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陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置的制造方法_5

文檔序號:8942167閱讀:來源:國知局
不限于此。例如,公共電極線亦可不為直線型。
[0132]本發(fā)明至少一實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置,該陣列基板,包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著所述列方向延伸的多條公共電極線;
[0133]其中,相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線,以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組,N選自大于等于零的整數(shù);
[0134]同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線,所述掃描信號線沿所述行方向延伸;每個像素單元組的兩列像素單元之間具有一條數(shù)據(jù)信號線,且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的所述數(shù)據(jù)信號線,所述數(shù)據(jù)信號線沿所述列方向延伸;各所述公共電極線位于相鄰兩個像素單元組之間。
[0135]本發(fā)明至少一實施例提供一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置可具有如下至少一個有益效果:
[0136](I)將沿著多個像素單元的行方向延伸(與掃描信號線平行)的公共電極線去除,只保留沿著多個像素單元的列方向延伸(與數(shù)據(jù)信號線平行)的多條公共電極線。由于沿著多個像素單元的行方向延伸(與掃描信號線平行)的公共電極線的去除,從而開口率大大提升。
[0137](2)公共電極線可與數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。公共電極線與數(shù)據(jù)信號線可采用同一構(gòu)圖工藝形成,可以節(jié)省工藝步驟。
[0138](3)公共電極線主體部分可與掃描信號線同層設(shè)置。公共電極線主體部分可與掃描信號線采用同一構(gòu)圖工藝形成,連接在數(shù)據(jù)線方向上(列方向上)相鄰兩個公共電極線主體部分的連接線可與像素電極層同層設(shè)置,與像素電極采用同一構(gòu)圖工藝形成,從而可以節(jié)省工藝步驟。
[0139](4)絕緣層過孔可呈1/X周期排列。絕緣層過孔周期排列可以平衡顯示屏內(nèi)公共電壓。沿著列方向延伸的多條公共電極線可改善顯示屏的發(fā)綠現(xiàn)象。
[0140](5)各掃描信號線在與連接線重疊的位置處收窄,以降低連接線的跨接距離,從而降低連接線的電阻。
[0141]有以下幾點需要說明:
[0142](I)本發(fā)明實施例附圖只涉及到與本發(fā)明實施例涉及到的結(jié)構(gòu),其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。
[0143](2)為了清晰起見,在用于描述本發(fā)明的實施例的附圖中,層或區(qū)域的厚度被放大或縮小,即這些附圖并非按照實際的比例繪制。可以理解,當諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時,該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中間元件。
[0144](3)在不沖突的情況下,本發(fā)明的實施例及實施例中的特征可以相互組合以得到新的實施例。
[0145]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板,包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著所述列方向延伸的多條公共電極線;其中,相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線,以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組,N選自大于等于零的整數(shù); 同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線,所述掃描信號線沿所述行方向延伸; 每個像素單元組的兩列像素單元之間具有一條數(shù)據(jù)信號線,且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的所述數(shù)據(jù)信號線,所述數(shù)據(jù)信號線沿所述列方向延伸; 各所述公共電極線位于相鄰兩個像素單元組之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其中,各所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其中,各所述公共電極線包括兩部分,其中一部分包括多個公共電極線主體部分,所述多個公共電極線主體部分與所述掃描信號線同層設(shè)置,并在相鄰兩行像素單元之間的所述兩條掃描信號線處斷開,另一部分包括多條連接線,所述多條連接線與像素電極同層設(shè)置,各所述連接線經(jīng)過孔連接在所述掃描信號線處斷開的兩個所述公共電極線主體部分,以實現(xiàn)各所述公共電極線的連接延伸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,還包括公共電極,其中,各所述公共電極線中的所述多個公共電極線主體部分和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的所述公共電極電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其中,各所述掃描信號線在與所述連接線重疊的位置處收窄。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板,其中,同一行像素單元中,相鄰像素單元組中的相鄰兩個像素單元連接到不同的掃描信號線或連接到相同的掃描信號線。7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板,其中,每相鄰兩個像素單元組之間具有一條所述公共電極線。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板,還包括至少一層絕緣層,其中,所述至少一層絕緣層位于所述公共電極線所在的層與所述公共電極所在的層之間,所述公共電極經(jīng)位于所述絕緣層中的過孔與所述公共電極線電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其中,所述絕緣層過孔周期排列。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板,其中,所述絕緣層過孔呈周期排列,在所述列方向上,每隔X個像素單元設(shè)置一個所述絕緣層過孔,X為大于零的整數(shù)。11.一種陣列基板的制造方法,包括在襯底基板上形成沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著所述列方向延伸的多條公共電極線;其中,相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線,以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組,N選自大于等于零的整數(shù); 同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線,所述掃描信號線沿所述行方向延伸; 每個像素單元組的兩列像素單元之間形成一條數(shù)據(jù)信號線,且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的所述數(shù)據(jù)信號線,所述數(shù)據(jù)信號線沿所述列方向延伸; 各所述公共電極線形成在相鄰兩個像素單元組之間。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法,其中,各所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)信號線同層形成。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法,其中,各所述公共電極線包括兩部分,其中一部分包括多個公共電極線主體部分,所述多個公共電極線主體部分與所述掃描信號線同層形成,并在相鄰兩行像素單元之間的所述兩條掃描信號線處斷開,另一部分包括多條連接線,所述多條連接線與像素電極同層形成,各所述連接線經(jīng)過孔連接在所述掃描信號線處斷開的兩個所述公共電極線主體部分,以實現(xiàn)各所述公共電極線的連接延伸。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板的制造方法,還包括形成公共電極,其中,各所述公共電極線中的所述多個公共電極線主體部分和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的所述公共電極電連接。15.根據(jù)權(quán)利要求11-14任一項所述的陣列基板的制造方法,其中,每相鄰兩個像素單元組之間形成一條所述公共電極線。16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板的制造方法,還包括形成至少一層絕緣層,其中,所述至少一層絕緣層形成在所述公共電極線所在的層與所述公共電極所在的層之間,所述公共電極經(jīng)位于所述絕緣層中的過孔與所述公共電極線電連接。17.—種顯示面板,包括權(quán)利要求1-10任一項所述的陣列基板。18.—種顯示裝置,包括權(quán)利要求17所述的顯示面板。
【專利摘要】一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。該陣列基板,包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板上的呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著列方向延伸的多條公共電極線;其中,相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線,以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組,N選自大于等于零的整數(shù);同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線,掃描信號線沿行方向延伸;每個像素單元組的兩列像素單元之間具有一條數(shù)據(jù)信號線,且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的數(shù)據(jù)信號線,數(shù)據(jù)信號線沿列方向延伸,各公共電極線位于相鄰兩個像素單元組之間。從而,可得到不同顯示模式下優(yōu)化的多種雙柵極高開口率像素設(shè)計。
【IPC分類】G02F1/1362, H01L27/12
【公開號】CN105159001
【申請?zhí)枴緾N201510685426
【發(fā)明人】賈緯華, 江鵬, 楊海鵬, 尹傛俊, 王章濤
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年10月20日
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