技術(shù)特征：

1.一種波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)清洗襯底；

(2)在真空度為1×10^-5～1×10^-2Pa下，通入高純Ar和高純O₂混合氣體，利用射頻濺射對硅靶和硼靶進行反應(yīng)共濺射，在襯底上沉積薄膜；

(3)惰性氣氛下，對步驟(2)得到的薄膜進行熱處理，即得到摻硼的熒光涂層；

所述熒光涂層的硼含量為1～15.1at.％；所述熒光涂層在激發(fā)下會產(chǎn)生650nm～410nm的熒光，最大發(fā)射熒光波長隨硼含量的變化而變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，所述熒光涂層的硼含量為1.5～4.5at.％時，在325nm激發(fā)波長下，所述熒光涂層的最大發(fā)射波長隨硼含量的增加從650nm逐漸移動到410nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，所所述熒光涂層的硼含量為2.17～3.58at.％時，在325nm激發(fā)波長下，所述熒光涂層的最大發(fā)射波長隨硼含量的增加從520nm逐漸移動到459nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中高純Ar和高純O₂混合氣體中高純O₂的質(zhì)量百分含量為0.01％～10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時，硅靶的濺射功率為60～200W，硼靶的濺射功率為20～200W。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時，濺射腔室的壓強為0～10Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時，硅靶的濺射功率為120～150W，硼靶的濺射功率為30～120W，濺射腔室的壓強為1～5Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中熱處理的條件為：在600～1200℃下熱處理0～6小時。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項所述的制備方法得到的熒光涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項所述的制備方法得到的熒光涂層在熒光粉以及光電子器件中的應(yīng)用。