻的透光率減小到原來的一半，從而減小每次刻蝕的面積和副產(chǎn)物的數(shù)量，降低濕法去膠清洗的負(fù)擔(dān)，防止聚合物(polymer)殘留的存在，提高產(chǎn)品良率。

需要說明的是，該實施例是以形成金屬互連為例子進(jìn)行說明的，除了金屬層(metal layer)以外，其他刻蝕層次例如多晶硅(Poly)、有源區(qū)(Active)刻蝕如遇到類似聚合物(polymer)殘留的問題，也可以采用該方法，在此不再一一列舉。

至此，完成了本發(fā)明實施例的光刻方法的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實施例的制備方法還可以在上述各個步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明所述光刻版除了具有電路圖形以外，還具備遮蔽擋板和滑軌，遮蔽擋板可以在滑軌上滑動，實現(xiàn)部分圖形遮蓋的功能，如果是一次曝光不需要遮擋，則該遮蔽擋板可以置于光刻版一側(cè)，或拆下來，從而不影響曝光。如果對于高透光率的產(chǎn)品，希望多次曝光，每次只曝光一部分區(qū)域，則遮蔽擋板可以移動到光刻板上的任意位置，擋住不需要曝光的區(qū)域，實現(xiàn)多次曝光。所述光刻版還可以精準(zhǔn)控制透光區(qū)域，防止衍射，提高曝光精度。

本發(fā)明的有益效果在于將高透光率的光刻層次，分成兩次光刻與刻蝕來完成，使每次光刻的透光率減小到原來的一半，從而減小每次刻蝕的面積和副產(chǎn)物的數(shù)量，降低濕法去膠清洗的負(fù)擔(dān)，防止聚合物(polymer)殘留的存在，提高產(chǎn)品良率。

其中，圖4為本發(fā)明一具體地實施中所述光刻方法的工藝流程圖，包括：

步驟S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待圖形化材料層和光刻膠層；

步驟S2：提供光刻版，并確定所述光刻版的透光率；

步驟S3：根據(jù)所述光刻版的透光率的大小調(diào)整所述光刻版的曝光區(qū)域，以控制所述光刻版的透光率在目標(biāo)值以內(nèi)，然后對選定的所述曝光區(qū)域進(jìn)行曝光；

步驟S4：以所述光刻膠層為掩膜進(jìn)行所述待圖形化材料層的圖形化處理；

其中，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版中選擇曝光的區(qū)域為部分區(qū)域時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進(jìn)行曝光，直至完成所述光刻版的全部區(qū)域的曝光，最終在所述待蝕刻材料層中形成目標(biāo)圖形。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。