技術(shù)特征：

1. 一種Ti₂AlC MAX相薄膜的制備方法，其特征在于，采用射頻磁控濺射技術(shù)，用反應(yīng)氣體C₂H₂作為C元素靶，在溫度為600℃-710℃的MgO（100）基體上生長出純相多晶Ti₂AlC薄膜；具體步驟如下：

步驟一、裝備濺射靶和基片

以濺射元素Ti和Al靶為固體復(fù)合靶，組合方式為在圓片形高純Ti靶上均勻放置4-5片按15±1°的扇形高純Al片，采用C₂H₂作為C元素靶；沉積時將高純C₂H₂氣體通入工作真空腔室中；控制通入的工作氣體Ar氣和反應(yīng)氣體C₂H₂的流量比為200：（1-3），基片為氧化鎂MgO（100），裝備在濺射靶正上方，背面貼近加熱絲；

步驟二、工作腔抽真空

本底真空應(yīng)低于3*10^-5Pa；

步驟三、預(yù)濺射

通入工作氣體Ar氣后在5±0.5 Pa的壓強下開始起輝濺射，輝光濺射開始后工作壓強范圍降為0.1-0.2Pa，保持工作功率預(yù)濺射10-30分鐘，去除靶表面氧化層；

步驟四、濺射沉積鍍膜

沉積功率為70-80W，基片加負(fù)偏壓40-60V；基片加熱溫度范圍為600-710℃；薄膜的厚度根據(jù)沉積時間而定；最終使薄膜中各元素含量應(yīng)達(dá)到接近Ti₂AlC的理想化學(xué)元素比。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti₂AlC MAX相薄膜的制備方法，其特征在于，濺射沉積鍍膜時，通入的工作氣體Ar氣的流量為15.0±0.01 sccm，C₂H₂氣體流量為0.075±0.002sccm，適當(dāng)關(guān)閉分子泵閥門，工作壓強控制在0.20±0.02Pa。