r>[0034]圖5B為圖5A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0035]圖6A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的部分上視圖；
[0036]圖6B為圖6A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0037]圖7A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的部分上視圖；
[0038]圖7B為圖7A所示的A-A線的剖面示意圖；
[0039]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的剖面示意圖。
[0040]附圖標(biāo)記
[0041]1、la、lb、lc、Id:第一基板
[0042]2>2a>2b>2c>2d>2/:像素
[0043]21、21a、21b、21c、21d:柵極線區(qū)域
[0044]211、211a:第一部分
[0045]212、212a:第二部分
[0046]213、213a:第一缺口
[0047]214a:第二缺口
[0048]22、22a、22b、22c、22d、AL:主動(dòng)層
[0049]23、23a、23b、23c、23d、ESL:刻蝕停止層
[0050]231b、231c、231d:第一通孔
[0051]232b、232c、232d:第二通孔
[0052]24、24a、24b、24c、24d:第一源 / 漏極層
[0053]25、25a、25b、25c、25d:第二源 / 漏極層
[0054]26、26a、26b、26c、26d:像素電極層
[0055]27、27a、27b、27c、27d:共同電極層
[0056]28、28a、28b、28c、28d:平坦層
[0057]3:第二基板
[0058]4:顯示介質(zhì)
[0059]5:背光模塊
[0060]A-A, A1 -A1:剖面線
[0061]Al:第一方向
[0062]A2:第二方向
[0063]B:區(qū)域
[0064]BPl:第一絕緣層
[0065]BP2:第二絕緣層
[0066]C:通道區(qū)
[0067]D:顯示裝置
[0068]G:柵極
[0069]Gl:第一區(qū)
[0070]G2:第二區(qū)
[0071]G1:柵極絕緣層
[0072]NC ?.非通道區(qū)
[0073]P:顯示面板
[0074]S1:源極
[0075]S2:漏極
[0076]Via:接觸孔
[0077]Wl:第一寬度
[0078]W2:第二寬度
[0079]W3:第三寬度
[0080]W4:第四寬度
【具體實(shí)施方式】
[0081]以下將參照相關(guān)圖式，說(shuō)明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示面板及顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。
[0082]圖2為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一顯示面板的剖面示意圖，請(qǐng)參照?qǐng)D2，本實(shí)施例的顯不面板P包括一第一基板1、多個(gè)像素2、一第二基板3、以及一顯不介質(zhì)4。詳細(xì)而言,第一基板I與第二基板3例如為透明基板(例如玻璃基板或高分子基板)，且第一基板I與第二基板3其中之一上可配置有彩色濾光層(未繪示)。多個(gè)像素2配置于第一基板I上。第二基板3配置于第一基板I上，其中多個(gè)像素2位于第一基板I與第二基板3之間。顯示介質(zhì)4位于第一基板I與第二基板3之間。顯不介質(zhì)4例如為一液晶層、或是一有機(jī)發(fā)光層。
[0083]圖3A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的部分上視圖，請(qǐng)同時(shí)參考圖2及圖3A所示。像素2設(shè)置于第一基板1，且各像素2包括一柵極線區(qū)域21、一主動(dòng)層22、一刻蝕停止層23以及一第一源/漏極層24與一第二源/漏極層25。須先說(shuō)明的是，像素2的各元件的主要構(gòu)成關(guān)系，其中，柵極線區(qū)域21沿一第一方向Al延伸設(shè)置于第一基板I上，并具有一第一區(qū)Gl及一第二區(qū)G2,其中，第一區(qū)Gl具有一第一部分211,且第二區(qū)G2具有一第二部分212。第一部分211與第二部分212于一第二方向A2分別具有一第一寬度Wl及一第二寬度W2,其中，第一方向Al與第二方向A2實(shí)質(zhì)上相互垂直,且第一寬度Wl大于第二寬度W2。換言之，本實(shí)施例是以柵極線區(qū)域21的寬度差異(即第一寬度Wl與第二寬度W2的差異)區(qū)分為第一區(qū)G1、第二區(qū)G2，而于本實(shí)施例中，第一區(qū)Gl實(shí)質(zhì)上為第一部分211，而第二區(qū)G2是由第二部分212及一第一缺口 213所組成。柵極線區(qū)域21是使用金屬材料，故通常又直接被稱為第一金屬層。
