技術(shù)特征：

1.一種以肼類為還原劑單原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)金屬Cu的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

A)將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Cu前驅(qū)體進(jìn)行沉積，得到沉積有Cu前驅(qū)體的襯底；B)將氣相還原劑肼類以脈沖形式通入反應(yīng)腔，對(duì)沉積在襯底上的Cu前驅(qū)體進(jìn)行還原，沉積得到金屬Cu薄膜；

所述Cu前驅(qū)體包括具有式I或者II所示結(jié)構(gòu)的化合物：

其中R¹、R²、R³為C1～C10的烴鏈或者三甲基硅基，R¹、R²、R³三者相同或者不同；

其中R⁴為C1～C10的烴鏈或者三甲基硅基。

所述還原劑包括具有式III所示結(jié)構(gòu)的化合物：

其中R⁵、R⁶、R⁷、R⁸為氫原子或者C1～C5的烴鏈，R⁵、R⁶、R⁷、R⁸相同或者不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Cu前驅(qū)體的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間為0.05～20s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間為0.5～30s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中的沉積的溫度為125～400℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氣相Cu前驅(qū)體在載氣存在條件下以脈沖形式通入。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間為0.01～20s。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間為0.5～30s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中氣相還原劑在載氣存在的條件下以氣相脈沖形式通入。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅、氧化硅、氮化硅、TaN、藍(lán)寶石中的任意一種或幾種。