技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種可控制備單層分形二硫化鉬的方法。該方法包括如下步驟：在惰性氣氛中，按照氣路由上游至下游的順序，依次放置硫粉、鉬的氧化物和基底鈦酸鍶單晶，由室溫升溫后進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，沉積完畢降溫，即在所述基底上得到二硫化鉬。本方法利用了鈦酸鍶單晶基底強(qiáng)的吸附性，并兼容比較寬的生長(zhǎng)條件，實(shí)現(xiàn)單層分形二硫化鉬的生長(zhǎng)且可以很好地轉(zhuǎn)移到任意基底上。轉(zhuǎn)移到金箔上的邊緣分形的二硫化鉬實(shí)現(xiàn)了高效的電催化析氫效能。該發(fā)明在首次實(shí)現(xiàn)了鈦酸鍶單晶基底上，單層分形二硫化鉬的可控生長(zhǎng)，對(duì)于單層二硫化鉬形貌控制生長(zhǎng)的基礎(chǔ)研究及特定性應(yīng)用都具有重大意義。

技術(shù)研發(fā)人員：張艷鋒;張玉;史建平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
文檔號(hào)碼：201510204543
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.27
技術(shù)公布日：2016.11.23