技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于新材料技術(shù)制備領(lǐng)域，具體為Ti2AlC?MAX相薄膜的制備方法。本發(fā)明采用射頻磁控濺射的方式，濺射元素Ti和Al靶為固體復(fù)合靶，通過計(jì)算元素濺射率和測(cè)得的薄膜化學(xué)元素比調(diào)整固體靶的面積比，從而得到薄膜中理想的化學(xué)元素比；采用C的氫化物C2H2氣體作為C元素靶來提高C元素的活性，通過控制通入的氣體Ar氣和C2H2氣體的流量大小和比例，使薄膜中的最終元素比達(dá)到接近Ti2AlC的化學(xué)元素比。本發(fā)明通過改變基體溫度，沉積時(shí)間和濺射功率等參數(shù)，可較為精確的調(diào)整制備薄膜的厚度、晶粒尺寸，從而得到厚度和晶粒尺寸可控的純相高品質(zhì)多晶薄膜。

技術(shù)研發(fā)人員：宿冉冉;施立群;張宏亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：復(fù)旦大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710052758
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.24
技術(shù)公布日：2017.06.23