>[0087] 以本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板為例，參見圖11 ;本發(fā)明實(shí)施例七給出了其制 作方法，包括：
[0088] 步驟1101，在所述第一襯底基板的上方形成包括量子點(diǎn)層的圖形。
[0089] 步驟1102,在所述包括量子點(diǎn)層的圖形的基板的上形包括納米棒材料層的圖形。
[0090] 步驟1103,在所述包括納米棒材料層的圖形的基板的上形成保護(hù)層。
[0091] 步驟1104,在所述保護(hù)層的上方形成包括薄膜晶體管的圖形。其中，所述形成包括 晶體管的圖形，具體包括：
[0092] 一、在保護(hù)層的上方形成包括柵極的圖形，具體包括：首先在襯底基板上 (可為透明玻璃基板或者石英基板），采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積厚度約為 2000A~ 5000A的金屬膜層和光刻膠。通過一次曝光顯影、刻蝕和剝離工藝形成柵極。所 述金屬膜層可以為鎘Cr、鶴W、鈦Ti、銘Ta和鉬Mo等金屬膜層或上述金屬中的至少兩種構(gòu) 成的合金，可以是單層金屬膜層也可以是多層金屬膜層；
[0093] 二、在所述包括柵極的圖形的基板上形成包括柵絕緣層的圖形。具體包括：在包括 柵極的圖形的基板上連續(xù)沉積厚度為2000A~ 5000A的絕緣材料層，該絕緣層為柵絕緣 層；該柵絕緣層采用氧化硅或氮化硅等絕緣材料；
[0094] 三、在所述包括柵絕緣層的圖形的基板上形成包括有源層的圖形。具體包括：在 包括柵絕緣層的圖形的基板上沉積非晶硅材料，并利用有源層掩膜板形成包括有源層的圖 形。
[0095] 四、在所述包括有源層的圖形的基板上形成包括源極和漏極的圖形。具體包括：采 用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積一金屬膜層和光刻膠。通過一次曝光顯影、刻蝕和剝離工 藝形成信號(hào)線層；所述金屬膜層可以為鎘Cr、鎢W、鈦Ti、鉈Ta和鉬Mo等金屬膜層或上述 金屬中的至少兩種構(gòu)成的合金，可以是單層金屬膜層也可以是多層金屬膜層。
[0096] 五，在所述包括源極和漏極的圖形的基板上形成包括鈍化層的圖形。具體包括：通 過PECVD方法連續(xù)沉積厚度為1000A~ 3000A的絕緣材料層和光刻膠層，并通過一次曝 光、顯影、刻蝕和剝離等工藝形成貫穿該鈍化層、用于使得信號(hào)線層中的漏極與像素電極實(shí) 現(xiàn)電連接的過孔；該絕緣層采用氧化硅或氮化硅等絕緣材料形成。
[0097] 步驟1105,在所述包括薄膜晶體管的圖形的基板上形成像素電極，具體包括：通 過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為300人~ 1500A的透明導(dǎo)電層膜層和光刻膠層。 通過一次曝光、顯影、以及刻蝕和剝離等工藝后形成像素電極。所述像素電極可以是ITO或 者IZ0,或者其他的透明金屬氧化物。
[0098] 以本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板為例，參見圖12,本發(fā)明實(shí)施例八給出了其制 作方法，包括：
[0099] 步驟1201，在所述第一襯底基板的下方，即第一襯底基板背向薄膜晶體管的一側(cè) 形成包括納米棒材料層的圖形。
[0100] 步驟1202,在所述包括納米棒材料層的圖形的基板的下方形成包括量子點(diǎn)層的圖 形。
[0101] 步驟1203,在所述包括量子點(diǎn)層的圖形的基板的下方形成保護(hù)層。
[0102] 步驟1204,在所述第一襯底基板的上方形成包括薄膜晶體管的圖形，包括形成柵 極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層的步驟，具體工藝過程此處不再贅述。
[0103] 步驟1205,在所述包括薄膜晶體管的圖形的基板上形成包括像素電極的圖形。
[0104] 以本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板為例，參見圖13,本發(fā)明實(shí)施例九給出了一種 制作陣列基板的方法，包括：
[0105] 步驟1301，在所述第一襯底基板上形成包括薄膜晶體的圖形。
[0106] 步驟1302,在所述包括薄膜晶體的圖形的基板上形成包括像素電極的圖形。
[0107] 步驟1303,在所述第二襯底基板上形成包括量子點(diǎn)層的圖形。
[0108] 步驟1304,在所述包括量子點(diǎn)層的圖形的基板上形成包括納米棒材料層的圖形。
[0109] 步驟1305,在所述包括納米棒材料層的圖形的基板上形成包括保護(hù)層的圖形。
[0110] 步驟1306,將所述包括保護(hù)層的圖形基板貼敷在所述第一襯底基板的下方。
[0111] 需指出的是，本發(fā)明實(shí)施例八和九提供的陣列基板的制作方法中，形成薄膜晶體 管和像素電極的步驟可先于形成納米棒材料層、量子點(diǎn)層和保護(hù)層的步驟。
