的顯示區(qū)域時，有利于提高顯示區(qū)域的光 的透過率和利用率，提高顯示區(qū)域的亮度。此外，所述納米棒材料層還可以同時覆蓋陣列基 板的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
【附圖說明】
[0040] 圖IA為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖IB為沿圖IA中虛線A1-A2方向的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖2現(xiàn)有技術(shù)中通過拼接方式形成的偏光片的平面示意圖；
[0043]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖4為沿圖3中虛線B1-B2方向的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045] 圖5為包括量子點(diǎn)層的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046] 圖6為包括保護(hù)層的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖9為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050] 圖10為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0051] 圖11為本發(fā)明實(shí)施例七提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0052] 圖12為本發(fā)明實(shí)施例八提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0053] 圖13為本發(fā)明實(shí)施例九提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù) 中因下偏光片所導(dǎo)致的顯示器亮度降低以及由于在下偏光片上存在縫隙而導(dǎo)致漏光的問 題。
[0055] 本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種陣列基板，參見圖3和圖4;所述陣列基板包括：第一 襯底基板301、在所述第一襯底基板301上交叉布置的柵線302、數(shù)據(jù)線303以及由所述柵 線302和數(shù)據(jù)線303劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管 304和像素電極108,所述薄膜晶體管包括柵極102、柵絕緣層03、有源層104、源極309和漏 極310;所述陣列基板還包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光的納米棒材料層311。
[0056] 其中，所述納米棒材料層311設(shè)置在所述第一襯底基板301的面向所述薄膜晶體 管的一側(cè)。由于第一襯底基板301-般選用玻璃基板或石英基板等平整性較好的基底，當(dāng) 所述第一襯底基板表面比較平整時，有利于納米棒材料在其上方生長以形成性能較好納米 棒材料層。需指出的是，該納米棒材料層還可以設(shè)置在陣列基板的其它層上，并不會影響其 偏振作用。
[0057] 進(jìn)一步的，所述納米棒材料層采用氧化鋅納米棒材料或二氧化鈦納米棒材料。
[0058] 由于氧化鋅為寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為3. 37eV，激子結(jié)合能高達(dá) 600meV，具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性，因此采用氧化鋅納米棒材料制作所述納米棒材料層 可以提高光的利用率；此外，氧化鋅材料來源豐富，價格低廉，有利于降低生產(chǎn)成本。此外， 所述納米棒材料層還可以采用二氧化鈦等其它寬禁帶半導(dǎo)體材料。
[0059] 進(jìn)一步的，所述納米棒材料層的厚度為20~40ym。
[0060] 現(xiàn)在制作工藝中，通常采用脈沖激光沉積或氣相沉積來制作所述氧化鋅納米層， 通過控制溫度、時間和壓強(qiáng)制作出納米棒長度為0. 5~3ym、直徑為50~IOOnm的具有方 向性的棒狀氧化鋅納米棒層，鑒于該納米棒的大小，將該層厚度設(shè)置在20~40ym內(nèi)，既能 保證通過該層的光充分轉(zhuǎn)化為偏振光，還不會因該層厚度太厚而影響光的透過率。
[0061] 進(jìn)一步的，所述納米棒材料層311至少覆蓋所述陣列基板的顯示區(qū)域。
[0062] 當(dāng)所述納米棒材料層覆蓋所述陣列基板的顯示區(qū)域時，有利于提高顯示區(qū)域的光 的透過率和利用率，提高顯示區(qū)域的亮度。此外，所述納米棒材料層還可以同時覆蓋陣列基 板的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
[0063] 進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括鈍化層312,所述鈍化層設(shè)置在所述薄膜晶體管所 在層的上方。
[0064] 通過在所述薄膜晶體管所在層的上方設(shè)置覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層，可有效 保護(hù)薄膜晶體管在后續(xù)的工藝中免受損壞，保證薄膜晶體管具有良好的電學(xué)特性。
[0065] 進(jìn)一步的，參見圖5,所述陣列基板還包括設(shè)置在所述納米棒材料層下方的量子點(diǎn) 層313,所述量子點(diǎn)層為不同尺寸的量子點(diǎn)復(fù)合層。由于量子局域效應(yīng)，單一種類的量子點(diǎn) 材料就能夠通過改變尺寸產(chǎn)生不同顏色的單色光，因此，本發(fā)明中量子點(diǎn)層在收到背光源 照射后，將背光源的發(fā)出藍(lán)光轉(zhuǎn)化為白光提供給顯示面板。
