技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種光刻版以及光刻方法。所述方法包括步驟S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待圖形化材料層和光刻膠層；步驟S2：提供光刻版，并確定所述光刻版的透光率；步驟S3：根據(jù)光刻版的透光率的大小調(diào)整光刻版的曝光區(qū)域，以控制所述光刻版的透光率在目標值以內(nèi)，然后對選定的所述曝光區(qū)域進行曝光；步驟S4：以光刻膠層為掩膜進行所述待圖形化材料層的圖形化處理；其中，在所述步驟S3中當(dāng)所述光刻版中選擇曝光的區(qū)域為部分區(qū)域時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進行曝光，直至完成所述光刻版的全部區(qū)域的曝光，最終在所述待蝕刻材料層中形成目標圖形。本發(fā)明的優(yōu)點在于可以防止聚合物(polymer)殘留的存在，提高產(chǎn)品良率。

技術(shù)研發(fā)人員：胡駿
受保護的技術(shù)使用者：無錫華潤上華科技有限公司
文檔號碼：201510919531
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.11
技術(shù)公布日：2017.06.20