[0084]圖3B為圖3A所示的A-A線的剖面示意圖，如圖3B所示,主動(dòng)層22則對(duì)應(yīng)設(shè)置于柵極線區(qū)域21上，并具有一通道區(qū)C，且通道區(qū)C設(shè)置于第一部分211上，而主動(dòng)層22更具有一非通道區(qū)NC，且非通道區(qū)NC設(shè)置于第一缺口 213上。申言之，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25同樣設(shè)置于主動(dòng)層22上，并連接主動(dòng)層22，圖3A所示的B區(qū)域即為第一源/漏極層24與第二源/漏極層25與主動(dòng)層22接觸的范圍。其中，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25之間的主動(dòng)層22區(qū)域?yàn)橥ǖ绤^(qū)C，一般而言，通道區(qū)C是指主動(dòng)層22上電流流通的區(qū)域，故可以為第一源/漏極層24及第二源/漏極層25與主動(dòng)層22接觸的最近距離；而第一源/漏極層24與第二源/漏極層25之外的主動(dòng)層22即為非通道區(qū)NC，而第一缺口 213對(duì)應(yīng)形成于非通道區(qū)NC的位置。
[0085]另請(qǐng)同時(shí)搭配圖3A所示，非通道區(qū)NC (二個(gè)B區(qū)域以外的范圍)設(shè)置于第二部分212及第一缺口 213上。申言之，主動(dòng)層22的部分顯露在第一缺口 213中，當(dāng)然，本發(fā)明不限定其顯露的范圍大小，較佳的，顯露的部分為對(duì)應(yīng)于非屬通道區(qū)NC的部分。其中，第二部分212的第二寬度W2介于2?20 μ m之間，較佳是介于4?15 μ m之間。
[0086]較佳的，柵極線區(qū)域21與主動(dòng)層22之間更具有一柵極絕緣層GI，以避免柵極線區(qū)域21與主動(dòng)層22直接接觸而產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。另外，本實(shí)施例的主動(dòng)層22的材料為氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)材料,可例如但不限于晶型或非晶型的氧化銦鎵鋅(Indium gallium zinc oxide, IGZ0)材料。
[0087]由于本實(shí)施例是以氧化物半導(dǎo)體作為主動(dòng)層22的材料，而為保護(hù)主動(dòng)層22，進(jìn)而設(shè)置刻蝕停止層23于主動(dòng)層22上。詳細(xì)而言，于形成第一源/漏極層24與一第二源/漏極層25工藝中的刻蝕過(guò)程中，刻蝕停止層23是作為刻蝕阻絕的功用，避免前述刻蝕過(guò)程時(shí)主動(dòng)層22受到破壞。另外，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25分別通過(guò)刻蝕停止層23連接主動(dòng)層22。較佳的，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25是部分通過(guò)刻蝕停止層23而與主動(dòng)層22接觸，即圖3A所示的B區(qū)域。而刻蝕停止層23的設(shè)置除可避免主動(dòng)層22受到刻蝕作用的破壞之外，更可用以確定形成第一源/漏極層24與第二源/漏極層25的刻蝕位置，使第一源/漏極層24與第二源/漏極層25可確實(shí)的與主動(dòng)層22接觸，于特定時(shí)點(diǎn)可良好的使電流導(dǎo)通(switch on)。另外，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25與柵極線區(qū)域21同樣是使用金屬材料，故對(duì)應(yīng)于第一金屬層的柵極線區(qū)域21，第一源/漏極層24與第二源/漏極層25通常又直接被稱為第二金屬層。
[0088]另外，像素2更包括一第一絕緣層BP1、一像素電極層26、一共同電極層27、一平坦層28及一第二絕緣層BP2。第一絕緣層BPl設(shè)置于刻蝕停止層23、第一源/漏極層24與第二源/漏極層25上，并且于第一絕緣層BPl對(duì)應(yīng)于第二源/漏極層25的位置形成一接觸孔Via，而像素電極層26通過(guò)接觸孔Via與第二源/漏極層25連接。共同電極層27是對(duì)應(yīng)像素電極層26設(shè)置，而平坦層28設(shè)置于第一絕緣層BPl及共同電極層27之間，第二絕緣層BP2設(shè)置于像素電極層26及共同電極層27之間。
[0089]請(qǐng)同時(shí)參考圖3B所不,于本實(shí)施例中，詳細(xì)而言,第一缺口 213設(shè)置于第一源/漏極層24與第二源/漏極層25之間相對(duì)的位置，并延伸至第一源/漏極層24或第二源/漏極層25的一側(cè)。換言之，第一缺口 213設(shè)置于第一源/漏極24與第二源/漏極25的外側(cè)，并往相鄰另一像素2的第一源/漏極24或第二源/漏極層25延伸。簡(jiǎn)而言之，第一缺口213設(shè)置于相鄰二像素2的第一源/漏