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顯示面板及顯示裝置的制造方法_3

文檔序號:8338677閱讀:來源:國知局
極層24與第二源/漏極層25之間,即設(shè)置于相鄰二通道區(qū)C之間,亦即前述非屬通道區(qū)NC的部分。
[0090]于第一實(shí)施例中,像素2的柵極線區(qū)域21具有第一缺口 213,使得柵極線區(qū)域21與第一源/漏極層24及第二源/漏極層25所重疊的面積減少,即本發(fā)明相較于現(xiàn)有面板(如先前技術(shù)所述、圖1A及圖1B所示)的柵極G與源極S1、漏極S2的重疊面積更為減少,進(jìn)而可達(dá)到降低負(fù)載電容的功效,且應(yīng)用本發(fā)明第一實(shí)施例的像素2的顯示面板P相較于同規(guī)格的現(xiàn)有顯示面板,其功耗(P)可下降約14%。詳細(xì)而言,以7吋、解析度為1200*1920RGB及323 PPI (pixel per inch)規(guī)格的第一實(shí)施例的顯示面板P進(jìn)行測試,可測得每一像素的電容值Cs為25.SfF, Cg為21.1fF,并經(jīng)由上述公式計(jì)算可取得前述規(guī)格的顯示面板,其功耗約為935mW,相較于同規(guī)格現(xiàn)有面板的功耗1088mW,下降約14%。
[0091]另外,于第一實(shí)施例中,柵極線區(qū)域21的第二區(qū)G2僅于第二部分212的單邊形成一第一缺口 213。當(dāng)然,本發(fā)明并無限制第二部分212需設(shè)置柵極線區(qū)域21的邊緣,于其他實(shí)施例中,可先參考圖4A所示,亦可將第二部分212設(shè)置于柵極線區(qū)域21的中間部分,使第二部分212的雙邊皆可形成缺口。
[0092]圖4A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的部分上視圖,圖4B為圖4A所示的A-A線的剖面示意圖,圖4C為圖4A所示的A' -K'線的剖面示意圖,請同時(shí)參考圖4A至圖4C所示。第二實(shí)施例的柵極線區(qū)域21a的第二區(qū)G2可更具有一第二缺口 214a,需先說明的是,第一缺口 213a與第二缺口 214a為實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成,皆為缺口結(jié)構(gòu),為求說明清楚明了,進(jìn)而使用不同的名稱。其中,第一缺口 213a和第二缺口 214a設(shè)置于第二區(qū)G2,使得柵極線區(qū)域21a的第二部分212a被保留。換言之,如圖4A所示,第一缺口 213a和第二缺口 214a皆設(shè)置于第二部分212a的相對兩側(cè)。
[0093]需特別注明的是,本發(fā)明不限定第一缺口 213a與第二缺口 214a的大小,僅需保留第二部分212a使柵極線區(qū)域21a得以連通,以及第一缺口 213a與第二缺口 214a設(shè)置于相鄰二通道區(qū)C之間,及設(shè)置于非通道區(qū)NC上。較佳的,第二實(shí)施例的第二部分212的第二寬度W2同樣介于2?20 μ m之間,且較佳是介于4?15 μ m之間。另外,本發(fā)明亦不限定第一缺口 213a與第二缺口 214a的大小是否需實(shí)質(zhì)相同,換言之,第一缺口 213a與第二缺口 214a的大小亦可不同,故本發(fā)明亦不限定被保留的第二部分212a的位置。
[0094]請同時(shí)參考圖4A及圖4C所示可知,本發(fā)明第二實(shí)施例的像素2a的柵極線區(qū)域21a具有第一缺口 213a及第二缺口 214a,使得柵極線區(qū)域21a與第一源/漏極層24a及第二源/漏極層25a所重疊的面積減少,如前所述,進(jìn)而可達(dá)到降低負(fù)載電容的功效,而應(yīng)用第二實(shí)施例的像素2a的顯示面板P相較于同規(guī)格的現(xiàn)有顯示面板,其功耗(P)可下降約10%。詳細(xì)而言,同樣以7吋、解析度為1200*1920RGB及323PPI (pixel per inch)規(guī)格的第二實(shí)施例的顯示面板P進(jìn)行測試,可測得每一像素的電容值Cs為27.5fF、Cg為22.1fF,并經(jīng)由上述公式計(jì)算可取得前述規(guī)格的顯示面板,其功耗約為978mW,相較于同規(guī)格現(xiàn)有面板的功耗1088mW,下降約10%。另外,第二實(shí)施例的顯示面板P的其他元件及其連結(jié)關(guān)系可參考前述第一實(shí)施例的顯示面板P,于此不加贅述。
[0095]承上,本發(fā)明的第一及第二實(shí)施例皆是于柵極線區(qū)域21 (或21a)形成第一缺口213 (或213a)或第二缺口 214a,且由于第一缺口 213 (或213a)及第二缺口 214a皆是設(shè)置于非屬通道區(qū)NC的區(qū)域,故即便將第一或第二實(shí)施例的顯示面板P應(yīng)用于背光模塊5 (可先參考圖8所示),其背光模塊5的光線亦不會照射至通道區(qū)C,并不影響電流導(dǎo)通的情形。另外,亦可將缺口的結(jié)構(gòu)形成于第一源/漏極層與第二源/漏極層,亦可達(dá)到降低負(fù)載電容,進(jìn)而降低驅(qū)動像素的功耗的功效。
