1.一種制備單層二硫化鉬的方法，包括如下步驟：
在惰性氣氛中，按照氣路由上游至下游的順序，依次放置硫粉、鉬的氧化物和基底，由室溫升溫后進行化學(xué)氣相沉積，沉積完畢降溫，即在所述基底上得到所述單層二硫化鉬；
其中，構(gòu)成所述基底的材料為鈦酸鍶單晶；
所述化學(xué)氣相沉積步驟中，硫粉所處溫區(qū)的溫度為硫粉的揮發(fā)溫度；
鉬的氧化物所處溫區(qū)的溫度為500℃～550℃；
基底所處溫區(qū)的溫度為730℃～900℃；
且所述鉬的氧化物所處溫區(qū)的溫度低于基底所處溫區(qū)的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述鉬的氧化物為三氧化鉬；
所述鉬的氧化物的粒徑為0.001mm-0.1mm；
所述基底的沉積面為所述鈦酸鍶單晶的100面或111面；
所述基底的厚度為0.1mm-1mm，長和寬均為0.5cm-2cm；
所述硫粉與鉬的氧化物的距離為25cm-40cm；
所述鉬的氧化物與基底的距離為7cm～12cm；
所述惰性氣氛為氬氣氣氛；氬氣的流量為40-80sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述升溫步驟中，升溫時間為30分鐘-60分鐘；
升溫速率為15-27℃/min；
所述化學(xué)氣相沉積為低壓化學(xué)氣相沉積方法；
所述化學(xué)氣相沉積步驟中，真空度為0.1Pa-10Pa；
生長時間為20分鐘至60分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述降溫為自然冷卻降溫；
所述降溫的總時間為30-60分鐘；
所述降溫還包括如下步驟：在降溫至500℃以下時，通入氫氣，同時關(guān)閉對硫粉的加熱。
5.權(quán)利要求1-4中任一所述方法得到的所述單層二硫化鉬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二硫化鉬，其特征在于：所述二硫化鉬的結(jié)構(gòu)為單層分形結(jié)構(gòu)。
7.權(quán)利要求5或6所述二硫化鉬作為催化劑在電催化析氫反應(yīng)中的應(yīng)用。