一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示裝 置。
【背景技術】
[0002] 目前液晶顯示面板主要包括：陣列基板，彩膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板 之間的液晶層；參見圖IA和圖1B，其中圖IB為沿圖IA中虛線A1-A2方向的剖面圖，該陣列 基板包括：基底101，位于基底上方的柵極102,位于所述柵極上方的柵絕緣層103,位于所 述柵絕緣層103上方的有源層104,位于所述有源層104上方的信號線層105 (包括同層設 置的源極和漏極），位于所述信號線層105上方的絕緣層106,以及位于所述絕緣層106上 方的、且通過貫穿絕緣層106的過孔107與所述漏極電連接的像素電極108。制作所述液晶 顯示面板的主要步驟包括：制作陣列基板和彩膜基板，以及對陣列基板和彩膜基板進行對 盒工藝；在對盒工藝中，首先分別對所述陣列基板和彩膜基板進行配向膜印刷以及光配向 處理，然后在陣列基板和彩膜基板之間注入液晶，并使用封框膠進行密封，最后切割成單個 面板并通過在該單個面板的上下兩側(cè)貼敷偏振方向相互垂直的偏光片以形成液晶顯示面 板，其中，所述設置在彩膜基板上方的偏光片叫做上偏光片（CFPOL)，所述設置在陣列基 板下方的偏光片叫做下偏光片（TFTPOL)。
[0003] 但是，由于偏光片只允許振動方向與其透射軸方向平行的光通過，因此，背光源在 通過所述下偏光片后會有50 %的損失，使液晶顯示器的亮度降低。并且，由于偏光片制作工 藝上的要求，目前廠商能提供超大尺寸TV產(chǎn)品所需要的上偏光片，但卻難以滿足下偏光片 (TFTPOL)在尺寸上的需求，需要通過拼接方式才能實現(xiàn)下偏光片的制作。但是，由于偏光 片裁切和貼附精度的限制，下偏光片不能實現(xiàn)完美的拼接，在通過拼接形成的下偏光片上 存在縫隙201，如圖2所示，因此，不可避免的會在拼接處出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，導致液晶顯示器顯 示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術 中因下偏光片所導致的顯示器亮度降低以及由于在下偏光片上存在縫隙而導致漏光的問 題。
[0005] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括第一襯底基板、在所述第 一襯底基板上交叉布置的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像 素單元，所述像素單元內(nèi)設置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣 層、有源層、源極和漏極；所述陣列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納米 棒材料層。
[0006] 本發(fā)明實施例中，由于陣列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納 米棒材料層，因為納米棒結(jié)構具有方向性，能夠進行線偏振發(fā)射，因此納米棒材料層可將經(jīng) 過該層的光幾乎全部轉(zhuǎn)化為偏振光，可避免因采用偏振片而造成的光損失，提高光的利用 率，以實現(xiàn)具有高亮度、高色域的陣列基板；并且，由于該層中不存在縫隙，可有效解決因下 偏光片中存在縫隙所導致的漏光問題，提高顯示面板的對比度。
[0007] 較佳的，所述納米棒材料層設置在所述第一襯底基板的面向或背向所述薄膜晶體 管的一側(cè)。
[0008] 由于所述第一襯底基板表面比較平整，有利于納米棒材料在其上方生長以形成性 能較好納米棒材料層。
[0009] 較佳的，所述陣列基板還包括設置在所述納米棒材料層的背向第一襯底基板的一 側(cè)的保護層。
[0010] 通過在所述納米棒材料層的背向第一襯底基板的一側(cè)設置的保護層，可有效保護 所述納米棒材料層在后續(xù)的制作工藝中免受損壞。
[0011] 較佳的，所述陣列基板還包括設置在所述納米棒材料層下方的量子點層。
[0012] 當背光源為藍光背光源時，可通過該量子點層將所述藍光背光源發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)化 為白光，為顯示面板提供白光光源。
[0013] 較佳的，所述納米棒材料層采用氧化鋅納米棒材料。
[0014] 由于氧化鋅為寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度為3. 37eV，激子結(jié)合能高達 600meV，具有優(yōu)異的光學和電學特性，因此采用氧化鋅納米棒材料制作所述納米棒材料層 可以提高光的利用率；此外，氧化鋅材料來源豐富，價格低廉，有利于降低生產(chǎn)成本。此外， 所述納米棒材料層還可以采用二氧化鈦等其它寬禁帶半導體材料。
[0015] 較佳的，所述納米棒材料層的厚度為20~40ym。