[0096]圖5A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的部分示意圖,圖5B為圖5A所示的A-A線的剖面示意圖,請同時(shí)參考圖5A及圖5B所示。第三實(shí)施例的像素2b同樣包括柵極線區(qū)域21b、一主動層22b、一刻蝕停止層23b、第一源/漏極層24b、一第二源/漏極層25b以及一第一絕緣層BP1。柵極線區(qū)域21b同樣沿一第一方向Al延伸設(shè)置于第一基板Ib上,而主動層22b設(shè)置于柵極線區(qū)域21b上,刻蝕停止層23b、第一源/漏極層24b、一第二源/漏極層25b皆設(shè)置于主動層22b上。其中,刻蝕停止層23b具有一第一通孔231b及一第二通孔232b,而第一源/漏極層24b位于第一通孔231b連接主動層22b,第二源/漏極層25b于第二通孔232b中連接主動層22b。換言之,第一源/漏極層24b及第二源/漏極層25b通過分別穿過第一通孔231b及一第二通孔232b而連接于主動層22b。而第一絕緣層BPl設(shè)置于第一源/漏極層24b與第二源/漏極層25b上,并位于第一通孔231b中接觸主動層22b。
[0097]從實(shí)驗(yàn)得知,由于主動層的非通道區(qū)若是被刻蝕液所侵蝕對于薄膜晶體管的電氣特性并無影響,因此在本實(shí)施例中,第一源/漏極層24b對應(yīng)于非通道區(qū)NC的一側(cè)可被移除,以致于主動層22b對應(yīng)于非通道區(qū)域NC的部分從第一源/漏極層24b被移除部分的邊緣顯露出來,使位于第一通孔231b中的第一絕緣層BPl設(shè)置于非通道區(qū)NC上。較佳的,第一源/漏極層24b于第一方向Al具有一第三寬度W3介于5?8.5 μ m之間,即未被移除的第一源/漏極層24b的一側(cè)的第三寬度W3介于5?8.5 μ m之間。
[0098]另外,本實(shí)施例的像素2b同樣包括像素電極層26b,其設(shè)置于第一絕緣層BPl上,并與第二源/漏極層25b接觸,且像素電極層26b設(shè)置于非通道區(qū)NC上。其他關(guān)于像素2b的主要元件及其連結(jié)關(guān)系可參考前述,于此不加贅述。
[0099]圖6A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的部分示意圖,圖6B為圖6A所示的A-A線的剖面示意圖,請同時(shí)參考圖6A及圖6B所示。第四實(shí)施例的像素2c同樣包括柵極線區(qū)域21c、一主動層22c、一刻蝕停止層23c、第一源/漏極層24c、一第二源/漏極層25c、一第一絕緣層BPl以及一像素電極層26c。柵極線區(qū)域21c、主動層22c、刻蝕停止層23c、第一源/漏極層24c與第二源/漏極層25c的設(shè)置關(guān)系可參考第三實(shí)施例,于此不加贅述。其中,第一絕緣層BPl設(shè)置于第一源/漏極層24c與該第二源/漏極層25c上,而像素電極層26c設(shè)置于第一絕緣層BPl上,并位于第二通孔232c中接觸主動層22c。
[0100]因此,于本實(shí)施例中,第二源/漏極層25c對應(yīng)于非通道區(qū)NC的一側(cè)可被移除,以致于主動層22c對應(yīng)于非通道區(qū)域NC的部分從第二源/漏極層25c被移除部分的邊緣顯露出來,使位于第二通孔232c中的像素電極層26c設(shè)置于非通道區(qū)NC上。較佳的,第二源/漏極層25c于第一方向Al具有一第四寬度W4介于5?8.5 μ m之間,即未被移除的第二源/漏極層25c的一側(cè)的第四寬度W4介于5?8.5 μ m之間。
[0101]圖7A為圖2所示的像素與第一基板依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的部分示意圖,圖7B為圖7A所示的A-A線的剖面示意圖,請同時(shí)參考圖6A及圖6B所示。第五實(shí)施例是組合第三及第四實(shí)施例,申言之,第一絕緣層BPl位于第一通孔231d中接觸主動層22d,以及像素電極層26d位于第二通孔232d中接觸主動層22d。換言之,第一源/漏極層24d與第二源/漏極層25d于非通道區(qū)NC的一側(cè)皆被移除,進(jìn)而使主動層22d于非通道區(qū)NC從第一源/漏極層24d與第二源/漏極層25d被移除的邊緣顯露出來。
[0102]應(yīng)用本發(fā)明第三至五實(shí)施例的像素2b (2c,2d)的顯示面板P,其第一源/漏極層24b (24c、24d)與第二源/漏極層25b (25c、25d)的其中之一對應(yīng)于非通道區(qū)NC的一側(cè)被移除,同樣可使第一源/漏極層24b (24c、24d)及第二源/漏極層25b (25c、25d)與柵極線區(qū)域21b (21c、21d)所重疊的面積減少,如前所述,進(jìn)而可達(dá)到降低負(fù)載電容的功效,而第五實(shí)施例的顯示面板P相較于同規(guī)格的現(xiàn)有顯示面板,其功耗(P)可下降約21%。詳細(xì)而言,同樣以7吋、
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