1.一種光刻版，包括：
光刻版主體，
滑軌，位于所述光刻版主體的邊緣；
若干遮蔽擋板，卡設(shè)于所述滑軌之中，用于部分地覆蓋所述光刻版主體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述滑軌設(shè)置于所述光刻版中相對的兩側(cè)的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述遮蔽擋板位于所述光刻版主體的上方。
4.一種光刻方法，包括：
步驟S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待圖形化材料層和光刻膠層；
步驟S2：提供光刻版，并確定所述光刻版的透光率；
步驟S3：根據(jù)所述光刻版的透光率的大小調(diào)整所述光刻版的曝光區(qū)域，以控制所述光刻版的透光率在目標值以內(nèi)，然后對選定的所述曝光區(qū)域進行曝光；
步驟S4：以所述光刻膠層為掩膜進行所述待圖形化材料層的圖形化處理；
其中，在所述步驟S3中當所述光刻版中選擇曝光的區(qū)域為部分區(qū)域時，則重復(fù)所述步驟S3和S4對未曝光的區(qū)域進行曝光，直至完成所述光刻版的全部區(qū)域的曝光，最終在所述待蝕刻材料層中形成目標圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻版的透光率的目標值為60％。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S3中當所述光刻版的透光率比大于所述目標值時，將所述光刻版劃分為若干區(qū)域，并分若干次進行曝光。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S3中當所述光刻版的透光率比大于所述目標值時，將所述光刻版劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，并分兩次進行曝光。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S3中當所述光刻版的透光率比小于或等于所述目標值時，將所述光刻版一次全部曝光。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S3中，對選定的所述曝光區(qū)域進行曝光的同時，將所述光刻版的剩余區(qū)域進行遮蔽。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在所述待光刻硅片上形成有CMOS器件，所述待圖形化材料層為金屬層，在所述金屬層上形成有所述光刻膠層，以在所述步驟S4中形成金屬互連。