著多個(gè)像素單元的列方向延伸(與數(shù)據(jù)信號線平行)的多條公共電極線。由于沿著多個(gè)像素單元的行方向延伸(與掃描信號線平行)的公共電極線的去除，從而開口率大大提升。并且，公共電極線102與數(shù)據(jù)信號線105同層設(shè)置。公共電極線102與數(shù)據(jù)信號線105可采用同一構(gòu)圖工藝形成，可以節(jié)省工藝步驟。
[0106]實(shí)施例2
[0107]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1a和圖5a所示，包括襯底基板100、設(shè)置在襯底基板100上的沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個(gè)像素單元101以及沿著列方向延伸的多條公共電極線102。相鄰兩行像素單元101之間具有兩條掃描信號線103，以第2N+1列和第2N+2列像素單元101為一個(gè)像素單元組104，其中，N選自大于等于零的整數(shù)。
[0108]同一像素單元組中的同行(屬于同一行)的兩個(gè)像素單元101連接到不同的掃描信號線103，例如，連接到不同行的掃描信號線103，掃描信號線103沿行方向延伸。
[0109]每個(gè)像素單元組104的兩列像素單元101之間具有一條數(shù)據(jù)信號線105，且每個(gè)像素單元組104共用位于該兩列像素單元101之間的數(shù)據(jù)信號線105，數(shù)據(jù)信號線105沿列方向延伸。
[0110]如圖5a所示，各公共電極線102位于相鄰兩個(gè)像素單元組104之間。公共電極線102包括多個(gè)公共電極線主體部分1020和多條連接線1120。如圖5a以及圖5b所示，各公共電極線主體部分1020與掃描信號線109同層設(shè)置，并在相鄰兩行像素單元之間的兩條掃描信號線處斷開。該陣列基板還包括像素電極層121，像素電極層121包括位于每個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極112和多條連接線1120，各連接線1120經(jīng)過孔108連接在掃描信號線103處斷開的各公共電極線102。從而，在列方向上，相鄰兩條公共電極線主體部分1020之間通過一條連接線1120連接，構(gòu)成列方向上延伸的公共電極線102。圖5a中沿C-C’向的剖視圖如圖5b所示。
[0111]例如，該陣列基板沿B-B’向的剖視圖可如圖5c所示，圖5c為超維場轉(zhuǎn)換(Advanced-Super Dimens1nal Switching，ADS)模式的陣列基板，在襯底基板100上設(shè)置公共電極106，在公共電極106上設(shè)置沿列方向延伸的多個(gè)公共電極線主體部分1020，在行方向上相鄰的兩個(gè)公共電極的間隙處設(shè)置柵極109以及掃描信號線103(圖中未示出，可參見圖5a、圖6d)。公共電極線主體部分1020以及柵極109以及掃描信號線103同層設(shè)置。在柵極109、掃描信號線103、公共電極線主體部分1020以及公共電極106之上設(shè)置柵極絕緣層110。在柵極絕緣層110之上設(shè)置有源層111。在有源層111所在的層之上設(shè)置源極114、漏極115和數(shù)據(jù)信號線105 (亦可參見圖5a)。源極114和漏極115彼此間隔地設(shè)置在有源層111上，并均與有源層111相連，源極114和漏極115之間的間隔界定溝道區(qū)。源極114、漏極115和數(shù)據(jù)信號線105之上設(shè)置第一絕緣層107。在第一絕緣層107中設(shè)置絕緣層過孔118，在第一絕緣層107上設(shè)置像素電極層121，像素電極層121包括多個(gè)像素電極112和多條連接線1120。像素電極112通過絕緣層過孔與漏極115電連接。在列方向上，相鄰兩條公共電極線主體部分1020之間通過一條連接線1120連接，構(gòu)成列方向上延伸的公共電極線102。
[0112]例如，該陣列基板沿A-A’向的剖視圖可如圖5d所示，公共電極106設(shè)置在襯底基板100上，公共電極上設(shè)置公共電極線主體部分1020，公共電極線主體部分1020和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的公共電極106電連接。例如，每個(gè)公共電極線主體部分1020的全部均和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的公共電極106電連接，或者，亦可每個(gè)公共電極線主體部分1020的一部分均和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的公共電極106電連接。亦可參見圖5a0
