1.一種用于MOCVD的金屬有機(jī)源摻雜裝置，其特征在于，包括：
恒溫電子加熱器；
盛料鍋，設(shè)于恒溫電子加熱器內(nèi)，包括圓柱形不銹鋼鍋體及蓋板，所述鍋體上設(shè)置有進(jìn)氣接口和出氣接口；
氬氣瓶，通過管路依次連接減壓閥、第一節(jié)流閥、軟管、進(jìn)氣接口；
恒溫鋼管，與溫控器電路連接，所述出氣接口通過恒溫鋼管依次連接、流量計(jì)、第二節(jié)流閥、三通切換閥、鍍膜機(jī)沉積室；
回收瓶，通過另一根恒溫鋼管連接三通切換閥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD的金屬有機(jī)源摻雜裝置，其特征在于：所述的恒溫鋼管由外到內(nèi)依次包括絕緣膠帶、隔熱石棉瓦、加熱電阻絲、不銹鋼管，所述不銹鋼管內(nèi)設(shè)置溫度傳感器，所述的加熱電阻絲通過電路連接溫控器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD的金屬有機(jī)源摻雜裝置，其特征在于：所述的蓋板中間設(shè)置有石英玻璃板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD的金屬有機(jī)源摻雜裝置，其特征在于：所述的蓋板與鍋體之間設(shè)置有密封墊圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD的金屬有機(jī)源摻雜裝置，其特征在于：所述鍋體底部設(shè)置有存料室。
6.一種基于權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述金屬有機(jī)源摻雜裝置的金屬有機(jī)源摻雜方法，其特征在于，包括步驟：
(1) 在鍍膜機(jī)開始沉積類金剛石之前，開啟恒溫電子加熱器及溫控器，使盛料鍋和恒溫鋼管升溫、預(yù)熱至使用溫度；
(2) 達(dá)到使用溫度后，將金屬有機(jī)源摻雜裝置管道內(nèi)的殘余空氣排出；
(3)打開第一節(jié)流閥，關(guān)閉第二節(jié)流閥，向盛料鍋和鍍膜機(jī)沉積室分別緩慢通入氬氣和反應(yīng)氣體至工作氣壓；
(4)打開第一節(jié)流閥、第二節(jié)流閥，通過氬氣的流動(dòng)作用，將分解蒸發(fā)出的金屬有機(jī)源氣體經(jīng)過氣體管道輸送至沉積室內(nèi)參與類金剛石涂層的摻雜，制備出摻雜了金屬有機(jī)源的類金剛石涂層；
(5)在沉積過程中不再需要通入金屬有機(jī)源氣體或發(fā)生緊急情況需要瞬時(shí)切斷有機(jī)源摻雜加熱裝置與鍍膜機(jī)沉積室的連接時(shí)，將轉(zhuǎn)換閥關(guān)閉，使鍍膜機(jī)沉積室密閉，將金屬有機(jī)源氣體和氬氣的混合氣體通入回收瓶內(nèi)冷卻、收集，再關(guān)閉第二節(jié)流閥，當(dāng)殘余在管道內(nèi)和盛料鍋內(nèi)的金屬有機(jī)源氣體排干凈后，關(guān)閉氬氣瓶閥門和第一節(jié)流閥。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬有機(jī)源摻雜方法，其特征在于：所述的金屬有機(jī)源為Cu(tmhd)2。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)源摻雜方法，其特征在于：所述恒溫電子加熱器及溫控器的控溫精度為±0.1℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)源摻雜方法，其特征在于：所述的工作氣壓為10-1-10-2Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬有機(jī)源摻雜方法，其特征在于，所述的步驟(2)具體包括：將第一節(jié)流閥關(guān)閉、第二節(jié)流閥打開，此時(shí)盛料鍋的氣壓等于鍍膜機(jī)沉積室的氣壓，隨后用真空泵將鍍膜機(jī)沉積室抽真空至10-3Pa-5*10-3Pa。