1.一種半導(dǎo)體靶材用高純鎳錠的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，備料：選擇鐵、鈷、銅含量低的電解鎳板，純度≥99.8％；
步驟2，裝爐：電解鎳板綁料裝爐，裝爐前清理爐膛和反應(yīng)器；
步驟3，一次熔煉：采用電子束爐熔煉，當(dāng)維持爐膛真空度≤1.0×10-2pa時(shí)開始升溫熔煉，熔煉溫度控制在≥2130℃；熔煉速度控制在≤20.1kg/h，充分融化電解鎳板；熔煉后形成的鎳錠在爐膛里冷卻6h～12h；
步驟4，二次熔煉：重復(fù)步驟3至少一次；
步驟5，出爐、取樣分析：從鎳錠上中下三個(gè)部位取三個(gè)切片，超聲波清洗后送檢分析，檢驗(yàn)純度≥99.99％，合格入庫。
2.如權(quán)利要求1所述的制備工藝，其特征在于：所述步驟4的重復(fù)步驟3至少二次、三次或四次。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制備工藝，其特征在于：所述步驟3的爐膛真空度為0.85×10-2pa、0.75×10-2pa、0.65×10-2pa或0.55×10-2pa。
4.如權(quán)利要求3所述的制備工藝，其特征在于：所述步驟3的所述熔煉溫度2250℃、2350℃、2550℃、2750℃或2950℃。
5.如權(quán)利要求1、2或4所述的制備工藝，其特征在于：所述步驟3的所述熔煉速度控制在20kg/h、18kg/h、16.5kg/h或14kg/h。
6.如權(quán)利要求5所述的制備工藝，其特征在于：所述步驟3的所述冷卻時(shí)間為7.3h、8.3h、9.3h或11。