[0066] 進(jìn)一步的，參見圖6,所述陣列基板還包括設(shè)置在所述納米棒材料層的背向第一襯 底基板的一側(cè)的保護(hù)層314。
[0067] 通過在所述納米棒材料層的背向第一襯底基板的一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，可有效保護(hù)所 述納米棒材料層在后續(xù)的制作工藝中免受損壞。所述保護(hù)層可采用氧化硅或氮化硅等絕緣 透明材料。
[0068] 本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種陣列基板，參見圖7;與本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列 基板相比，本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板中，納米棒材料層311位于所述第一襯底基板 的下方，即納米棒材料層311設(shè)置在第一襯底基板301的背向薄膜晶體管的一側(cè)。
[0069] 進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括位于所述納米棒材料層311下方的量子點(diǎn)層313， 其作用此處不再贅述。
[0070] 進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括位于所述量子點(diǎn)層313下方的保護(hù)層314,用于保 護(hù)所述量子點(diǎn)層在后續(xù)的工藝中免受損壞。
[0071]由于現(xiàn)在工藝的限制，使得在所述第一襯底基板上制作量子點(diǎn)層時操作起來比較 困難，因此，可先在空白的基板上制作所述量子點(diǎn)層，然后將包括所述量子點(diǎn)層的基板貼敷 第一襯底基板的下方。
[0072] 本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種陣列基板，參見圖8;與本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列 基板相比，本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板中，所述量子點(diǎn)層形成在第二襯底基板315上， 并通過貼敷的方式放置在第一襯底基板301的下方。
[0073] 本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種陣列基板，參見圖9 ;與本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列 基板相比，本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板中，所述納米棒材料層311、量子點(diǎn)層313和保 護(hù)層314均形成在第二襯底基板315上，并通過貼敷的方式放置在第一襯底基板的下方；其 中，所述量子點(diǎn)層313位于所述第二襯底基板315上方，所述納米棒材料層311位于所述量 子點(diǎn)層313的上方，所述保護(hù)層314位于所述納米棒材料層311的上方。
[0074] 需指出的是，所述納米棒材料層可以設(shè)置在陣列基板的任一層，譬如，還可以設(shè)置 在像素電極的上方，或者與源極和漏極同層設(shè)置。上述各實(shí)施例僅為較佳的實(shí)施例而已，并 非用來限定本發(fā)明實(shí)施例的范圍，凡依照本專利申請范圍所述的形狀、結(jié)構(gòu)、特征及原理等 的變化和修飾，均屬于本專利的申請保護(hù)范圍。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例五提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。所述 顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電 腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例六提供了一種陣列基板的制作方法，參見圖10 ;所述方法包括：
[0077] 步驟1001，在第一襯底基板上形成包括納米棒材料層的圖形，所述納米棒材料層 用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化為偏振光；
[0078] 步驟1002,在所述包括納米棒材料層的圖形的基板上形成包括薄膜晶體管和像素 電極的圖形。
[0079]通過本發(fā)明實(shí)施例六提供的方法制作的陣列基板，包括用于將背光源發(fā)出的光轉(zhuǎn) 化為偏振光的納米棒材料層，因為納米棒結(jié)構(gòu)具有方向性，能夠進(jìn)行線偏振發(fā)射，因此納米 棒材料層可將經(jīng)過該層的光幾乎全部轉(zhuǎn)化為偏振光，可避免因采用偏振片而造成的光損 失，提高光的利用率，以實(shí)現(xiàn)具有高亮度、高色域的陣列基板；并且，由于該層中不存在縫 隙，可有效解決因下偏光片中存在縫隙所導(dǎo)致的漏光問題，提高顯示面板的對比度。
[0080] 由于所述納米棒材料層可設(shè)置在所述第一襯底基板的上方，亦可設(shè)置在所述第一 襯底基板的下方，但是對應(yīng)的制作方法是不同的。
[0081] 進(jìn)一步的，當(dāng)所述納米棒材料層設(shè)置在所述第一襯底基板的面向所述薄膜晶體管 的一側(cè)時，所述方法還包括：
[0082] 在形成包括納米棒材料層的圖形之前，在所述第一襯底基板的面向薄膜晶體管的 一側(cè)形成包括量子點(diǎn)層的圖形；以及，
[0083] 在所述包括納米棒材料層圖形的基板的上方形成保護(hù)層。
[0084] 進(jìn)一步的，當(dāng)所述納米棒材料層設(shè)置在所述第一襯底基板的背向所述薄膜晶體管 的一側(cè)時，所述方法還包括：
[0085]在所述納米棒材料層的下方形成包括量子點(diǎn)層的圖形；
[0086] 在所述量子點(diǎn)層的下方形成保護(hù)層。