[0112]綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置；其中，所述陣 列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納米棒材料層，因?yàn)榧{米棒結(jié)構(gòu)具有 方向性，能夠進(jìn)行線偏振發(fā)射，因此納米棒材料層可將經(jīng)過該層的光幾乎全部轉(zhuǎn)化為偏振 光，可避免因采用偏振片而造成的光損失，提高光的利用率，以實(shí)現(xiàn)具有高亮度、高色域的 陣列基板；并且，由于該層中不存在縫隙，可有效解決因下偏光片中存在縫隙所導(dǎo)致的漏光 問題，提高顯示面板的對(duì)比度。
[0113] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板，所述陣列基板包括第一襯底基板、在所述第一襯底基板上交叉布置 的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元 內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏 極，其特征在于，所述陣列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納米棒材料 層。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米棒材料層設(shè)置在所述第一襯 底基板的面向或背向所述薄膜晶體管的一側(cè)。
3. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述納米 棒材料層的背向第一襯底基板的一側(cè)的保護(hù)層。
4. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述納米 棒材料層下方的量子點(diǎn)層。
5. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米棒材料層采用氧化鋅納米棒 材料或二氧化鈦納米棒材料。
6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述納米棒材料層的厚度為20~ 40ym〇
7. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米棒材料層至少覆蓋所述陣列 基板的顯示區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化 層設(shè)置在所述薄膜晶體管所在層的上方。
9. 一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1~8任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列 基板。
10. -種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一襯底基板上形成包括納米棒材料層的圖形，所述納米棒材料層用于將背光源發(fā) 出的光轉(zhuǎn)化為偏振光； 在所述包括納米棒材料層的圖形的基板上形成包括薄膜晶體管和像素電極的圖形。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述納米棒材料層設(shè)置在所述第一襯 底基板的面向所述薄膜晶體管的一側(cè)時(shí)，所述方法還包括： 在形成包括納米棒材料層的圖形之前，在所述第一襯底基板的面向薄膜晶體管的一側(cè) 形成包括量子點(diǎn)層的圖形；以及， 在所述包括納米棒材料層圖形的基板的上方形成保護(hù)層。
12. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述納米棒材料層設(shè)置在所述第一襯 底基板的背向所述薄膜晶體管的一側(cè)時(shí)，所述方法還包括： 在所述納米棒材料層的下方形成包括量子點(diǎn)層的圖形； 在所述量子點(diǎn)層的下方形成保護(hù)層。
13. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，采用氧化鋅納米棒材料或二氧化鈦納米 棒材料制作所述納米棒材料層。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述納米棒材料層的厚度為20~40ym。
15. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述納米棒材料層至少覆蓋所述陣列基 板的顯示區(qū)域。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中因下偏光片所導(dǎo)致的顯示器亮度降低以及由于在下偏光片上存在縫隙而導(dǎo)致漏光的問題。其中，所述陣列基板包括第一襯底基板、在所述第一襯底基板上交叉布置的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極；所述陣列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納米棒材料層。
【IPC分類】G02F1-1368, G02F1-1362
【公開號(hào)】CN104793418
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510220036
【發(fā)明人】龍君, 安喜君, 王彤
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年4月30日