[0016] 現(xiàn)在制作工藝中，通常采用脈沖激光沉積或氣相沉積來制作所述氧化鋅納米層 或二氧化鈦納米層，通過控制溫度、時間和壓強制作出納米棒長度為0.5~3ym、直徑為 50~IOOnm的具有方向性的棒狀氧化鋅納米棒層，鑒于該納米棒的大小，將該層厚度設置 在20~40ym內(nèi)，既能保證通過該層的光充分轉(zhuǎn)化為偏振光，還不會因該層厚度太厚而影 響光的透過率。
[0017] 較佳的，所述納米棒材料層至少覆蓋所述陣列基板的顯示區(qū)域。
[0018] 當所述納米棒材料層覆蓋所述陣列基板的顯示區(qū)域時，有利于提高顯示區(qū)域的光 的透過率和利用率，提高顯示區(qū)域的亮度。此外，所述納米棒材料層還可以同時覆蓋陣列基 板的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
[0019] 較佳的，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設置在所述薄膜晶體管所在層 的上方。
[0020] 通過在所述薄膜晶體管所在層的上方設置覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層，可有效 保護薄膜晶體管在后續(xù)的工藝中免受損壞，保證薄膜晶體管具有良好的電學特性。
[0021] 本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0022] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：
[0023] 在第一襯底基板上形成包括納米棒材料層的圖形，所述納米棒材料層用于將背光 源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光；
[0024] 在所述包括納米棒材料層的圖形的基板上形成包括薄膜晶體管和像素電極的圖 形。
[0025]通過本發(fā)明實施例提供的方法制作的陣列基板，包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化 為偏振光的納米棒材料層，因為納米棒結(jié)構具有方向性，能夠進行線偏振發(fā)射，因此納米棒 材料層可將經(jīng)過該層的光幾乎全部轉(zhuǎn)化為偏振光，可避免因采用偏振片而造成的光損失， 提高光的利用率，以實現(xiàn)具有高亮度、高色域的陣列基板；并且，由于該層中不存在縫隙，可 有效解決因下偏光片中存在縫隙所導致的漏光問題，提高顯示面板的對比度。
[0026]較佳的，當所述納米棒材料層設置在所述第一襯底基板的面向所述薄膜晶體管的 一側(cè)時，所述方法還包括：
[0027]在形成包括納米棒材料層的圖形之前，在所述第一襯底基板的面向薄膜晶體管的 一側(cè)形成包括量子點層的圖形；以及，
[0028]在所述包括納米棒材料層圖形的基板的上方形成保護層。
[0029]當背光源為藍光背光源時，可通過該量子點層將所述藍光背光源發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)化 為白光，為顯示面板提供白光光源；由于包含量子點層的基板比較平整，有利于納米棒材料 在其上方生長以形成性能較好納米棒材料層；此外，通過在所述包括納米棒材料層圖形的 基板的上方形成保護層，可有效保護所述納米棒材料層在后續(xù)的制作工藝中免受損壞。
[0030] 較佳的，當所述納米棒材料層設置在所述第一襯底基板的背向所述薄膜晶體管的 一側(cè)時，所述方法還包括：
[0031] 在所述納米棒材料層的下方形成包括量子點層的圖形；
[0032]在所述量子點層的下方形成保護層。
[0033] 由于所述第一襯底基板表面比較平整，有利于納米棒材料在其上方生長以形成性 能較好納米棒材料層；且當背光源為藍光背光源時，可通過該量子點層將所述藍光背光源 發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)化為白光，為顯示面板提供白光光源；此外，通過在所述包括納米棒材料層 圖形的基板的上方形成保護層，可有效保護所述納米棒材料層在后續(xù)的制作工藝中免受損 壞。
[0034] 較佳的，采用氧化鋅納米棒材料制作所述納米棒材料層。
[0035] 由于氧化鋅為寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度為3. 37eV，激子結(jié)合能高達 600meV，具有優(yōu)異的光學和電學特性，因此采用氧化鋅納米棒材料制作所述納米棒材料層 可以提高光的利用率；此外，氧化鋅材料來源豐富，價格低廉，有利于降低生產(chǎn)成本。此外， 所述納米棒材料層還可以采用二氧化鈦等其它寬禁帶半導體材料。
[0036]較佳的，所述納米棒材料層的厚度為20~40ym。
[0037] 現(xiàn)在制作工藝中，通常采用脈沖激光沉積或氣相沉積來制作所述氧化鋅納米層， 通過控制溫度、時間和壓強制作出納米棒長度為0. 5~3ym、直徑為50~IOOnm的具有方 向性的棒狀氧化鋅納米棒層，鑒于該納米棒的大小，將該層厚度設置在20~40ym內(nèi)，既能 保證通過該層的光充分轉(zhuǎn)化為偏振光，還不會因該層厚度太厚而影響光的透過率。
[0038]較佳的，所述納米棒材料層至少覆蓋所述陣列基板的顯示區(qū)域。
[0039]當所述納米棒材料層覆蓋所述陣列基板