顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于液晶顯示技術(shù)，特別是關(guān)于一種顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]常見的顯示面板或顯示裝置包括液晶顯示裝置(liquid crystal displays)或是有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(organic light emitting d1de displays)等。而不論何種顯示面板或顯示裝置，皆需要通過非晶娃(a-Si)薄膜晶體管或低溫多晶娃(Low TemperaturePolycrystalline, LTPS)薄膜晶體管作為驅(qū)動各個像素的切換元件。近年來，有許多研究指出氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)薄膜晶體管相較于非晶娃薄膜晶體管,具有較高的載子移動率(mobility)，而氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管相較于低溫多晶硅薄膜晶體管，則具有較佳的臨界電壓均勻性。因此，目前有部分顯示面板或顯示裝置是使用氧化物半導(dǎo)體作為主體材料。
[0003]圖1A為現(xiàn)有顯示面板的部分上視圖，圖1B為圖1A所示的A-A線的剖面示意圖，請同時參考圖1A及圖1B所示?，F(xiàn)有顯示面板的像素2'結(jié)構(gòu)可包含一柵極G、一源極SI及一漏極S2,而源極SI及漏極S2之間設(shè)置一主動層AL,而主動層AL的材料即為前述的氧化物半導(dǎo)體。此類型以氧化物半導(dǎo)體為主體的顯示面板，因其需多以一層刻蝕停止層ESL(etch stop layer)保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層,故必須增加源極SI及漏極S2的面積才可有效的驅(qū)動，進(jìn)而使其柵極G與源極S1、漏極S2的重疊面積增加，造成負(fù)載電容的上升。又，依據(jù)計(jì)算面板功耗的公式P=f*C*V2可知，電容值(C)的上升會造成會提升其功耗(P)，容易造成驅(qū)動信號不穩(wěn)，使得顯示面板容易產(chǎn)生顯示異常失真的問題。而以7吋顯示面板，其解析度為1200*1920 RGB及323 PPI (pixel per inch)的規(guī)格進(jìn)行測試，可測得每一像素的電容值Cs為33.5fF、Cg為24.5fF，并經(jīng)由上述公式計(jì)算可取得前述規(guī)格的顯示面板，其功耗約為 1088mW。
[0004]因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可通過新穎的設(shè)計(jì)，降低負(fù)載電容，以達(dá)到降低功耗及穩(wěn)定驅(qū)動信號的功效，使顯示面板及顯示裝置不易發(fā)生顯示異常失真的問題，已成為重要課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種顯示面板及顯示裝置，可通過新穎的設(shè)計(jì)，降低負(fù)載電容，以達(dá)到降低功號及穩(wěn)定驅(qū)動信號的功效，使顯示面板及顯示裝置不易發(fā)生顯示異常失真的問題。
[0006]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板，包括一第一基板、多個像素、一第二基板以及一顯示介質(zhì)。該些像素設(shè)置于第一基板，且該些像素至少其中之一包括一柵極線區(qū)域、一主動層、一刻蝕停止層以及一第一源/漏極層與一第二源/漏極層。柵極線區(qū)域沿一第一方向延伸設(shè)置于第一基板上，并具有一第一區(qū)及一第二區(qū)，第一區(qū)具有一第一部分且第二區(qū)具有一第二部分，第一部分與第二部分于一第二方向分別具有一第一寬度及一第二寬度，第一方向與第二方向垂直，第一寬度大于第二寬度。主動層設(shè)置于柵極線區(qū)域上，具有一通道區(qū)，且通道區(qū)設(shè)置于第一部分上?？涛g停止層設(shè)置于主動層上。第一源/漏極層與第二源/漏極層設(shè)置于主動層上，并分別連接主動層，而第一源/漏極層與第二源/漏極層之間的主動層為通道區(qū)。第二基板設(shè)置于第一基板上。顯示介質(zhì)設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0007]在一實(shí)施例中，主動層更具有一非通道區(qū)，第二區(qū)更具有一第一缺口，非通道區(qū)設(shè)置于第一缺口上。
[0008]在一實(shí)施例中，該主動層更具有一非通道區(qū)，非通道區(qū)設(shè)置于第二部分上。
[0009]在一實(shí)施例中，第二區(qū)更具有一第二缺口。
[0010]在一實(shí)施例中，第二寬度介于2?20μπι之間。
[0011]在一實(shí)施例中，第二寬度介于4?15 μ m之間。
