技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種以肼類為還原劑單原子層沉積技術(shù)生長金屬Cu的方法，屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用肼類作為還原劑，能直接將具有一定結(jié)構(gòu)的Cu前驅(qū)體還原，將其應(yīng)用在單原子層沉積技術(shù)(ALD)中，使得能夠在納米級的半導(dǎo)體器件上沉積形成保型性較好的金屬Cu沉積層，方法簡單有效。采用本發(fā)明中的方法制得的金屬Cu膜電阻率更低，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本發(fā)明制得的金屬Cu薄膜電阻率在2.1～6.5μΩ·cm。

技術(shù)研發(fā)人員：丁玉強(qiáng);杜立永;張羽翔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江南大學(xué)
文檔號碼：201611035067
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.03.15