本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本實用新型涉及一種套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體的特征尺寸(CD)越來越小，層與層之間的對準精度越來越高。在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，大部分光刻層次用于量測層與層之間套準精度的圖形(Overlay mark，簡稱套準精度量測圖形)是兩個由四條不連續(xù)的凸出長線(Line)組成的相互嵌套(bar in bar)的正方形，外框的正方形是前一層(被對準層)的標記(mark)，內(nèi)框的正方形是本層(對準層)的標記。兩個正方形的中心位置的差異就是套準精度(Overlay)。

理想的套準精度量測圖形圖形，每一條凸出長線都是一個凸出在晶圓表面的規(guī)則長方體。大部分的光刻圖形下都有前層的圖形，在曝光過程中，前層的圖形會把透射到其上的光吸收掉。但是如果本層圖形下沒有前層的圖形，只有氧化硅和氮化硅組成的薄膜(這些材料投射率高)，透射到底層的光就會被強反射回晶圓表面，從而對表面的光刻膠底部進行光柵反應(yīng)。特別是使用厚光刻膠的層次，其曝光能量大，反射到晶圓表面的光很強，光刻膠底部光柵反應(yīng)強烈。對于小尺寸的凸出長線，光柵反應(yīng)后的光刻膠就會呈明顯的倒楔形，附著在晶圓表面的面積小，容易倒塌，從而破壞了套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)完整，導(dǎo)致無法準確進行套準精度的量測。

因此，希望能夠一種能夠?qū)崿F(xiàn)套準精度的準確量測的方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)套準精度的準確量測的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本實用新型，提供了一種套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)，包括：在光刻膠層次的光刻版圖上形成的長條形凹槽。

優(yōu)選地，所述長條形凹槽用于在曝光過程中在晶圓表面上通過光柵反應(yīng)形成相應(yīng)凹槽。

優(yōu)選地，所述套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)用于厚膠光刻條件。

優(yōu)選地，所述套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)用于采用0.7μm～3μm厚的光刻膠的光刻工藝。

優(yōu)選地，凹槽的寬度小于130nm。

優(yōu)選地，凹槽的寬度小于90nm。

優(yōu)選地，凹槽的寬度小于65nm。

優(yōu)選地，凹槽的寬度為22nm。

本實用新型在光刻掩膜版的設(shè)計上把套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計成凹槽結(jié)構(gòu)。凹槽周圍都是大塊的光刻膠，附著在晶圓表面的面積大，附著力強。這樣即使套準精度量測圖形邊緣的光刻膠底部被反應(yīng)掉，但是不會出現(xiàn)倒膠脫落的風險，保證了套準精度量測圖形的完整性。本實用新型能夠減少厚光刻膠層次套準精度量測圖形倒膠風險，從而減少了光刻套準精度量測異常的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品成品率。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本實用新型有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本實用新型，而非限制本實用新型。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本實用新型的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本實用新型的內(nèi)容進行詳細描述。

本實用新型提供了一種厚膠光刻條件下套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計。在光刻掩膜版的設(shè)計上把套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計成凹槽結(jié)構(gòu)(凹槽)。凹槽周圍都是大塊的光刻膠，附著在晶圓表面的附著力強，不容易剝落。這樣即使套準精度量測圖形邊緣的光刻膠底部被反應(yīng)掉，但是光刻膠的附著面積寬，附著力強，出現(xiàn)倒膠脫落的風險小，保證了套準精度量測圖形圖形的完整性。

具體地，圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)的截面示意圖。如圖1所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)包括凸出長線10。如前面所述，對于小尺寸的凸出長線，光柵反應(yīng)后的光刻膠就會呈明顯的倒楔形，附著在晶圓表面的面積小，容易倒塌，從而破壞了套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)完整，導(dǎo)致無法準確進行套準精度的量測。

與圖1不同的是，圖2示意性地示出了根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

如圖2所示，根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)包括：在光刻膠層次的光刻版圖上形成的長條形凹槽20，用于在曝光過程中在晶圓表面上通過光柵反應(yīng)形成相應(yīng)凹槽。

由此，所述相應(yīng)凹槽周圍大塊的光刻膠減少了倒膠剝落的風險。

優(yōu)選地，根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)可有利地用于厚膠光刻條件，例如0.7μm～3μm厚的光刻膠的光刻工藝。

優(yōu)選地，根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的套準精度量測圖形結(jié)構(gòu)可有利地用于小尺寸的凹槽。優(yōu)選地，凹槽的寬度小于130nm。進一步優(yōu)選地，凹槽的寬度小于90nm。再優(yōu)選地，凹槽的寬度小于65nm。例如，凹槽的寬度為22nm左右。

本實用新型在光刻掩膜版的設(shè)計上把套準精度量測圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計成凹槽結(jié)構(gòu)。凹槽周圍都是大塊的光刻膠，附著在晶圓表面的面積大，附著力強。這樣即使套準精度量測圖形邊緣的光刻膠底部被反應(yīng)掉，但是不會出現(xiàn)倒膠脫落的風險，保證了套準精度量測圖形的完整性。本實用新型能夠減少厚光刻膠層次套準精度量測圖形倒膠風險，從而減少了光刻套準精度量測異常的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品成品率。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本實用新型。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本實用新型技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。