[0113]例如，本實(shí)施例還給出制作上述陣列基板的一種方法，該方法可包括如下步驟。
[0114](I)在襯底基板100上形成公共電極106的圖形，如圖6a所示；
[0115](2)在行方向上相鄰的兩個(gè)公共電極的間隙處形成柵極109以及掃描信號線103，掃描信號線103沿行方向延伸，在公共電極106的圖形上形成公共電極線主體部分1020，公共電極線主體部分1020位于公共電極106上且位于兩條掃描信號線103之間，如圖6b所示。公共電極線主體部分1020在相鄰兩行像素單元之間的所述兩條掃描信號線處斷開。
[0116](3)在柵極109、掃描信號線103、公共電極線主體部分1020以及公共電極106所在的層之上形成柵極絕緣層110。
[0117](4)在柵極絕緣層110之上形成有源層111的圖形。在有源層111之上形成源極114、漏極115和數(shù)據(jù)信號線105的圖形，如圖6c所示。有關(guān)薄膜晶體管以及其包括的有源層111、源極114和漏極115亦可參照圖5a。源極114和漏極115彼此間隔地設(shè)置在有源層111上，并均與有源層111相連，源極114和漏極115之間的間隔界定溝道區(qū)。
[0118](5)在源極114、漏極115和數(shù)據(jù)信號線105所在的層之上形成第一絕緣層107。在第一絕緣層107中形成絕緣層過孔118，在柵極絕緣層110以及在第一絕緣層107中形成絕緣層過孔108，如圖6d所示，亦可參見圖5c。
[0119](6)在第一絕緣層107上形成像素電極層121，像素電極層121包括像素電極112和連接線1120。像素電極112通過絕緣層過孔118與漏極115電連接。連接線1120通過絕緣層過孔108與公共電極線主體部分1020電連接。在列方向上，相鄰兩個(gè)公共電極線主體部分1020之間通過一條連接線1120連接，構(gòu)成列方向上延伸的公共電極線102。形成的陣列基板可如圖6f所示。亦可如圖5a所示。
[0120]例如，上述本實(shí)施例的一個(gè)示例中，陣列基板的工藝流程可簡述如下:公共電極層—柵極層一柵極絕緣層一有源層一源漏極層一絕緣層一像素電極層。
[0121]需要說明的是，陣列基板的結(jié)構(gòu)不限于圖5a-圖5d以及圖6f所示的情況。亦可采用其他結(jié)構(gòu)的陣列基板。只要滿足各公共電極線主體部分與掃描信號線同層設(shè)置，并在相鄰兩行像素單元之間的兩條掃描信號線處斷開。像素電極層包括位于每個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極和多條連接線，各連接線經(jīng)過孔連接在掃描信號線處斷開的各公共電極線主體部分”即可。
[0122]例如，如圖5a所示，掃描信號線103與連接線1120位于不同的層，且在與連接線重疊的位置處1031收窄(變窄，窄化)。在掃描信號線103與連接線重疊的位置處窄化掃描信號線，可降低上下過孔間的距離，降低連接線的跨接距離，降低連接線的電阻，從而可降低沿?cái)?shù)據(jù)信號線方向(豎向，列方向)延伸的公共電極的電阻。同時(shí)，可從一定程度上提高像素開口率。
[0123]本實(shí)施例中，將沿著多個(gè)像素單元的行方向延伸(與掃描信號線平行)的公共電極線去除，只保留沿著多個(gè)像素單元的列方向延伸(與數(shù)據(jù)信號線平行)的多條公共電極線。由于沿著多個(gè)像素單元的行方向延伸(與掃描信號線平行)的公共電極線的去除，從而開口率大大提升。并且，公共電極線主體部分與掃描信號線同層設(shè)置。公共電極線主體部分可與掃描信號線采用同一構(gòu)圖工藝形成，連接在數(shù)據(jù)線方向上相鄰兩個(gè)公共電極線主體部分的連接線可與像素電極層同層設(shè)置，與像素電極采用同一構(gòu)圖工藝形成，可以節(jié)省工藝步驟。
[0124]實(shí)施例3
[0125]本實(shí)施例提供一種顯示面板，可包括上述任一實(shí)施例的陣列基板。
[0126]因顯示面板包括本發(fā)明任一實(shí)施例的陣列基板，其可具有與各陣列基板相同的技術(shù)效果。例如，具有較高的開口率。
[0127]實(shí)施例4
[0128]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述任一顯示面板。
[0129]因顯示裝置，包括本發(fā)明任一實(shí)施例的顯示面板，顯示面板包括本發(fā)明任一實(shí)施例的陣列基板，故其可具有與各陣列基板相同的技術(shù)效果。例如，具有較高的開口率。
[0130]需要說明的是，本發(fā)明各實(shí)施例以ADS、HADS模式為例進(jìn)行說明，但不限于此。例如還可以適用于面內(nèi)開關(guān)(In-Plane Switching，IPS)等模式。
[0131]另外，本發(fā)明各實(shí)施例以沿著列方向延伸的直線型的公共電極線為例進(jìn)行說明。但