[0012]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的另一種顯示面板，包括一第一基板、多個像素、一第二基板以及一顯示介質(zhì)。該些像素設(shè)置于第一基板，該些像素至少其中之一包括一柵極線區(qū)域、一主動層、一刻蝕停止層、一第一源/漏極層、一第二源/漏極層及一第一絕緣層。柵極線區(qū)域沿一第一方向延伸設(shè)置于第一基板上。主動層設(shè)置于柵極線區(qū)域上?？涛g停止層設(shè)置于主動層上，且具有一第一通孔及一第二通孔。第一源/漏極層設(shè)置于主動層上，并位于該第一通孔中連接主動層。第二源/漏極層設(shè)置于主動層上，并位于該第二通孔中連接主動層。第一絕緣層設(shè)置于第一源/漏極層與第二源/漏極層上，并位于第一通孔中。第二基板設(shè)置于第一基板上。顯示介質(zhì)設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0013]在一實(shí)施例中，第一源/漏極層與第二源/漏極層之間的主動層為一通道區(qū)，且主動層更具有一非通道區(qū)，位于第一通孔中的第一絕緣層設(shè)置于非通道區(qū)上。
[0014]在一實(shí)施例中，該些像素至少其中之一更包括一像素電極層，設(shè)置于第一絕緣層上，并位于該第二通孔中。
[0015]在一實(shí)施例中，第一源/漏極層與第二源/漏極層之間的主動層為一通道區(qū)且主動層更具有一非通道區(qū)，位于第二通孔中的像素電極層設(shè)置于非通道區(qū)上。
[0016]在一實(shí)施例中，第一源/漏極層于第一方向具有一第三寬度介于5?8.5 μ m之間。
[0017]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的又一種顯示面板，包括一第一基板、多個像素、一第二基板以及一顯示介質(zhì)。該些像素設(shè)置于第一基板，該些像素至少其中之一包括一柵極線區(qū)域、一主動層、一刻蝕停止層、一第一源/漏極層、一第二源/漏極層、一第一絕緣層及一像素電極層。柵極線區(qū)域沿一第一方向延伸設(shè)置于第一基板上。主動層設(shè)置于柵極線區(qū)域上?？涛g停止層設(shè)置于主動層上，且具有一第一通孔及一第二通孔。第一源/漏極層設(shè)置于主動層上，并位于第一通孔中連接主動層。第二源/漏極層設(shè)置于主動層上，并位于第二通孔中連接主動層。第一絕緣層設(shè)置于第一源/漏極層與第二源/漏極層上。像素電極層設(shè)置于第一絕緣層上，并位于第二通孔中。第二基板設(shè)置于第一基板上。顯示介質(zhì)設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0018]在一實(shí)施例中，第一源/漏極層與第二源/漏極層之間的主動層為一通道區(qū)，且主動層更具有一非通道區(qū)，位于第二通孔中的像素電極層設(shè)置于非通道區(qū)上。
[0019]在一實(shí)施例中，第一絕緣層位于第一通孔中。
[0020]在一實(shí)施例中，第一源/漏極層與第二源/漏極層之間的主動層為一通道區(qū)，且主動層更具有一非通道區(qū)，位于第一通孔中的第一絕緣層設(shè)置于非通道區(qū)上。
[0021]在一實(shí)施例中，第二源/漏極層于第一方向具有一第四寬度介于5?8.5 μ m之間。
[0022]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置，包括如前所述任一實(shí)施例的顯示面板以及一背光模塊。顯不面板配置于背光模塊上。
[0023]綜上所述，本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置，其將柵極線區(qū)域分為第一區(qū)及第二區(qū)，并分別具有第一部分及第二部分，第一部分的第一寬度大于第二部分的第二寬度；或是使第一絕緣層位于刻蝕停止層的第一通孔、或使像素電極層位于刻蝕停止層的第二通孔中，使得柵極線區(qū)域與第一源/漏極層及第二源/漏極層所重疊的面積減少，即本發(fā)明相較于現(xiàn)有面板的柵極與源極、漏極的重疊面積更為減少，進(jìn)而可達(dá)到降低負(fù)載電容的功效，進(jìn)而降低驅(qū)動像素的功耗的功效，以及穩(wěn)定驅(qū)動信號的功效，使顯示面板及顯示裝置不易發(fā)生顯不異常失真的問題。
[0024]另外，第二部分的設(shè)置位置、或第一絕緣層與主動層接觸的位置、或像素電極層與主動層接觸的位置，皆屬非通道區(qū)的區(qū)域，故不影響通道區(qū)電流導(dǎo)通的情形，可維持原有的電流-電壓特性。
【附圖說明】
[0025]圖1A為現(xiàn)有顯示面板的部分上視圖；
[0026]圖1B為圖1A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0027]圖2為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一顯示面板的剖面示意圖；
[0028]圖3A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的部分上視圖；
[0029]圖3B為圖3A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0030]圖4A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的部分上視圖；
[0031]圖4B為圖4A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0032]圖4C為圖4A所示的A' -A1線的剖面示意圖；
[0033]圖5A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的部分上視圖；